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有機半導體及器件中的缺陷/集成電路科學與技術叢書

  • 作者：(法)阮天法|責編:楊源|譯者:李哲洋//王品//李貽非//於樂
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111819011
  • 出版日期：2026/09/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：137
人民幣：RMB 79.8 元      售價：元
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內容大鋼
    本書聚焦有機半導體及器件的缺陷核心問題，立足傳統半導體缺陷研究基礎，針對有機半導體因分子取向無序、范德華力微弱而更易形成缺陷的特性，構建系統的知識體系。全書共7章，以「基礎-理論-機制-技術-應用」為邏輯脈絡：第1章概述有機半導體、其摻雜特性及OLED、OPV、OFET等核心器件架構；第2章對比晶體、非晶體與有機半導體的有序/無序差異，解析態密度與局域態，夯實缺陷理論基礎；第3章闡述缺陷對載流子輸運及材料光學特性的影響；第4章詳解ESR、熒光光譜、TSC、DLTS等缺陷研究技術的原理與應用；第5章梳理有機材料與器件中結構、雜質、界面等缺陷來源；第6章分析缺陷對器件效率、穩定性及老化的作用，最後展望研究方向。本書為理解有機半導體缺陷機制、提升器件可靠性提供關鍵支撐，可供半導體科研與產業人員閱讀。
作者介紹
(法)阮天法|責編:楊源|譯者:李哲洋//王品//李貽非//於樂
目錄
前言
第1章  有機半導體概述
  1.1  有機半導體
  1.2  有機半導體的摻雜
  1.3  有機電子器件
    1.3.1  有機器件的架構
    1.3.2  有機發光二極體（OLED）
    1.3.3  有機太陽能電池（OSC或OPV）
    1.3.4  有機場效應晶體管（OFET）
第2章  材料缺陷
  2.1  有序和無序
  2.2  晶體半導體
    2.2.1  局域態
    2.2.2  態密度（DOS）
  2.3  非晶半導體
    2.3.1  局域態
    2.3.2  態密度
  2.4  有機半導體
    2.4.1  聚合物結構
    2.4.2  聚合物結晶度
    2.4.3  共軛聚合物中的缺陷
    2.4.4  小分子晶體中的缺陷
    2.4.5  局域態2
    2.4.6  態密度2
  2.5  能態分佈
第3章  半導體的缺陷與物理性質
  3.1  有機半導體中的載流子輸運
    3.1.1  躍遷傳導
    3.1.2  均勻態密度模型
    3.1.3  非均勻態密度模型
  3.2  缺陷對載流子傳輸的影響
    3.2.1  陷阱和複合中心
    3.2.2  俘獲機制和陷阱參數
  3.3  半導體與缺陷的光學性質
    3.3.1  缺陷與吸收
    3.3.2  缺陷與發光
第4章  半導體缺陷研究技術
  4.1  電子自旋共振（ESR）
    4.1.1  ESR的基本概念
    4.1.2  ESR譜線解析
    4.1.3  電子核雙共振（ENDOR）
    4.1.4  利用ESR技術研究缺陷
  4.2  光學技術
    4.2.1  熒光光譜（FL）
    4.2.2  熱激發發光（TSL）光譜學
  4.3  電學技術
    4.3.1  熱刺激電流（TSC）技術
    4.3.2  電流-電壓測量：空間電荷限制電流（SCLC）
    4.3.3  阻抗譜（IS）
    4.3.4  深能級瞬態譜（DLTS）

    4.3.5  飛行時間（TOF）和線性增壓載流子抽取（CELIV）技術
第5章  缺陷來源
  5.1  有機半導體中的缺陷
    5.1.1  結構缺陷
    5.1.2  雜質缺陷
  5.2  有機器件中的缺陷
    5.2.1  半導體中的缺陷
    5.2.2  表面和界面處的缺陷
    5.2.3  擴散雜質導致的缺陷
第6章  有機器件的缺陷、性能和可靠性
  6.1  缺陷對有機器件性能的影響
    6.1.1  OLED中的缺陷與效率
    6.1.2  OPV中的缺陷與效率
    6.1.3  OFET中的缺陷與性能
  6.2  缺陷對有機器件穩定性的影響
    6.2.1  有機半導體及器件中老化機制概述
    6.2.2  有機半導體及器件中的缺陷與老化
第7章  展望

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