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先進電子封裝技術(精)

  • 作者：杜經寧//陳智//陳宏明|責編:毛振威|譯者:王小京//蔡珊珊//郭敬東//丁梓峰
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122458827
  • 出版日期：2024/10/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：224
人民幣：RMB 139 元      售價：元
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內容大鋼
    本書系統而全面地總結了現代電子封裝科學的基礎知識以及先進技術。第1部分概述了電子封裝技術，其中包括了最重要的封裝技術基礎，如引線鍵合、載帶自動鍵合、倒裝晶元焊點鍵合、微凸塊鍵合和Cu-Cu直接鍵合。第2部分介紹電子封裝的電路設計，重點是關於低功耗設備和高智能集成的設計，如2.5D/3D集成。第3部分介紹電子封裝的可靠性，涵蓋電遷移、熱遷移、應力遷移和失效分析等。最後還探討了人工智慧（AI）在封裝可靠性領域的應用。各章中包含大量來自工業界的實際案例，能夠加強讀者對相關概念的理解，以便在實際工作中應用。
    本書可供半導體封裝、測試、可靠性等領域的工程技術人員、研究人員參考，也可作為微電子、材料、物理、電氣等專業的高年級本科生和研究生的專業教材。
作者介紹
杜經寧//陳智//陳宏明|責編:毛振威|譯者:王小京//蔡珊珊//郭敬東//丁梓峰
目錄
  第1章  概論
    1.1  引言
    1.2  摩爾定律對硅技術的影響
    1.3  5G技術和AI應用
    1.4  三維集成電路封裝技術
    1.5  可靠性科學與工程
    1.6  電子封裝技術的未來
    1.7  全書概要
    參考文獻
第1部分
  第2章  電子封裝中的Cu-Cu鍵合與互連技術
    2.1  引言
    2.2  引線鍵合
    2.3  載帶自動鍵合
    2.4  倒裝晶元焊點鍵合
    2.5  微凸塊鍵合
    2.6  銅-銅直接鍵合
      2.6.1  銅-銅鍵合的關鍵因素
      2.6.2  銅-銅鍵合機理分析
      2.6.3  銅-銅鍵合界面的微觀結構
    2.7  混合鍵合
    2.8  可靠性——電遷移和溫度循環測試
    問題
    參考文獻
  第3章  隨機取向和（111）取向的納米孿晶銅
    3.1  引言
    3.2  納米孿晶銅的形成機理
    3.3  納米孿晶沉積過程中應力演化的原位測量
    3.4  隨機取向納米孿晶銅的電沉積
    3.5  單向（111）取向納米孿晶銅的形成
    3.6  ?111?取向納米孿晶銅中的晶粒生長
    3.7  （111）取向納米孿晶銅上微凸塊中η-Cu6Sn5的單向生長
    3.8  使用?111?取向納米孿晶銅的低熱預算Cu-Cu鍵合
    3.9  用於扇出封裝和3D IC集成的納米孿晶銅重布線層
    問題
    參考文獻
  第4章  銅和焊料間的固-液界面擴散（SLID）反應
    4.1  引言
    4.2  SLID中扇貝狀IMC生長動力學
    4.3  單尺寸半球生長簡單模型
    4.4  通量驅動的熟化理論
    4.5  兩個扇貝間的納米通道寬度測量
    4.6  扇貝狀Cu6Sn5在SLID中的極速晶粒生長
    問題
    參考文獻
  第5章  銅與焊料之間的固態反應
    5.1  引言
    5.2  固態相變中IMC的層狀生長
    5.3  瓦格納擴散係數
    5.4  Cu3Sn中柯肯達爾空洞的形成

    5.5  微凸塊中形成多孔Cu3Sn的側壁效應
    5.6  表面擴散對柱狀微凸塊中IMC形成的影響
    問題
    參考文獻
第2部分
  第6章  集成電路與封裝設計的本質
    6.1  引言
    6.2  晶體管和互連縮放
    6.3  電路設計和LSI
    6.4  片上系統（SoC）和多核架構
    6.5  系統級封裝（SiP）和封裝技術演進
    6.6  3D IC集成與3D硅集成
    6.7  異構集成簡介
    問題
    參考文獻
  第7章  性能、功耗、熱管理和可靠性
    7.1  引言
    7.2  場效應晶體管和存儲器基礎知識
    7.3  性能：早期IC設計中的競爭
    7.4  低功耗趨勢
    7.5  性能和功耗的權衡
    7.6  電源傳輸網路和時鐘分配網路
    7.7  低功耗設計架構
    7.8  IC和封裝中的熱問題
    7.9  信號完整性和電源完整性（SI/PI）
    7.10  穩定性：可靠性和可變性
    問題
    參考文獻
  第8章  2.5D/3D系統級封裝集成
    8.1  引言
    8.2  2.5D IC：重布線層和TSV-轉接板
    8.3  2.5D IC：硅、玻璃和有機基板
    8.4  2.5D IC：在硅轉接板互連HBM
    8.5  3D IC：高性能計算面臨的內存帶寬挑戰
    8.6  3D IC：電氣TSV與熱TSV
    8.7  3D IC：3D堆疊內存和集成內存控制器
    8.8  現代晶元/小晶元的創新封裝
    8.9  3D IC集成的電源分配
    8.10  挑戰與趨勢
    問題
    參考文獻
第3部分
  第9章  電子封裝技術中的不可逆過程
    9.1  引言
    9.2  開放系統中的流動
    9.3  熵增
      9.3.1  電傳導
      9.3.2  原子擴散
      9.3.3  熱傳導
      9.3.4  溫度變化時的共軛力

    9.4  不可逆過程中的交互效應
    9.5  原子擴散與導電之間的交互效應
    9.6  熱遷移中的不可逆過程
    9.7  熱傳導與電傳導之間的交互效應
      9.7.1  塞貝克效應
      9.7.2  珀耳帖效應
    問題
    參考文獻
  第10章  電遷移
    10.1  引言
    10.2  原子擴散與導電的參數比較
    10.3  電遷移基礎
      10.3.1  電子風力
      10.3.2  有效電荷數計算
      10.3.3  原子通量發散誘發的電遷移損傷
      10.3.4  電遷移中的背應力
    10.4  三維電路中的電流擁擠與電遷移
      10.4.1  低電流密度區域的空洞形成
      10.4.2  電遷移中的電流密度梯度力
      10.4.3  倒裝晶元焊點中電流擁擠誘導的薄餅狀空洞形成
    10.5  焦耳熱與熱耗散
      10.5.1  焦耳熱與電遷移
      10.5.2  焦耳熱對電遷移中平均失效時間的影響
    問題
    參考文獻
  第11章  熱遷移
    11.1  引言
    11.2  熱遷移的驅動力
    11.3  傳輸熱分析
    11.4  相鄰通電和未通電焊點間由於熱傳輸引起的熱遷移
    問題
    參考文獻
  第12章  應力遷移
    12.1  引言
    12.2  應力作用下固體中的化學勢
    12.3  薄膜中雙軸應力的Stoney方程
    12.4  擴散蠕變
    12.5  室溫下錫晶須的自發生長
      12.5.1  晶須的形態學
      12.5.2  錫晶鬚生長驅動力的測量
      12.5.3  錫晶須的生長動力學
      12.5.4  焊點中電遷移引起的錫晶鬚生長
    12.6  電遷移、熱遷移和應力遷移中驅動力的比較
    問題
    參考文獻
  第13章  失效分析
    13.1  引言
    13.2  晶格移位與否導致的微觀結構變化
    13.3  失效統計分析
      13.3.1  用於電遷移MTTF的Black方程

      13.3.2  威布爾分佈函數和JMA相變理論
    13.4  電遷移、熱遷移和應力遷移MTTF的統一模型
      13.4.1  重新審視電遷移MTTF的Black方程
      13.4.2  熱遷移MTTF
      13.4.3  應力遷移MTTF
      13.4.4  電遷移、熱遷移與應力遷移MTTF之間的聯繫
      13.4.5  開放系統中其他不可逆過程的MTTF方程
    13.5  移動技術中的失效分析
      13.5.1  2.5D IC技術中薄弱環節的焦耳熱增強電遷移失效
      13.5.2  2.5D IC技術中熱串擾導致焦耳熱引起的熱遷移失效
    問題
    參考文獻
  第14章  電子封裝可靠性中的人工智慧
    14.1  引言
    14.2  事件的時間無關性轉化
    14.3  從平均微觀結構變化到失效推導MTTF
    14.4  小結

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