芯製造--集成電路製造技術鏈/集成電路科學與工程前沿
內容大鋼
本書立足集成電路製造業，以全方位視角，按產業鏈上游、中游、下游逐級剖析，採用分形理論框架，系統地繪製出集成電路製造業的立體知識樹。在內容組織方面，本書以實際應用為導向，涵蓋集成電路設計、生產製造及封裝測試三大關鍵環節，聚焦晶元的尖端製造技術和先進封裝技術，以分形邏輯詳細介紹產業鏈的每一個環節。
本書共12章。第1章為緒論，簡要介紹集成電路製造技術的發展歷程，集成電路製造業的概況、產業鏈結構與特點，以及發展趨勢。第2章?第10章深入探討先進位造的工藝與設備，首先具體介紹晶元製造的單項工藝、關鍵材料、系統工藝，以及晶元設計與工藝的協同優化，隨後詳細介紹光刻機、沉積與刻蝕設備、化學機械拋光，以及其他關鍵工藝設備與工藝量檢測設備。第11章、第12章分別介紹晶元封裝與測試，以及先進封裝與集成晶元製造技術。
本書可供集成電路、微電子、電子科學與技術等相關專業的研究生和高年級本科生學習，也可供相關專業高校教師和集成電路行業的研究人員、工程師等閱讀。
作者介紹
編者:趙巍勝//王新河//林曉陽|責編:賀瑞君
趙巍勝，長期從事大規模集成電路、新型非易失性存儲晶元及自旋電子學等交叉方向研究，現擔任中國科學技術協會第十屆全國委員會常務委員會委員、第八屆教育部科學技術委員會委員、北京航空航天大學研究生院常務副院長、工業和信息化部空天信自旋電子技術重點實驗室主任、集成電路領域國際旗艦期刊IEEE Transac-tions on Circuits and Systems-I: Regular Paper總主編。2019年當選IEEE Fellow；2020年獲聘教育部長江學者，入選愛思唯爾「中國高被引學者」；2021年獲科學探索獎，中國電子學會科學技術獎自然科學一等獎。
2007年獲法國南巴黎大學（現巴黎薩克雷大學）物理學博士學位，2009年任法國國家科學院研究員（終身職位），2013年入職北京航空航天大學后取得了一系列國際領先的科研成果，如首次展示了將自旋軌道矩與自旋轉移矩結合實現高速讀寫的自旋電子存儲器件（Nature Electronics,2018）,研製了超高隧穿磁阻器件（Nature Commu-nications,2018）、基於自旋軌道矩翻轉界面偏置的自旋電子器件（Nature Electronics,2020）等。近五年發表ESI高被引論文7篇，總索引超過13000次，H因子62；獲授權專利75項，轉讓專利22項，曾擔任2020年第30屆ACM GLSVLSI大會主席等學術會議職務。
目錄
第1章 緒論
本章重點
1.1 集成電路製造技術發展歷程
1.2 現代集成電路製造業概況
1.3 集成電路製造業產業鏈結構與特點
1.4 集成電路製造業發展趨勢
第2章 晶元製造的單項工藝
本章重點
2.1 熱氧化工藝
2.1.1 熱氧化機理與工藝
2.1.2 熱氧化工藝中SiO2的性質及用途
2.1.3 氧化層的質量檢測
2.2 圖形化工藝
2.2.1 光刻原理與工藝
2.2.2 刻蝕原理及工藝
2.2.3 圖形化工藝流程
2.2.4 多重圖形技術
2.2.5 新型圖形化技術：納米壓印光刻
2.3 摻雜工藝
2.3.1 摻雜原理
2.3.2 熱擴散摻雜
2.3.3 離子注入摻雜
2.4 薄膜沉積工藝
2.4.1 CVD
2.4.2 PVD
2.4.3 ALD
2.4.4 其他薄膜沉積技術
2.4.5 晶元製造中的薄膜
2.5 互連工藝
2.5.1 互連工藝概述
2.5.2 鋁互連工藝
2.5.3 銅互連工藝
2.6 輔助性工藝
2.6.1 清洗工藝
2.6.2 CMP
2.6.3 晶圓檢測技術
2.7 本章小結
思考題
參考文獻
第3章 晶元製造的關鍵材料
本章重點
3.1 硅晶圓材料
3.1.1 半導體材料的發展
3.1.2 硅襯底材料
3.1.3 硅晶圓材料與製備工藝
3.1.4 硅晶圓材料市場發展現狀
3.2 寬禁帶半導體材料
3.2.1 SiC材料及製造工藝
3.2.2 GaN材料及製造工藝
3.2.3 寬禁帶半導體材料的應用成果
3.2.4 寬禁帶半導體材料的發展趨勢及關鍵問題
3.3 工藝耗材
3.3.1 電子特氣
3.3.2 靶材
3.3.3 光刻膠
3.3.4 掩模版
3.3.5 顯影液
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