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扇出晶圓級封裝板級封裝及嵌入技術(高性能計算HPC和系統級封裝SiP)/半導體與集成電路關鍵技術叢書

  • 作者：編者:(美)貝思·凱瑟//(德)斯蒂芬·克羅納特|責編:呂瀟|譯者:吳向東//雷劍//李林森
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111755807
  • 出版日期：2024/06/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：252
人民幣：RMB 128 元      售價：元
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內容大鋼
    本書提供了多種視角下對各種扇出和嵌入式晶元實現方法的深入理解，首先對扇出和晶圓級封裝的技術趨勢進行了市場分析，然後對這些解決方案進行了成本分析，討論了由台積電、Deca、日月光等公司創建的先進應用領域的封裝類型。本書還分析了新技術和現有技術的IP環境和成本比較，通過對當前推動先進應用領域的新封裝類型發展的半導體IDM公司（如英特爾、恩智浦、三星等）的開發和解決方案的分析，闡述了各類半導體代工廠和製造廠的半導體需求，同時對學術界的前沿研究進展進行了歸納總結。
    本書適合微電子封裝工程師及從事微電子封裝研究的學者和師生閱讀，同時也是半導體製造封裝行業從業者的優良參考書。
作者介紹
編者:(美)貝思·凱瑟//(德)斯蒂芬·克羅納特|責編:呂瀟|譯者:吳向東//雷劍//李林森
目錄
中文版序
譯者序
原書致謝
原書前言
第1章  扇出晶圓級和板級封裝的市場和技術趨勢
  1.1  扇出封裝簡介
    1.1.1  歷史背景
    1.1.2  關鍵驅動力：為什麼是扇出封裝
    1.1.3  扇出晶圓級封裝（FO-WLP）與扇出板級封裝（FO-PLP）
    1.1.4  面向異構集成的扇出封裝發展趨勢
  1.2  市場概況和應用
    1.2.1  扇出封裝定義
    1.2.2  市場劃分：CoreFO、HDFO和UHDFO的對比
    1.2.3  市場價值：收入和銷量預測
    1.2.4  當前和未來的目標市場
    1.2.5  扇出封裝的應用
  1.3  技術趨勢和供應鏈
    1.3.1  扇出封裝技術路線圖
    1.3.2  製造商的扇出封裝技術
    1.3.3  供應鏈概述
    1.3.4  當前的供應鏈動態分析
  1.4  扇出板級封裝（FO-PLP）
    1.4.1  FO-PLP的驅動力和面臨的挑戰
    1.4.2  FO-PLP的市場和應用
    1.4.3  FO-PLP供應商概述
  1.5  系統設備拆解
    1.5.1  帶有扇出封裝的終端系統拆解圖
    1.5.2  雷達IC：eWLB與RCP
    1.5.3  成本比較
  1.6  結論
  參考文獻
第2章  FO-WLP（扇出型晶圓級封裝技術）與其它技術的成本比較
  2.1  簡介
  2.2  基於活動的成本模型
  2.3  FO-WLP變化的成本分析
    2.3.1  工藝段的成本
    2.3.2  FO-WLP的不同工藝種類
  2.4  FO-WLP與引線鍵合和倒裝晶元的成本比較
  2.5  堆疊式封裝（PoP）的成本分析
  2.6  結論
  參考文獻
第3章  扇出集成（InFO）技術在移動計算上的應用
  3.1  引言
  3.2  晶圓級扇入封裝
    3.2.1  介電層和再分佈層（RDL）
    3.2.2  凸點下金屬化（UBM）
    3.2.3  可靠性與挑戰
    3.2.4  大晶元WLP
  3.3  晶圓級扇出系統集成
    3.3.1  晶元先置與晶元後置

    3.3.2  塑封與平坦化
    3.3.3  再分佈層（RDL）
    3.3.4  通孔與垂直互連
  3.4  集成無源元件（IPD）
    3.4.1  高Q值的三維螺線圈電感
    3.4.2  天線集成封裝（AiP）和5G通信
    3.4.3  用於毫米波系統集成的無源元件
  3.5  功率、性能、外形尺寸和成本
    3.5.1  信號和電源完整性
    3.5.2  散熱和熱性能
    3.5.3  外形和厚度
    3.5.4  市場和周期成本
  3.6  本章小結
  參考文獻
第4章  集成扇出（InFO）在高性能計算中的應用
  4.1  引言
  4.2  3D封裝和片上集成系統（SoIC）
  4.3  CoWoS-R，CoWoS-S和CoWoS-L
  4.4  InFO-L和InFO-R
  4.5  超高密度互連的InFO封裝（InFO-UHD）
  4.6  多堆疊系統集成（MUST）和Must-in-Must（MiM）
  4.7  板載InFO技術（InFO-oS）和局部硅互連InFO技術（InFO-L）
  4.8  板載存儲晶元的InFO技術（InFO-MS）
  4.9  3D多硅InFO（InFO-3DMS）andCoWoS-L
  4.10  晶圓上InFO系統（InFO_SoW）
  4.11  集成板上系統（SoIS）
  4.12  沉浸式內存計算（ImMC）
  4.13  本章小結
  參考文獻
第5章  用於高密度集成的自適應圖形和M-系列技術
  5.1  技術描述
  5.2  應用與市場
  5.3  基本封裝結構
  5.4  製造工藝流程和物料清單
  5.5  設計特性和系統集成能力
  5.6  自適應圖形
  5.7  製造幅面和可擴展性
  5.8  封裝性能
  5.9  魯棒性和可靠性數據
  5.10  電測試注意事項
  5.11  本章小結
  參考文獻
第6章  基於面板級封裝的異構集成
  6.1  引言
  6.2  扇出板級封裝
  6.3  板級封裝的經濟效益分析
  6.4  本章小結
  參考文獻
第7章  面向高功率模塊及SiP模塊的新一代晶元嵌入技術
  7.1  技術背景

  7.2  封裝基礎結構
  7.3  應用與市場（HPC、SiP）
  7.4  製造工藝和BOM
  7.5  設計特點
  7.6  系統集成能力
  7.7  封裝性能
  7.8  魯棒性與可靠性數據
  7.9  電測試的考慮因素
  7.10  本章小結
  參考文獻
第8章  先進基板上的晶元集成技術（包括嵌入和空腔）
  8.1  引言
  8.2  通過使用嵌入式晶元封裝（ECP）實現異構集成
  8.3  嵌入工藝
  8.4  器件選擇
  8.5  設計技術
  8.6  測試
  8.7  ECP技術的應用
  8.8  利用PCB中的空腔進行異構集成
  8.9  封裝性能、穩健性和可靠性
  8.10  結論
  參考文獻
第9章  先進的嵌入式布線基板——一種靈活的扇出晶圓級封裝的替代方案
  9.1  技術介紹
    9.1.1  C2iM技術
    9.1.2  C2iM-PLP技術
  9.2  應用和市場
  9.3  封裝的基本結構
    9.3.1  C2iM-PLP技術經驗
    9.3.2  C2iM-PLP與引線鍵合方形扁平無引腳（WB-QFN）封裝和倒裝晶元QFN（FC-QFN）封裝相比的優缺點
    9.3.3  C2iM-PLP與WLP和FO-WLP相比的優缺點
    9.3.4  未來的應用
    9.3.5  C2iM-PLP的局限性
  9.4  製造工藝流程及物料清單
  9.5  設計規範
    9.5.1  封裝設計規範
    9.5.2  晶元UBM設計規範
    9.5.3  晶元排列設計規範
    9.5.4  銅柱設計規範
  9.6  系統集成能力
  9.7  生產規格和可拓展性
  9.8  封裝性能
    9.8.1  電性能
    9.8.2  熱性能
  9.9  魯棒性和可靠性數據
    9.9.1  通過汽車可靠性認證
    9.9.2  通過板級可靠性驗證
  9.10  電測試的思考
  9.11  本章小結
第10章  採用扇出晶圓級封裝的柔性混合電子

  10.1  引言
  10.2  封裝的最新發展趨勢
  10.3  使用FO-WLP的FHE——FlexTrateTM
  10.4  FlexTrateTM的應用
  致謝
  參考文獻
第11章  基於2.5D和3D異構集成的多晶元集成電路技術：電和熱設計考量及案例
  11.1  引言
  11.2  異構互連拼接技術（HIST）
  11.3  基於橋晶元2.5D集成技術的熱評估
    11.3.1  2.5D和3D的典型架構
    11.3.2  熱建模和性能
    11.3.3  不同2.5D集成方案的熱性能對比
    11.3.4  2.5D和3D集成之間的熱性能對比
    11.3.5  基於橋接晶元2.5D集成的熱研究
    11.3.6  多片式3D集成
  11.4  高功率電子器件的單片微流體製冷
    11.4.1  單晶元系統的實驗演示和特徵
    11.4.2  微流體製冷2.5D集成系統：實驗演示
    11.4.3  單片微流體製冷的3D集成：對I/O電學性能影響建模
  11.5  結論
  參考文獻

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