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三維集成電路物理設計/微電子與集成電路先進技術叢書/半導體與集成電路關鍵技術叢書

  • 作者：編者:(阿爾巴)艾達·托德里-薩尼亞爾//(馬來)陳國成|責編:江婧婧//盧婷|譯者:楊兵//趙毅//張旭芳//王艷蓉
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111817529
  • 出版日期：2026/10/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：393
人民幣：RMB 159 元      售價：元
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內容大鋼
    本書系統地討論了3D IC的物理設計，來自學術界、研究實驗室和工業界的一批傑出專家在每一章中針對具體的物理設計主題進行了深入闡述。本書共17章，分為4個部分：第1部分共包含4章，首先概述傳統2D電路面臨的物理設計挑戰；第2部分共包含4章，主要討論3D集成的物理設計方法；第3部分共包含5章，主要討論3D集成的可靠性問題；第4部分共包含4章，主要討論3D物理設計的CAD設計工具和未來發展方向。
    專門講解3D IC物理設計的書籍很少，本書是一本全面分析3D IC物理設計的書籍，非常適合從事電子、光電子、MEMS及AI等領域中關於3D集成技術工作的工程師、科研人員和技術管理人員閱讀，也可以作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的教材和參考用書。
作者介紹
編者:(阿爾巴)艾達·托德里-薩尼亞爾//(馬來)陳國成|責編:江婧婧//盧婷|譯者:楊兵//趙毅//張旭芳//王艷蓉
目錄
譯者序
原書前言
致謝
編著者介紹
第1部分  3D集成概述
  第1章  2.5D/3D IC驅動因素、技術、應用和展望
    1.1  背景與引言
    1.2  驅動因素
      1.2.1  系統性能的可持續增長
      1.2.2  技術瓶頸及3D集成的解決方案
      1.2.3  異構性
    1.3  3D IC的技術方案
      1.3.1  分類
      1.3.2  單片方法
      1.3.3  組裝方法
      1.3.4  ITRS對3D互連技術的定義
    1.4  技術平台和技術路線
      1.4.1  承載晶圓鍵合
      1.4.2  晶圓背面減薄
      1.4.3  垂直通孔和凸點形成
      1.4.4  對準
      1.4.5  鍵合
      1.4.6  承載晶圓剝離
      1.4.7  2.5D硅中介層
      1.4.8  演示樣品
    1.5  應用、現狀和展望
      1.5.1  硅光子學
      1.5.2  ITRS 2.0
    致謝
    參考文獻
  第2章  3D集成電路物理設計問題概述
    2.1  引言
    2.2  3D物理設計面臨的挑戰概述
    2.3  3D電源傳輸網路面臨的挑戰與解決方案
    2.4  3D時鐘傳輸網路面臨的挑戰與解決方案
    2.5  3D布局和布線面臨的挑戰與解決方案
  ……
第2部分  3D集成的物理設計方法
第3部分  3D集成的可靠性問題
第4部分  CAD設計工具和3D物理設計的未來發展方向

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