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納米級CMOS VLSI電路(可製造性設計)/集成電路大師級系列

  • 作者：(美)桑迪普·昆杜//阿斯溫·斯雷德哈|責編:劉松林|譯者:潘彪//康旺//蔣林君
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111782704
  • 出版日期：2025/06/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：216
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    本書是可製造性設計的詳細指南，提供了經過驗證的、優化電路設計的方法，以提高產品的良率、可靠性和可製造性，並減少缺陷和故障。本書首先介紹了CMOS VLSI設計的趨勢，並簡要介紹了可製造性設計和可靠性設計的基本概念；其次介紹了半導體製造的各種工藝步驟，並探討了工藝與器件偏差以及解析度增強技術；然後深入研究了半導體製造過程中的各種製造缺陷及其對電路的影響，並討論了可靠性問題的物理機制及其影響；最後探討了在電路實現過程中不同階段採用DFM和DFR方法所帶來的變化。本書不僅適合從事半導體設計的工程師和研究人員閱讀，還可以作為相關專業本科生和研究生的參考教材。
作者介紹
(美)桑迪普·昆杜//阿斯溫·斯雷德哈|責編:劉松林|譯者:潘彪//康旺//蔣林君
目錄
譯者序
前言
第1章  緒論
  1.1  技術趨勢：摩爾定律的擴展
    1.1.1  器件改進
    1.1.2  材料科學的貢獻
    1.1.3  深亞波長光刻技術
  1.2  可製造性設計
    1.2.1  DFM的價值和經濟性
    1.2.2  製造偏差
    1.2.3  基於模型的DFM方法的必要性
  1.3  可靠性設計
  1.4  本章小結
  參考文獻
第2章  半導體製造技術
  2.1  引言
  2.2  圖形化工藝
    2.2.1  光刻技術
    2.2.2  刻蝕技術
  2.3  光學圖案形成
    2.3.1  照明
    2.3.2  衍射
    2.3.3  成像透鏡
    2.3.4  曝光系統
    2.3.5  空間像與還原成像
    2.3.6  光刻膠圖形形成
    2.3.7  部分相干性
  2.4  光刻建模
    2.4.1  現象學建模
    2.4.2  全物理光刻膠建模
  2.5  本章小結
  參考文獻
第3章  CMOS工藝與器件偏差：分析與建模
  3.1  引言
  3.2  柵極長度偏差
    3.2.1  光刻引起的圖案偏差
    3.2.2  線邊緣粗糙度：理論與表徵
  3.3  柵極寬度偏差
  3.4  原子波動
  3.5  金屬和介質的厚度偏差
  3.6  應力引起的偏差
  3.7  本章小結
  參考文獻
第4章  可製造性設計理念
  4.1  引言
  4.2  光刻工藝窗口控制
  4.3  解析度增強技術
    4.3.1  光學鄰近效應修正
    4.3.2  亞解析度輔助圖形
    4.3.3  相移掩膜

    4.3.4  離軸照明
  4.4  基於DFM的物理設計
    4.4.1  幾何設計規則
    4.4.2  限制性設計規則
    4.4.3  基於模型的規則檢查和適印性驗證
    4.4.4  可製造性感知的標準單元設計
    4.4.5  緩解天線效應
    4.4.6  基於DFM的布局和布線
  4.5  先進光刻技術
    4.5.1  雙重圖形技術
    4.5.2  反演光刻技術
    4.5.3  其他先進技術
  4.6  本章小結
  參考文獻
第5章  產業界的計量方法、缺陷及彌補
  5.1  引言
  5.2  工藝缺陷
    5.2.1  誤差來源分類
    5.2.2  缺陷相互作用和電效應
    5.2.3  顆粒缺陷的模型化
    5.2.4  改善關鍵區域的版圖方法
  5.3  圖形缺陷
    5.3.1  圖形缺陷類型
    5.3.2  圖形密度問題
    5.3.3  圖形缺陷建模的統計方法
    5.3.4  減少圖形缺陷的版圖方法
  5.4  計量
    5.4.1  測量中的精度和允許偏差
    5.4.2  CD計量
    5.4.3  套刻對準計量
    5.4.4  其他在線計量
    5.4.5  原位計量
  5.5  失效分析技術
    5.5.1  無損檢測技術
    5.5.2  有損檢測技術
  5.6  本章小結
  參考文獻
第6章  缺陷建模與提高良率技術
  6.1  引言
  6.2  缺陷對電路行為影響的建模
    6.2.1  缺陷-故障關係
    6.2.2  缺陷-故障模型的作用
    6.2.3  測試流程
  6.3  提高良率
    6.3.1  容錯
    6.3.2  避錯
  6.4  本章小結
  參考文獻
第7章  物理設計和可靠性
  7.1  引言

  7.2  電遷移
  7.3  熱載流子效應
    7.3.1  熱載流子注入機制
    7.3.2  器件損壞特性
    7.3.3  時間依賴性介電擊穿
    7.3.4  緩解由HCI引起的退化
  7.4  負偏置溫度不穩定性
    7.4.1  反應-擴散模型
    7.4.2  靜態和動態NBTI
    7.4.3  設計技術
  7.5  靜電放電
  7.6  軟錯誤
    7.6.1  軟錯誤的類型
    7.6.2  軟錯誤率
    7.6.3  可靠性的SER緩解和糾正
  7.7  可靠性篩選和測試
  7.8  本章小結
  參考文獻
第8章  可製造性設計：工具和方法論
  8.1  引言
  8.2  集成電路設計流程中的DFx
    8.2.1  標準單元設計
    8.2.2  庫表徵
    8.2.3  布局、布線和冗余填充
    8.2.4  驗證、掩膜合成和檢驗
    8.2.5  工藝與器件模擬
  8.3  電氣DFM
  8.4  統計設計與投資回報率
  8.5  優化工具的DFM
  8.6  DFM感知的可靠性分析
  8.7  面向未來技術節點的DFx
  8.8  本章小結
  參考文獻

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