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新型微電子器件前沿導論(第2版高等教育新工科電子信息類系列教材)

  • 作者：編者:姜岩峰//于平平//蔡孟冶//強天|責編:周紅//宋輝
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122509024
  • 出版日期：2026/08/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：200
人民幣：RMB 59 元      售價：元
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內容大鋼
    電子器件是集成電路的基石，電子器件的發展是集成電路持續發展的保證。目前所謂的「傳統集成電路」，主要是基於硅基MOS管和晶體管開展的設計。而以人工智慧晶元和算力晶元為代表的「現代集成電路」呈現異質、異構、多芯粒的特點，對電子器件的功能與類型提出了新的需求。面向現代集成電路的電子器件，不僅僅要滿足電路功能，還要具備存儲、光通信、射頻、功率調控等眾多功能。
    本書2022年出版后，在國內十余家高校得到使用，在備受好評的同時也收集了很多反饋意見。此次第二版修訂，對原書內容進行了較大修改，目前主要內容包括存儲器件、射頻器件、無源器件、有機半導體器件、功率半導體器件等，基本涵蓋現代集成電路設計所需的器件基礎知識。
    本書適合微電子科學與工程專業本科高年級學生，微電子、電子科學與技術相關專業低年級研究生，以及電子信息、集成電路、材料、通信等相關交叉專業本科生和研究生；同時可供集成電路、半導體企業研發工程師，微電子領域科研院所研究人員，高校教學從業者和地方半導體產業從業人員參考。
作者介紹
編者:姜岩峰//于平平//蔡孟冶//強天|責編:周紅//宋輝
目錄
第1章  半導體器件與集成電路
  1.1  集成電路相關專業特點
  1.2  平面工藝的發展與集成電路的誕生
  1.3  摩爾定律——始於器件，用於電路
    1.3.1  摩爾定律的提出和發展
    1.3.2  新型器件對摩爾定律的支撐作用
    1.3.3  新型MOS器件——FinFET（鰭式場效應晶體管）
    1.3.4  新型MOS器件——GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）
  1.4  本章小結
第2章  新型器件在半導體存儲器中的應用
  2.1  存儲器系統
    2.1.1  存儲器的分類
    2.1.2  半導體存儲晶元的基本結構與性能指標
    2.1.3  存儲系統的層次結構
    2.1.4  習題
  2.2  新型器件推動半導體存儲器的發展
    2.2.1  半導體存儲器概況
    2.2.2  SRAM存儲器
    2.2.3  DRAM存儲器
    2.2.4  Flash存儲器
    2.2.5  磁阻隨機存取存儲器（MRAM）
    2.2.6  習題
  2.3  存儲器的陣列設計
    2.3.1  引言
    2.3.2  存儲器外圍電路
    2.3.3  存儲器中的功耗
    2.3.4  習題
  2.4  本章小結
第3章  射頻器件
  3.1  射頻和無線技術簡介
    3.1.1  無線世界
    3.1.2  射頻集成電路設計的挑戰性
    3.1.3  射頻系統示意圖
    3.1.4  關於器件-集成電路在射頻領域中的協同設計
  3.2  通信概念
    3.2.1  信號的調製與解調
    3.2.2  模擬調製
    3.2.3  數字調製
    3.2.4  頻譜再增長
    3.2.5  移動射頻通信
    3.2.6  多址訪問技術
    3.2.7  習題
  3.3  射頻收發機原理及結構
    3.3.1  射頻收發機工作原理
    3.3.2  接收機結構
    3.3.3  發射機結構
    3.3.4  習題
  3.4  低雜訊放大器的工作原理及設計
    3.4.1  LNA介紹
    3.4.2  LNA性能和評價指標

    3.4.3  功率匹配與雜訊匹配
    3.4.4  常見的LNA設計實例
    3.4.5  習題
  3.5  功率放大器的工作原理及設計
    3.5.1  PA介紹
    3.5.2  PA的設計基礎與分類
    3.5.3  常見的PA設計實例
    3.5.4  習題
  3.6  混頻器的工作原理及設計
    3.6.1  混頻器介紹
    3.6.2  混頻器分類與設計指標
    3.6.3  混頻器設計實例
    3.6.4  習題
  3.7  無錫市在射頻器件領域的集成電路企業介紹（掃碼閱讀）
第4章  新型集成無源器件
  4.1  新型集成無源器件的概念及發展現狀
    4.1.1  概念
    4.1.2  發展現狀
    4.1.3  未來挑戰
    4.1.4  習題
  4.2  薄膜電阻（TFR）的性能指標及設計
    4.2.1  簡介
    4.2.2  基本參數
    4.2.3  電阻類型
    4.2.4  大功率電阻
    4.2.5  電阻模型
    4.2.6  電阻電學表示方法
    4.2.7  有效電導率
    4.2.8  熱敏電阻
    4.2.9  習題
  4.3  螺旋電感（SI）的性能指標及設計
    4.3.1  簡介
    4.3.2  基本定義
    4.3.3  電感結構
    4.3.4  印刷電感
    4.3.5  基於硅（Si）襯底的電感
    4.3.6  基於砷化鎵（GaAs）襯底的電感
    4.3.7  習題
  4.4  金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容的性能指標及設計
    4.4.1  簡介
    4.4.2  電容參數
    4.4.3  片式電容種類
    4.4.4  分離型平行極板電容器模型
    4.4.5  金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容模型
    4.4.6  習題
  4.5  基於ADS軟體模擬薄膜電阻、螺旋電感和金屬-絕緣體-金屬電容
    4.5.1  ADS2015模擬軟體簡介
    4.5.2  ADS模擬薄膜電阻
    4.5.3  ADS模擬螺旋電感
    4.5.4  ADS模擬MIM電容

    4.5.5  習題
第5章  新型有機半導體器件
  5.1  有機集成電路的研究進展
    5.1.1  有機集成電路的基本概念與核心優勢
    5.1.2  關鍵材料體系的突破
    5.1.3  有機器件工藝與集成技術
    5.1.4  有機集成電路設計與性能演進
    5.1.5  有機半導體系統級集成與應用驗證
    5.1.6  挑戰與未來展望
    5.1.7  習題
  5.2  有機場效應晶體管
    5.2.1  有機場效應晶體管的基本概述
    5.2.2  有機場效應晶體管的結構
    5.2.3  有機場效應晶體管（OFET）的工作原理
    5.2.4  有機場效應晶體管（OFET）的性能參數
    5.2.5  影響有機場效應晶體管性能的因素
    5.2.6  有機場效應晶體管（OFET）的材料
    5.2.7  有機場效應晶體管的製作
    5.2.8  習題
  5.3  有機太陽能電池
    5.3.1  有機太陽能電池的基本概述
    5.3.2  有機太陽能電池的器件結構
    5.3.3  有機太陽能電池的工作原理
    5.3.4  有機太陽能電池的性能參數
    5.3.5  有機活性層材料
    5.3.6  習題
  5.4  有機電存儲器
    5.4.1  有機電存儲器的結構
    5.4.2  有機電存儲器的工作原理
    5.4.3  有機電存儲器的性能參數
    5.4.4  有機電存儲材料
    5.4.5  習題
  5.5  有機光電探測器
    5.5.1  有機光電探測器的基本結構
    5.5.2  有機光電探測器的工作原理
    5.5.3  有機光電探測器的性能參數
    5.5.4  有機光電探測器的活性層和電極材料
    5.5.5  習題
第6章  功率半導體器件
  6.1  概述
    6.1.1  不可控型功率器件
    6.1.2  半控型功率器件
    6.1.3  全控型功率器件
    6.1.4  功率器件及功率集成電路發展歷程
  6.2  VDMOS功率器件
    6.2.1  VDMOS的結構
    6.2.2  VDMOS的導通電阻
    6.2.3  VDMOS的I-V特性
    6.2.4  VDMOS的開關特性
  6.3  LDMOS功率器件

    6.3.1  LDMOS的結構
    6.3.2  LDMOS的導通電阻
    6.3.3  LDMOS的I-V特性
  6.4  IGBT功率器件
    6.4.1  IGBT的結構
    6.4.2  IGBT的I-V特性
    6.4.3  IGBT的阻斷特性
    6.4.4  IGBT的開關特性
    6.4.5  IGBT的閂鎖效應
  6.5  功率器件研究現狀小結
參考文獻

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