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Empyrean模擬集成電路設計與工程/集成電路科學與工程前沿

  • 作者：胡遠奇//王昭昊|責編:鄧昱洲
  • 出版社：人民郵電
  • ISBN：9787115636195
  • 出版日期：2024/07/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：228
人民幣：RMB 89.8 元      售價：元
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內容大鋼
    本書著重介紹模擬集成電路的核心特性和設計方法，理論部分簡要介紹模擬集成電路涉及的公式和原理，通過模擬案例為教學打下基礎，確保讀者能夠「知其然，知其所以然」。本書以「先模仿復現、后創新設計」的思路設置了不同難度的模擬練習，並詳細介紹操作流程，使讀者可以自主完成相應的模擬實驗，從而掌握集成電路設計思路，逐步培養全局規劃能力和工程思維方式，為後續深入學習高階模擬集成電路課程奠定堅實的基礎。
    本書適合電子信息和集成電路相關專業本科生和研究生閱讀，也可為模擬集成電路技術發燒友提供有益參考。
作者介紹
胡遠奇//王昭昊|責編:鄧昱洲
目錄
第1章  緒論
  1.1  經典的模擬集成電路
  1.2  模擬集成電路的主要推動力
  1.3  CMOS技術與工藝
  1.4  設計技巧與工程思想
  1.5  電路模擬工具：華大九天Empyrean
第2章  MOSFET物理特性
  2.1  MOSFET的基本伏安特性
    2.1.1  原理簡介
    2.1.2  模擬實驗：MOSFET的伏安特性曲線
    2.1.3  模擬實驗：MOSFET的二級效應
  2.2  MOSFET的小信號模型
    2.2.1  小信號模型的理論依據
    2.2.2  模擬實驗：MOSFET的小信號參數測試
  2.3  MOSFET的幾種常見連接方式
    2.3.1  MOSFET的二極體連接方式
    2.3.2  MOSFET的電流源連接方式
    2.3.3  模擬實驗：二極體連接型MOSFET和電流源連接型MOSFET
  2.4  課後練習
第3章  CMOS單級放大器
  3.1  共源放大器
    3.1.1  以電阻為負載的共源放大器
    3.1.2  推挽放大器
    3.1.3  帶源極負反饋的共源放大器
    3.1.4  模擬實驗：共源放大器
  3.2  源跟隨器
    3.2.1  源跟隨器的基礎理論
    3.2.2  模擬實驗：源跟隨器模擬
  3.3  共柵放大器
    3.3.1  共柵放大器的基礎理論
    3.3.2  模擬實驗：共柵放大器的模擬
  3.4  共源共柵放大器
    3.4.1  共源共柵放大器的基礎理論
    3.4.2  模擬實驗：共源共柵放大器的模擬
  3.5  課後練習
第4章  CMOS差分放大器
  4.1  基本差分對
    4.1.1  基本差分對的直流分析
    4.1.2  模擬實驗：基本差分對的直流特性分析
    4.1.3  半邊電路法
    4.1.4  模擬實驗：基本差分對的小信號特性分析
  4.2  共模響應
    4.2.1  尾電流源阻抗的影響
    4.2.2  MOSFET失配的影響
    4.2.3  模擬實驗：差分放大器的共模響應
  4.3  課後練習
第5章  電流鏡與偏置電路
  5.1  電流鏡的工作原理
    5.1.1  基本電流鏡
    5.1.2  共源共柵電流鏡

    5.1.3  模擬實驗：電流鏡的特性曲線
  5.2  高輸出擺幅的共源共柵電流鏡
    5.2.1  共源共柵電流鏡擺幅分析
    5.2.2  兩種高輸出擺幅的共源共柵電流鏡
    5.2.3  模擬實驗：高輸出擺幅的共源共柵電流鏡
  5.3  電流鏡用作有源負載
    5.3.1  有源負載的原理
    5.3.2  模擬實驗：以電流鏡作為負載的差分放大器
  5.4  偏置電路
    5.4.1  恆定跨導偏置電路
    5.4.2  模擬實驗：恆定跨導偏置電路
  5.5  課後練習
第6章  頻率響應
  6.1  頻域分析的基礎理論
    6.1.1  零點和極點
    6.1.2  波特圖
    6.1.3  模擬實驗：二階系統的幅頻響應
  6.2  共源放大器的頻率特性
    6.2.1  MOSFET電容
    6.2.2  小信號分析法
    6.2.3  近似分析
    6.2.4  特徵頻率
    6.2.5  模擬實驗：共源放大器的頻率響應
  6.3  課後練習
第7章  MOSFET的進階特性
  7.1  弱反型區
    7.1.1  理論分析與模型
    7.1.2  模擬實驗：MOSFET的弱反型區
  7.2  速度飽和區
    7.2.1  理論分析與模型
    7.2.2  模擬實驗：MOSFET的速度飽和區
  7.3  共源放大器的特徵頻率
    7.3.1  跨區域特徵頻率估算
    7.3.2  模擬實驗：共源放大器的特徵頻率
  7.4  跨區域的工程設計方法論
    7.4.1  gm/ID方法論
    7.4.2  模擬實驗：gm/ID工程設計方法
  7.5  課後練習
第8章  反饋與穩定性
  8.1  反饋與穩定性問題
    8.1.1  開環增益、閉環增益與環路增益
    8.1.2  運算放大器的反饋
    8.1.3  運算放大器的穩定性
    8.1.4  模擬實驗：相位裕度的測量
  8.2  有源負載差分對的穩定性
    8.2.1  有源負載差分對
    8.2.2  模擬實驗：有源負載差分對的頻率特性
  8.3  課後練習
第9章  密勒運算放大器的系統性設計
  9.1  兩級運算放大器的穩定性問題

    9.1.1  兩級運算放大器的級聯
    9.1.2  極點分離技術
    9.1.3  正零點補償技術
    9.1.4  模擬實驗：兩級運算放大器中的密勒補償
  9.2  密勒運算放大器的系統性設計方法
    9.2.1  運算放大器的系統性設計思路
    9.2.2  模擬實驗：運算放大器系統性設計方法
  9.3  課後練習
第10章  雜訊
  10.1  晶體管的雜訊
    10.1.1  熱雜訊
    10.1.2  閃爍雜訊
    10.1.3  雜訊帶寬
    10.1.4  模擬實驗：MOSFET雜訊特性的標定
  10.2  電路系統中的雜訊優化
    10.2.1  雜訊的等效轉換
    10.2.2  模擬實驗：五管OTA的雜訊優化
  10.3  課後練習
第11章  失調與共模抑制比
  11.1  失調的來源
    11.1.1  隨機性失調
    11.1.2  電路中失調因素的轉換
    11.1.3  系統性失調
    11.1.4  模擬實驗：五管OTA的輸入等效失調電壓優化
  11.2  共模抑制比
    11.2.1  隨機性共模抑制比
    11.2.2  系統性共模抑制比
    11.2.3  共模抑制比的模擬測量方法
    11.2.4  模擬實驗：五管OTA的共模抑制比設計與優化
  11.3  課後練習
附錄A  180nm工藝下的gm/ID模擬圖

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