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現代電子材料與元器件(普通高等教育電子科學與技術特色專業系列教材)

  • 作者：編者:王巍//馮世娟//羅元|責編:潘斯斯//匡敏
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030330208
  • 出版日期：2012/03/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：323
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    本書較為系統地介紹了主要的電子信息功能材料的結構和組成、電子元器件的工作原理，以及這些器件在電子信息系統中的應用。全書共10章，分別是：緒論；晶體材料的結構；半導體材料與應用；化合物半導體基礎；化合物半導體器件；光電子材料與器件；電介質材料；磁電子學材料與器件；電子陶瓷材料；納米技術與納米電子學。書中主要介紹電子元件常用材料的基礎理論、基本參數與性能特點，器件的工作原理、基本組成、製作及應用情況。
    本書可作為高等工科院校微電子學、電子科學與技術、電子信息科學與技術、光信息科學與技術專業的本科生教材，也可作為自動控制類、電腦類、通信類及相關材料類專業高年級本科生和研究生的教材及教學參考書，還可供從事電子材料與元件的生產、科研及產品研發的專業技術人員參考。
作者介紹
編者:王巍//馮世娟//羅元|責編:潘斯斯//匡敏
目錄
叢書序
前言
第1章  緒論
  1.1  電子材料的發展歷史
  1.2  電子材料的重要作用
  1.3  電子材料與器件的研究現狀
    1.3.1  硅基半導體材料
    1.3.2  化合物半導體材料
    1.3.3  半導體自旋電子學材料和器件
    1.3.4  磁性納米材料的應用
    1.3.5  有機光電子材料
  1.4  電子材料的發展前景
第2章  晶體材料的結構
  2.1  晶體的主要特徵
    2.1.1  晶體的點陣結構
    2.1.2  晶面和密勒指數
    2.1.3  晶體的宏觀對稱性
    2.1.4  晶體的微觀對稱性
  2.2  典型晶體的結構
    2.2.1  密堆積與配位數
    2.2.2  典型單質共價鍵晶體的結構
    2.2.3  典型離子化合物晶體結構
  2.3  原子間的結合方式
    2.3.1  吸引力和排斥力
    2.3.2  離子鍵
    2.3.3  共價鍵
    2.3.4  金屬鍵
    2.3.5  范德瓦耳斯力
  2.4  品體中的缺陷
    2.4.1  晶體中的微觀缺陷
    2.4.2  晶體中的宏觀缺陷
  習題
第3章  半導體材料與應用
  3.1  半導體材料的物理基礎
    3.1.1  本征半導體
    3.1.2  半導體中的雜質
    3.1.3  費米能級和載流子密度
    3.1.4  電導與霍爾效應
    3.1.5  非平衡載流子
  3.2  半導體材料的性質
    3.2.1  光吸收與光電導
    3.2.2  電容效應與擊穿特性
    3.2.3  壓阻效應與磁阻效應
    3.2.4  電阻率的溫度特性
  3.3  半導體材料的分類
    3.3.1  元素半導體材料
    3.3.2  化合物半導體材料
    3.3.3  非晶態半導體
  3.4  半導體材料的製備工藝方法
    3.4.1  多晶製備工藝

    3.4.2  單晶製備工藝
    3.4.3  外延生長技術
  3.5  半導體材料的應用
  習題
第4章  化合物半導體基礎
  4.1  化合物半導體的龍帶結構
    4.1.1  化合物半導體的周期性結構
    4.1.2  半導體的能帶理論
    4.1.3  半導體的有效質量
    4.1.4  GaAs的能帶結構
  4.2  載流子的輸運過程
    4.2.1  波爾茲曼輸運方程
    4.2.2  散射機制
    4.2.3  速度過沖
    4.2.4  載流子的彈道輸運過程
  4.3  二維電子氣
    4.3.1  二維電子氣
    4.3.2  二維電子氣的能量狀態
    4.3.3  二維電子氣的光學特性
  4.4  半導體異質結
    4.4.1  異質結的能帶突變
    4.4.2  熱平衡時理想異質結的能帶圖
    4.4.3  界面態對異質結能帶的影響
    4.4.4  異質結的伏安特性
  4.5  半導體超品格
    4.5.1  半導體超晶格的能帶結構
    4.5.2  組分半導體超晶格
    4.5.3  摻雜超晶格
    4.5.4  應變超晶格
    4.5.5  非晶態超晶格
  習題
第5章  化合物半導體器件
  5.1  化合物半導體的物理性質
    5.1.1  化合物半導體
    5.1.2  化合物半導體的晶體結構
    5.1.3  晶格常數
    5.1.4  光學性質
    5.1.5  電學特性
  5.2  金屬半導體場效應晶體管器件
    5.2.1  GaAs MESFET的基本結構
    5.2.2  GaAs MESFET的直流特性
    5.2.3  GaAs MESFET的微波特性
  5.3  異質結雙極型晶體管
    5.3.1  HBT器件的基本結構
    5.3.2  HBT器件的直流特性
    5.3.3  HBT器件的高頻特性
  5.4  高電子遷移率晶體管
    5.4.1  HEMT器件的基本結構
    5.4.2  HEMT器件的直流特性
    5.4.3  HEMT器件的射頻特性

    5.4.4  當代HEMT技術
  5.5  半導體光源
    5.5.1  激光二極體（LD）
    5.5.2  發光二極體（LED）
    5.5.3  半導體激光器
  5.6  半導體光電探測器
    5.6.1  光電導探測器的基本特性
    5.6.2  p-i-n二極體
    5.6.3  APD（雪崩擊穿二極體）
    5.6.4  MSM（金屬半導體金屬）探測器
  習題
第6章  光電子材料與器件
  6.1  概述
  6.2  光纖
    6.2.1  光纖的結構
    6.2.2  光纖的種類
    6.2.3  光纖的製備
    6.2.4  光纖的應用
  6.3  激光器及材料
    6.3.1  固體激光器的工作原理
    6.3.2  固體激光器基質材料
    6.3.3  固體激光器的激活離子
    6.3.4  幾種常見的固體激光器
  6.4  液晶顯示材料與器件
    6.4.1  液晶材料的物理性質
    6.4.2  液晶的分類及結構特點
    6.4.3  常用液晶顯示器件
    6.4.4  液晶顯示技術的發展趨勢
  習題
第7章  電介質材料
  7.1  概述
  7.2  電介質在靜電場中的極化
    7.2.1  電介質的極化現象
    7.2.2  電介質的極化機制
  7.3  電介質的動態極化
    7.3.1  電介質的極化過程
    7.3.2  複數介電常量
    7.3.3  介電損耗
    7.3.4  極化弛豫與德拜方程
    7.3.5  複數介電常量與頻率和溫度的關係
    7.3.6  電介質的電導和擊穿
  7.4  晶體的壓電性質
    7.4.1  晶體的壓電性
    7.4.2  晶體的介電性質和彈性
    7.4.3  晶體的機電耦合效應
  7.5  晶體的鐵電性質
    7.5.1  自發極化與熱釋電效應
    7.5.2  鐵電體與電疇
    7.5.3  電滯回線
  7.6  電介質的光學性質

    7.6.1  折射率與雙摺射
    7.6.2  電光效應
    7.6.3  彈光效應
    7.6.4  聲光效應
    7.6.5  熱光效應
  7.7  鈦酸鋇的結構與性質
    7.7.1  鐵電材料的分類
    7.7.2  鈦酸鋇的晶體結構 21?
    7.7.3  鈦酸鋇的鐵電性質
  7.8  電介質材料的典型應用
    7.8.1  壓電器件
    7.8.2  熱釋電紅外探測器
    7.8.3  聲光器件
  習題
第8章  磁電子學材料與器件
  8.1  原子磁矩
    8.1.1  原子磁矩
    8.1.2  多電子原子磁矩
    8.1.3  原子磁矩計算
  8.2  物質的磁化
    8.2.1  磁偶極矩
    8.2.2  磁化強度與磁極化強度
    8.2.3  磁場強度與磁感應強度
    8.2.4  磁導率與磁化率
  8.3  磁性材料的分類
    8.3.1  抗磁性
    8.3.2  順磁性
    8.3.3  反鐵磁性
    8.3.4  鐵磁性
    8.3.5  亞鐵磁性
  8.4  鐵磁交換作用
    8.4.1  交換相互作用
    8.4.2  飽和磁化與居里溫度
  8.5  磁疇
    8.5.1  磁疇與疇壁
    8.5.2  磁疇的形成
    8.5.3  磁化曲線與磁滯回線
    8.5.4  動態磁化
    8.5.5  磁損耗
  8.6  磁性材料的特性
    8.6.1  磁各向異性
    8.6.2  磁致伸縮
    8.6.3  磁光效應
  8.7  磁性材料
    8.7.1  軟磁材料
    8.7.2  硬磁材料
    8.7.3  矩磁材料
    8.7.4  旋磁材料
    8.7.5  非晶磁性材料
    8.7.6  納米晶磁性材料

  8.8  磁性元器件
    8.8.1  磁記錄元件
    8.8.2  磁光存儲
    8.8.3  微波器件
    8.8.4  磁光器件
  習題
第9章  電子陶瓷材料
  9.1  概述
  9.2  陶瓷材料的結構和性質
    9.2.1  陶瓷材料的結構
    9.2.2  陶瓷材料的性質
  9.3  電子陶瓷的製備
  9.4  敏感陶瓷
    9.4.1  熱敏陶瓷
    9.4.2  壓敏陶瓷
    9.4.3  氣敏陶瓷
    9.4.4  濕敏陶瓷
  9.5  介電陶瓷
    9.5.1  壓電陶瓷
    9.5.2  鐵電陶瓷
    9.5.3  熱釋電陶瓷
  9.6  鐵氧體材料
    9.6.1  軟磁鐵氧體
    9.6.2  硬磁鐵氧體
    9.6.3  旋磁鐵氧體
    9.6.4  矩磁鐵氧體
    9.6.5  壓磁鐵氧體
  9.7  超導陶瓷
    9.7.1  超導現象
    9.7.2  超導體的基本性質
    9.7.3  超導陶瓷的分類
    9.7.4  超導陶瓷的應用
  習題
第10章  納米技術與納米電子學
  10.1  概述
    10.1.1  納米技術
    10.1.2  納米材料
  10.2  納米材料的基本效應
    10.2.1  表面效應
    10.2.2  小尺寸效應
    10.2.3  量子尺寸效應
    10.2.4  宏觀量子隧道效應
    10.2.5  庫侖堵塞效應
    10.2.6  介電限域效應
  10.3  納米材料的製備和加工技術
    10.3.1  分子束外延（MBE）
    10.3.2  化學氣相淀積（CVD）
    10.3.3  自組裝合成技術
    10.3.4  SPM加工技術
    10.3.5  光刻技術

  10.4  納米電子學
    10.4.1  從微電子到納電子
    10.4.2  量子電導
    10.4.3  電子的彈道輸運
    10.4.4  量子相干效應
    10.4.5  量子霍爾效應
  10.5  納米電子器件
    10.5.1  共振隧穿器件
    10.5.2  單電子器件
    10.5.3  納米CMOS器件與電路
  10.6  納米技術的發展
  習題
參考文獻

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