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硅集成電路工藝基礎(第2版21世紀微電子學專業規劃教材普通高等教育十五國家級規劃教材)

  • 作者：編者:關旭東|責編:王華
  • 出版社：北京大學
  • ISBN：9787301241097
  • 出版日期：2014/04/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：391
人民幣：RMB 68 元      售價：元
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內容大鋼
    本書系統地講述了硅集成電路製造的基礎工藝，重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十一章，其中第一章簡單地講述了硅的晶體結構和非晶體結構及其特點，第二章到第九章分別講述了硅集成電路製造中的基本單項工藝，包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相淀積、化學氣相淀積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最後兩章分別講述的是工藝集成和薄膜晶體管的制裝工藝。
    本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事集成電路製造的工藝技術人員閱讀。
作者介紹
編者:關旭東|責編:王華
目錄
第一章  硅晶體和非晶體
  1.1  硅的晶體結構
    1.1.l  晶胞
    1.1.2  原子密度
    1.1.3  共價四面體
    1.1.4  晶體內部的空隙
  1.2  晶向、晶面和堆積模型
    1.2.1  晶向
    1.2.2  晶面
    1.2.3  堆積模型
    1.2.4  雙層密排面
  1.3  硅晶體中的缺陷
    1.3.1  點缺陷
    1.3.2  線缺陷
    1.3.3  面缺陷
    1.3.4  體缺陷
  1.4  硅中的雜質
  1.5  雜質在硅晶體中的溶解度
  1.6  非晶硅結構和特性
    1.6.1  非晶硅的結構
    1.6.2  非晶網路模型
    1.6.3  非晶態半導體的製備方法.
    1.6.4  非晶硅半導體中的缺陷
    1.6.5  氫化非晶硅
    1.6.6  非晶硅半導體中的摻雜效應
  參考文獻
第二章  氧化
  2.1  SiO2的結構及性質
    2.1.1  結構
    2.1.2  SiO2的主要性質
  2.2  SiO2的掩蔽作用
    2.2.1  雜質在SiO2中的存在形式
    2.2.2  雜質在SiO2中的擴散係數
    2.2.3  掩蔽層厚度的確定
  2.3  硅的熱氧化生長動力學
    2.3.1  硅的熱氧化
    2.3.2  熱氧化生長動力學
    2.3.3  熱氧化SiO2生長速率
  2.4  決定氧化速率常數和影響氧化速率的各種因素
    2.4.1  決定氧化速率常數的各種因素
    2.4.2  影響氧化速率的其他因素
  2.5  熱氧化過程中的雜質再分佈
    2.5.1  雜質的再分佈
    2.5.2  再分佈對硅表面雜質濃度的影響
  2.6  初始氧化及薄氧化層的製備
    2.6.1  快速初始氧化階段
    2.6.2  薄氧化層的製備
  2.7  Si-SiO2界面特性
    2.7.1  可動離子電荷Qm
    2.7.2  界面陷阱（捕獲）電荷Qit

    2.7.3  SiO2中固定正電荷Qf
    2.7.4  氧化層陷阱電荷Qot
  參考文獻
第三章  擴散
  3.1  雜質擴散機制
    3.1.1  間隙式擴散
    3.1.2  替位式擴散
  3.2  擴散係數與擴散方程
    3.2.1  菲克第一定律
    3.2.2  擴散係數
    3.2.3  菲克第二定律(擴散方程)
  3.3  擴散雜質的分佈
    3.3.1  恆定表面源擴散
    3.3.2  有限表面源擴散
第四章  離子注入
第五章  物理氣相淀積
第六章  化學氣相淀積
第七章  外延
第八章  光刻工藝
第九章  金屬化與多層互聯
第十章  工藝集成
第十一章  薄膜晶體管製造工藝
附錄

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