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CMOS模擬集成電路(第2版)/集成電路科學與技術叢書

  • 作者：編者:王永生|責編:盛東亮//曾珊
  • 出版社：清華大學
  • ISBN：9787302711773
  • 出版日期：2026/05/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：380
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    本書闡述CMOS模擬集成電路分析與設計的相關知識：主要介紹CMOS模擬集成電路設計的背景、MOSFET器件物理及建模等相關知識；分析電流源、電流鏡和基準源，以及共源極、共漏極、共柵極和共源共柵極等基本放大器結構、原理、分析與設計技術；同時分析電路的頻率、雜訊等特性，並進一步討論運算放大器、反饋結構及其穩定性和頻率補償；然後討論開關電容電路、比較器，進而介紹數模轉換器和模數轉換器的基本結構和工作原理；最後討論與CMOS模擬集成電路相關的版圖設計技術。
    本書可作為高等院校電子信息類本科生和研究生教材，也可作為相關領域工程師的參考用書。
作者介紹
編者:王永生|責編:盛東亮//曾珊
    王永生，1974年7月出生，畢業於哈爾濱工業大學，獲得微電子學與固體電子學博士學位，現任哈爾濱工業大學航天學院副教授。長期從事數/模混合信號集成電路、系統晶元及其可測試性、可靠性設計的教學及科研工作。先後主持和參與了10余項國家級與省部級科研項目；開發了多款高速及高精度模/數轉換器晶元，以及混合信號SoC晶元。申請並獲得授權發明專利10余項。在模/數轉換器設計、混合信號SoC設計等領域發表學術論文50余篇。
目錄
第1章  緒論
  1.1  模擬電路與數字電路
  1.2  電路抽象層次
  1.3  模擬集成電路設計
  1.4  符號標記法
  1.5  本章小結
第2章  MOSFET器件及模型
  2.1  引言
  2.2  MOSFET器件結構
    2.2.1  MOSFET器件
    2.2.2  CMOS
  2.3  MOSFET器件I/V特性
    2.3.1  工作區
    2.3.2  輸出特性和轉移特性
    2.3.3  溝道長度調製效應
    2.3.4  體效應
    2.3.5  亞閾值導通效應
  2.4  MOSFET器件模型
    2.4.1  MOSFET器件的大信號模型
    2.4.2  MOSFET器件的小信號模型
    2.4.3  MOSFET器件的雜訊模型
    2.4.4  MOSFET器件的SPICE模型
  2.5  MOSFET電路的SPICE模擬
    2.5.1  SPICE模擬基本描述
    2.5.2  SPICE中的基本模擬
  2.6  本章小結
  習題
第3章  CMOS電流源與電流鏡
  3.1  引言
  3.2  MOSFET電流源
    3.2.1  簡單電流源
    3.2.2  共源共柵電流源
  3.3  MOS電流鏡
    3.3.1  基本電流鏡
    3.3.2  共源共柵電流鏡
    3.3.3  大擺幅的共源共柵電流鏡
    3.3.4  威爾遜電流鏡
  3.4  本章小結
  習題
第4章  基準源
  4.1  引言
  4.2  電壓基準源
    4.2.1  分壓型電壓基準源
    4.2.2  有源電壓基準源
    4.2.3  帶隙基準源
  4.3  電流基準源
    4.3.1  基於電流鏡的簡單基準源
    4.3.2  與電源無關的電流基準源
    4.3.3  PTAT電流基準源
  4.4  本章小結

  習題
第5章  CMOS單級放大器
  5.1  引言
  5.2  放大器基本分析方法
    5.2.1  電壓增益
    5.2.2  放大器的非線性
  5.3  共源極放大器
    5.3.1  採用電阻負載的共源極放大器
    5.3.2  二極體連接MOS晶體管負載的共源極放大器
    5.3.3  採用電流源負載的共源極放大器
    5.3.4  CMOS推挽放大器
  5.4  共漏極放大器
  5.5  共柵極放大器
……
第6章  CMOS差分放大器
第7章  CMOS放大器的頻率響應
第8章  雜訊
第9章  反饋
第10章  CMOS運算放大器
第11章  穩定性與頻率補償
第12章  比較器
第13章  開關電容電路
第14章  DAC和ADC電路概論
第15章  模擬集成電路的版圖設計
參考文獻

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