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圖解入門(半導體工程學精講)/集成電路科學與技術叢書

  • 作者：(日)原明人|責編:楊源|譯者:李哲洋//於樂//魏曉光//母春航
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111767398
  • 出版日期：2025/01/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：308
人民幣：RMB 109 元      售價：元
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內容大鋼
    本書首先深入探討了量子力學基礎及其在物質、能帶理論、半導體和集成電路等領域的應用。從電子的波動性質、不確定性原理到量子隧穿效應，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導體能帶結構的解析，闡明了半導體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導體、晶格振動以及載流子輸運現象等關鍵概念。最後，探討了MOS結構、場效應晶體管以及集成電路的工作原理。本書內容豐富，結構清晰，能夠幫助讀者深入理解量子力學在半導體技術中的重要作用。
    本書適合有一定物理基礎的學生和從事半導體相關工作的人員閱讀。
作者介紹
(日)原明人|責編:楊源|譯者:李哲洋//於樂//魏曉光//母春航
    原明人，博士（理學），1983年畢業於東京理科大學理學部第1部應用物理學科，1985年在日本東北大學理學研究科物理專業修完了博士課程前期，1985年在私營企業從事半導體晶體工程和半導體器件的研究與開發工作，1996年取得日本東北大學理學研究科（論文）博士學位，2008年任教於東北學院大學工學部電子工學科（教授），現任教於東北學院大學工學部電氣電子工學科（教授）。     著作（均為共同撰寫）     《超LSI技術17：器件與工藝第7篇》（半導體研究第38卷：工業調查會，西澤潤一編，1993年），第9章CZ-Si晶體中輕元素雜質的行為；     《超LSI技術20：器件與工藝第10篇》（半導體研究第42卷：工業調查會，西澤潤一編，1996年），第9章硅中的重金屬捕捉等共8本。
目錄
前言
第1章  量子力學基礎
  1-1  波的表示方式
  1-2  相速度與群速度
  1-3  電子的物質波性質
  1-4  不確定性原理
  1-5  薛定諤方程式與波函數
  1-6  一維方勢阱
  1-7  自旋與泡利不相容原理
  1-8  三維方勢阱
  1-9  量子隧穿效應
  1-10  定態微擾理論
  1-11  含時微擾理論
  章末問題
第2章  從氫原子到物質
  2-1  氫原子
  2-2  氫分子
  2-3  由s軌道或p軌道組成的物質
  章末問題
第3章  能帶理論
  3-1  晶體的周期性和晶體結構
  3-2  金屬自由電子理論
  3-3  布洛赫定理
  3-4  一維空格子的電子結構
  3-5  一維晶格的帶隙
  3-6  二維和三維晶格的帶隙
  3-7  一維強關聯近似
  3-8  二維強關聯近似
  章末問題
第4章  半導體的能帶結構
  4-1  強關聯近似下的能帶結構
  4-2  k·p微擾（1）：帶邊的詳細結構
  4-3  k·p微擾（2）：基於面心立方結構空格子的計算
  4-4  有效質量與運動方程
  4-5  空穴
  4-6  本征半導體載流子濃度與溫度的關係
  章末問題
第5章  摻雜半導體
  5-1  施主與受主
  5-2  淺能級雜質中心的有效質量近似
  5-3  被施主雜質束縛的電子的空間分佈
  5-4  摻雜半導體中載流子濃度與溫度的關係
  章末問題
第6章  晶格振動
  6-1  什麼是晶格振動
  6-2  一維單原子晶格
  6-3  一維雙原子晶格
  6-4  三維晶格振動
  6-5  聲子
  6-6  晶格比熱

  章末問題
第7章  載流子輸運現象
  7-1  歐姆定律
  7-2  霍爾效應
  7-3  遷移率的溫度相關性
  7-4  玻爾茲曼方程
  7-5  散射過程的計算
  7-6  弛豫時間的計算
  章末問題
第8章  半導體的光學性質
  8-1  物質中的電磁波
  8-2  帶間躍遷
  8-3  受施主束縛電子的光激發
第9章  pn結
  9-1  pn結的形成方法
  9-2  擴散電流
  9-3  pn結附近發生的現象
  9-4  熱平衡狀態下的pn結能帶圖
  9-5  連續性方程
  9-6  正向電流
  9-7  反向電流
  9-8  結電容
  9-9  pn結中的隧穿效應
  章末問題
第10章  MOS結構
  10-1  MOS結構概述
  10-2  積累層、耗盡層和反型層中的電場分佈及勢能分佈
  10-3  Si表面的電子
  10-4  理想MOS的電容
  10-5  非理想MOS的情況
  章末問題
第11章  MOS場效應晶體管
  11-1  MOS場效應晶體管的結構
  11-2  MOS場效應晶體管的工作原理（1）：線性區
  11-3  MOS場效應晶體管的工作原理（2）：一般情況下的電流-電壓特性
  11-4  MOS場效應晶體管的工作原理（3）：飽和區
  11-5  遷移率
  11-6  閾值電壓
  11-7  亞閾值斜率
  11-8  襯底偏壓效應
  章末問題
第12章  集成電路
  12-1  CMOS反相器的結構
  12-2  CMOS反相器中p溝道型MOSFET的工作原理
  12-3  CMOS反相器中p溝道型MOSFET工作原理的
  公式推導
  12-4  CMOS反相器工作原理的公式推導
  12-5  CMOS反相器的開關特性
  12-6  等比例縮小
  章末問題

第14章  界面的量子化
  13-1  Si-MOS反型層電子的量子化
  13-2  准二維電子系統的電子狀態
  13-3  Si-MOS反型層的電子狀態
  13-4  磁場下的二維電子系統和邊緣態
  13-5  異質結
  章末問題
章末問題的答案

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