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晶元製造(半導體真空技術與設備)/半導體與集成電路關鍵技術叢書

  • 作者：編者:陳譯//陳鋮穎//張宏怡|責編:江婧婧//章承林
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111798132
  • 出版日期：2026/01/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：173
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    真空技術是支撐各行業的基礎技術之一，其應用範圍非常廣泛，從食品工業到航天工業均受益於此，半導體產業也是如此。真空技術是實用學科，需在實踐中掌握。儘管其理論體系複雜，本書仍力求在保留理論框架的同時簡化表述，並盡量避免公式堆砌，以邏輯化、體系化的方式解讀半導體真空技術。雖因篇幅限制有所取捨，但希望能助力更多工程師學以致用。本書旨在搭建一座學習的橋樑，通過「理論-案例-實踐」的完整鏈條降低學習門檻，並填補半導體專用真空技術領域相關圖書的空白。
    本書面向半導體生產線的設備工程師和工藝工程師，以及高等院校半導體與集成電路相關專業的高年級本科生和研究生，同時也適合資深從業者重溫真空技術，對半導體設備供應商及其他產業鏈相關企業也有參考價值。
作者介紹
編者:陳譯//陳鋮穎//張宏怡|責編:江婧婧//章承林
目錄
前言
第1章  半導體製造設備和真空技術
  1.1  真空技術的戰略地位
  1.2  真空設備的系統
    1.2.1  半導體真空設備的基本構造
    1.2.2  工藝腔室的周邊輔助設備
  1.3  真空技術對半導體製造的重要性
  1.4  半導體中的真空應用實例
    1.4.1  刻蝕
    1.4.2  CVD
    1.4.3  PVD
    1.4.4  熱處理工藝設備
    1.4.5  離子注入工藝
第2章  真空的理論和計算
  2.1  從托里拆利的實驗開始
  2.2  真空的單位——帕（Pa）、托（Torr）、毫巴（mbar）
  2.3  真空理論的初步研究
    2.3.1  真空度的概念
    2.3.2  平均自由程
    2.3.3  黏性流、中間流、分子流
    2.3.4  PD值
    2.3.5  氣體流動與設備設計
    2.3.6  湍流
  2.4  真空計算——P（壓力）、S（導通率）、Q（流量）
    2.4.1  真空計算的基礎
    2.4.2  壓力P
    2.4.3  導通率S
    2.4.4  流量Q
  2.5  真空計算實例
    2.5.1  腔室壓力的計算
    2.5.2  有效導通率
    2.5.3  導通率與阻力
    2.5.4  排氣能力
    2.5.5  腔室容積
    2.5.6  泄漏量
    2.5.7  總導通率
第3章  真空泵及其使用方法
  3.1  什麼是真空泵
  3.2  各種泵的原理和結構
    3.2.1  油旋轉泵
    3.2.2  機械增壓泵
    3.2.3  濕式泵與乾式泵
    3.2.4  渦輪分子泵
  3.3  低溫泵
    3.3.1  低溫泵的結構及工作原理
    3.3.2  低溫泵的使用方法
    3.3.3  補充內容
  3.4  擴散泵
  3.5  真空計算實例
  3.6  背壓泵

第4章  真空計及其使用方法
  4.1  關於真空計
  4.2  各種真空計的原理和結構
    4.2.1  U形管真空計
    4.2.2  氣體減壓閥
  4.3  熱傳導真空計
    4.3.1  熱電偶真空計
    4.3.2  皮拉尼真空計
  4.4  電容式真空計
  4.5  複合真空計
  4.6  離子真空計
  4.7  彭寧真空計
  4.8  真空計的使用注意事項
第5章  氣體系統真空部件及其使用方法
  5.1  真空密封和O形密封圈
  5.2  特氟隆膠帶和法蘭配管
    5.2.1  特氟隆膠帶
    5.2.2  法蘭配管
  5.3  運動、傳動部件
    5.3.1  差動密封
    5.3.2  波紋管
    5.3.3  磁性密封件
  5.4  閥門與壓力調節設備
    5.4.1  閥門
    5.4.2  前級管道閥
    5.4.3  氣動操作閥
    5.4.4  針形閥與止回閥
  5.5  質量流量控制器
    5.5.1  質量流量控制器的工作原理
    5.5.2  轉換因子的定義與計算
    5.5.3  高分子氣體的處理
  5.6  配管接頭類
    5.6.1  Swagelok接頭
    5.6.2  VCR接頭
    5.6.3  VCO接頭
  5.7  過濾器
  5.8  貫通接頭
第6章  尋找泄漏源頭
  6.1  泄漏檢測
  6.2  氦氣泄漏檢測儀的原理與使用方法
    6.2.1  氦氣泄漏檢測儀
    6.2.2  泄漏檢測的技巧
  6.3  其他泄漏檢查方法
第7章  真空設備使用時的注意事項
第8章  熱處理設備和工藝
  8.1  熱氧化膜生長
    8.1.1  氧化膜的生長
    8.1.2  熱氧化膜的特徵
  8.2  退火與雜質激活
    8.2.1  事例說明

    8.2.2  主要目的
    8.2.3  金屬污染
  8.3  低溫化的問題
第9章  等離子體設備與工藝
  9.1  等離子體放電
    9.1.1  放電現象的利用
    9.1.2  輝光放電
  9.2  等離子體裝置的分類
  9.3  ECR
  9.4  鞘層
第10章  PVD設備與工藝
  10.1  PVD設備的工作原理
  10.2  簇集工具
  10.3  PVD工藝
  10.4  PVD薄膜的構造
  10.5  薄膜的評價
    10.5.1  階梯覆蓋性
    10.5.2  高溫鋁技術
    10.5.3  配線的可靠性
第11章  CVD設備與工藝
  11.1  CVD概述
  11.2  PECVD
  11.3  薄膜的評價
  11.4  HDP CVD
第12章  刻蝕設備與工藝
  12.1  刻蝕設備的作用
  12.2  刻蝕氣體
  12.3  刻蝕作用的種類
  12.4  形貌控制
  12.5  問題點
第13章  離子注入設備與工藝
  13.1  離子注入設備的作用
  13.2  離子的選擇
  13.3  離子的注入
  13.4  熱工程
  13.5  離子注入設備的種類
  13.6  問題點
第14章  工藝管理和檢查測量設備
  14.1  粒子原位監控器
  14.2  RGA

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