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晶圓級應變SOI技術

  • 作者：戴顯英//苗東銘//荊熠博|責編:劉玉芳
  • 出版社：西安電子科大
  • ISBN：9787560674063
  • 出版日期：2024/11/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：150
人民幣：RMB 37 元      售價：元
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內容大鋼
    進入21世紀以來，應變硅和SOI(Silicon-On-Insulator，絕緣體上硅)被公認為是深亞微米和納米工藝製程維持摩爾定律(Moore's Law)和后摩爾定律的兩大關鍵技術，也被稱為21世紀的硅集成電路技術。
    本書共分7章，主要介紹SOI晶圓製備技術、SOI晶圓材料力學特性與結構特性、機械致晶圓級單軸應變SOI技術、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI技術及其相關效應、高應力氮化硅薄膜致晶圓級應變SOI晶圓製備、晶圓級應變SOI應變模型、晶圓級應變SOI應力分佈的有限元計算。
    本書主要面向硅基應變半導體理論與技術領域的研究者，同時也可作為本科微電子科學與工程專業和研究生微電子學與固體電子學專業相關課程的教學參考書。
作者介紹
戴顯英//苗東銘//荊熠博|責編:劉玉芳
    戴顯英，工學博士、教授、博士生導師，西安電子科技大學集成電路學部微電子學院教學指導委員會委員、微電子科學與工程專業負責人與專業課程思政首席教授、工程概論首席教授、集成電路製造工藝課程組負責人。     主要從事硅基半導體應變理論與技術、半導體生長動力學、半導體光電生物感測器等的科研與教學，主持國家自然科學基金、國防973等科研項目20多項，發表SCI論文100余篇，獲授權發明專利30余項，獲教育部科技進步獎二等獎、陝西省科學技術進步獎三等獎、全國高校混合式教學設計創新大賽二等獎和設計之星等獎勵。
目錄
第1章  SOI晶圓製備技術
  1.1  注氧隔離技術
    1.1.1  氧離子注入劑量
    1.1.2  注入溫度
    1.1.3  高溫退火
  1.2  硅晶圓直接鍵合技術
    1.2.1  技術原理
    1.2.2  工藝流程
    1.2.3  硅晶圓直接鍵合類型
    1.2.4  硅晶圓直接鍵合工藝
  1.3  智能剝離技術
    1.3.1  技術原理
    1.3.2  技術優點
    1.3.3  工藝流程
    1.3.4  低溫鍵合工藝關鍵
    1.3.5  氫離子注入
    1.3.6  退火剝離
  本章小結
第2章  SOI晶圓材料力學特性與結構特性
  2.1  SOI材料力學特性
    2.1.1  Si材料力學特性
    2.1.2  SiO2材料力學特性
    2.1.3  SOI晶圓的屈服特性
  2.2  SOI晶圓力學特性的納米壓痕實驗
    2.2.1  納米壓痕實驗原理與設備
    2.2.2  Si晶圓納米壓痕實驗
    2.2.3  SiO2薄膜納米壓痕實驗
    2.2.4  SOI晶圓納米壓痕實驗
    2.2.5  Si薄膜與SiO2薄膜屈服強度實驗
  2.3  SOI晶圓結構特性
    2.3.1  Si／SiO2界面結構特性
    2.3.2  SOI晶圓的柔順滑移特性
  本章小結
第3章  機械致晶圓級單軸應變SOI技術
  3.1  應變引入機理
  3.2  應變機理
    3.2.1  機械彎曲應變產生機理
    3.2.2  SiO2塑性形變應變保持機理
  3.3  工藝實驗設計
    3.3.1  機械彎曲台的設計與製作
    3.3.2  退火工藝設計
  3.4  工藝實驗研究
    3.4.1  工藝實驗
    3.4.2  性能表徵
  本章小結
第4章  高應力SiN薄膜致晶圓級應變SOI技術
  4.1  SiN薄膜致應變SOI晶圓製作原理
  4.2  SOI晶圓應變機理
    4.2.1  應變引入機理
    4.2.2  應變增強機理

    4.2.3  應變保持機理
  4.3  應變sOI相關效應
    4.3.1  頂層Si非晶化重結晶的應力記憶效應
    4.3.2  單軸應變引人-高應力SiN薄膜應力尺度效應
  4.4  應變機理與相關效應的驗證實驗
    4.4.1  應變引入機理驗證實驗
    4.4.2  應變保持機理驗證實驗
    4.4.3  應變增強機理驗證實驗
    4.4.4  頂層Si非晶化重結晶應力記憶效應驗證實驗
  本章小結
第5章  高應力SiN薄膜致晶圓級應變SOI晶圓製備
  5.1  SiN薄膜的應力特性
    5.1.1  SiN薄膜的結構特性
    5.1.2  SiN薄膜的應力特性
    5.1.3  高應力SiN薄膜製備
  5.2  應變SOI晶圓製備實驗
    5.2.1  非晶化再結晶的應力記憶方法實驗
    5.2.2  基於柔順滑移特性的應力引入機理實驗
  5.3  單軸應變SOI晶圓製備實驗
    5.3.1  應變SOI製備實驗
    5.3.2  材料表徵
  本章小結
第6章  晶圓級應變SOI應變模型
  6.1  機械致單軸應變SOI晶圓應變模型
    6.1.1  模型結構與參數設定
    6.1.2  張應變SOI應變模型
    6.1.3  壓應變SOI應變模型
    6.1.4  模型驗證
  6.2  高應力SiN致應變SOI晶圓應力模型
    6.2.1  應變SOI晶圓彎曲應變模型
    6.2.2  應變SOI晶圓平面拉伸／壓縮應變模型
    6.2.3  應變模型分析
  本章小結
第7章  晶圓級應變SOI應力分佈的有限元計算
  7.1  機械致晶圓級單軸應變SOI應力分佈計算
    7.1.1  材料屬性定義
    7.1.2  有限元模型
    7.1.3  單軸張應變SOI晶圓應力分佈
    7.1.4  單軸壓應變SOI晶圓應力分佈
    7.1.5  單軸應變SOI應力模擬結果
    7.1.6  ANSYS結果與光纖光柵測試結果對比
  7.2  高應力SiN薄膜致應變SOI晶圓拉伸應力分佈計算
    7.2.1  有限元分析模型建立
    7.2.2  模擬計算與結果分析
  本章小結

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