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半導體結構(普通高等教育電子科學與技術特色專業系列教材)

  • 作者：編者:張彤//李國興//徐寶琨|責編:潘斯斯
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030789778
  • 出版日期：2024/06/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：212
人民幣：RMB 59 元      售價：元
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內容大鋼
    本書是普通高等教育電子科學與技術特色專業系列教材之一，主要介紹半導體的晶體結構以及缺陷理論。全書的主要內容包括晶體的性質，晶體的構造理論，晶體的對稱性理論，晶體的晶向和晶面，半導體材料及電子材料晶體結構的特點及性質，半導體中的點缺陷、線缺陷和面缺陷，以及半導體結構的表徵技術。
    本書可以作為電子科學與技術、物理學、材料物理等專業的本科生和研究生學習半導體或微電子的教材或參考書，也可作為相關研究領域的科研人員的參考書。
作者介紹
編者:張彤//李國興//徐寶琨|責編:潘斯斯
目錄
第1章  晶體的性質
  1.1  晶體和非晶體
  1.2  晶體的基本性質
  1.3  晶體的類型和結合力
  習題及思考題
第2章  晶體的構造理論
  2.1  點陣和平移群
  2.2  14種空間點陣形式
  2.3  晶體結構
    2.3.1  晶體點陣結構
    2.3.2  晶體結構中的等同點系概念
    2.3.3  晶胞的概念
    2.3.4  理想晶體和實際晶體
  2.4  晶體結構的描述方法
    2.4.1  球體密堆積原理
    2.4.2  配位多面體
    2.4.3  三種描述方法舉例
  習題及思考題
  實習A  認識布拉菲格子
第3章  晶體的對稱性理論
  3.1  對稱性概念、對稱動作和對稱要素
    3.1.1  基本概念
    3.1.2  對稱要素和對稱動作
    3.1.3  對稱要素在點陣中的取向
    3.1.4  晶體中對稱軸的軸次
    3.1.5  5重旋轉軸與准晶體
  3.2  晶體的宏觀對稱性及32種點群
    3.2.1  晶體宏觀對稱要素
    3.2.2  宏觀對稱要素的組合及32種對稱類型
    3.2.3  點群按特徵對稱要素分類及點群的表示符號
  3.3  晶體的微觀對稱性及230種空間群
  習題及思考題
  實驗B  認識典型的晶胞
第4章  晶體的晶向和晶面
  4.1  原子坐標
  4.2  晶面及晶面指數
  4.3  晶向及晶向指數
  4.4  倒易點陣
    4.4.1  倒易點陣幾何
    4.4.2  倒易點陣的矢量分析
  4.5  晶面間距及夾角、晶向夾角及晶帶
    4.5.1  晶面間距
    4.5.2  晶面及晶向夾角
    4.5.3  晶帶
  習題及思考題
  實習C  認識晶體的宏觀對稱性
第5章  半導體材料及電子材料晶體結構的特點及性質
  5.1  典型半導體材料晶體結構類型
    5.1.1  金剛石型結構
    5.1.2  閃鋅礦型結構

    5.1.3  纖鋅礦型和氯化鈉型結構
  5.2  半導體材料晶體結構與性能的關係
    5.2.1  金剛石型和閃鋅礦型結構的一些重要參數
    5.2.2  解理面
    5.2.3  腐蝕特性
    5.2.4  晶體生長性
  5.3  電子材料中其他幾種典型晶體結構
  5.4  固溶體晶體結構
    5.4.1  替代式固溶體
    5.4.2  間隙式固溶體
  5.5  液晶的結構及特徵
    5.5.1  近晶型結構
    5.5.2  向列型結構
    5.5.3  膽甾型結構
  5.6  納米晶體的結構及特徵
  習題及思考題
  實習D  認識晶向和晶面
第6章  半導體中的點缺陷
  6.1  點缺陷的基本概念
    6.1.1  熱缺陷的種類
    6.1.2  熱缺陷的統計計算
    6.1.3  雜質原子
    6.1.4  鍺、硅晶體中的空位及組態
  6.2  化合物半導體中的點缺陷
    6.2.1  化合物點缺陷的種類
    6.2.2  點缺陷的電離及對材料電化學性能的影響
    6.2.3  點缺陷平衡濃度的計算
    6.2.4  點缺陷與化學計量比偏離
    6.2.5  外壓對點缺陷濃度的影響
  6.3  點缺陷的締合
  習題及思考題
第7章  半導體中的線缺陷
  7.1  晶體滑移機構及位錯模型的提出
    7.1.1  臨界切應力概念
    7.1.2  晶體滑移機構及位錯模型的建立
    7.1.3  位錯的基本類型
  7.2  伯格斯矢量
    7.2.1  伯格斯迴路與伯格斯矢量
    7.2.2  伯格斯矢量的守恆性
    7.2.3  一種常見的確定伯格斯矢量的方法——Frank處理方法
    7.2.4  伯格斯矢量的一種符號表示法
  7.3  位錯的產生、運動及增殖機構
    7.3.1  機械應力和熱應力產生位錯的分析
    7.3.2  空位團的崩塌產生位錯及位錯的攀移運動
    7.3.3  位錯增殖機制
  7.4  位錯的應力場和應變能
    7.4.1  刃型位錯的應力場
    7.4.2  螺型位錯的應力場
    7.4.3  位錯的應變能
  7.5  位錯與其他缺陷間的相互作用

    7.5.1  位錯與雜質原子的相互作用
    7.5.2  位錯與空位、間隙原子等點缺陷的相互作用
    7.5.3  位錯的交割與割階
    7.5.4  位錯間的彈性交互作用
  7.6  鍺、硅單晶中的位錯
    7.6.1  金剛石型晶體的幾種典型位錯
    7.6.2  位錯對半導體材料的影響
  習題及思考題
第8章  半導體中的面缺陷
  8.1  層錯
    8.1.1  堆垛層錯
    8.1.2  不全位錯
    8.1.3  擴展位錯
    8.1.4  金剛石型結構的堆垛層錯以及不全位錯的原子排布特點
  8.2  晶界
    8.2.1  小角度晶粒間界的位錯模型
    8.2.2  孿生晶界
    8.2.3  鑲嵌組織、亞晶界
    8.2.4  晶界能及雜質吸附
  8.3  相界
  習題及思考題
第9章  半導體結構的表徵技術
  9.1  晶體的極射赤面投影表示
  9.2  晶體的定向方法
  9.3  XRD光譜與晶體結構
    9.3.1  X射線的產生及性質
    9.3.2  X射線晶體衍射與布拉格方程
    9.3.3  複雜晶體對X射線的衍射
    9.3.4  單晶衍射技術——勞厄法
    9.3.5  X射線粉末衍射
    9.3.6  X射線粉末衍射譜圖分析
  9.4  透射電子顯微鏡
    9.4.1  透射電子顯微鏡的工作原理
    9.4.2  電子束在像平面成像
    9.4.3  電子束在焦平面成像
  習題及思考題
參考文獻
附錄A  常見礦石的名稱、分子式與所屬晶系
附錄B  常見單質的所屬晶系
附錄C  常見半導體材料的XRD標準卡

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