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微電子器件基礎(集成電路科學與工程系列教材)

  • 作者：編者:王穎//宋延興//康大為|責編:王曉慶
  • 出版社：電子工業
  • ISBN：9787121477393
  • 出版日期：2024/04/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：304
人民幣：RMB 59.8 元      售價：元
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內容大鋼
    本書較全面地介紹常見微電子器件的基本結構、特性、原理、進展和測量方法。為了便於讀者自學和參考，首先介紹微電子器件涉及的半導體晶體結構、電子狀態、載流子統計分佈和運動等基礎知識；然後，重點闡述半導體器件中的結與電容等核心單元的特性和機理；之後，詳細介紹雙極型晶體管、MOS場效應晶體管的基本工作原理、特性和電學參數；在對經典半導體器件基礎結構、工作機理和電學特性進行詳細闡述后，綜述近年來基於硅和新材料的代表性器件；最後，概述半導體器件的表徵與測量方法。本書提供配套的電子課件PPT、習題參考答案等。
    本書可作為電子信息類專業本科生、研究生相關課程的教材，也可供相關行業的工程技術人員學習和參考。
作者介紹
編者:王穎//宋延興//康大為|責編:王曉慶
目錄
第1章  半導體物理基礎
  1.1  半導體晶格
    1.1.1  半導體材料
    1.1.2  晶體的晶向與晶面
    1.1.3  典型半導體的晶體結構
  1.2  半導體電子模型
    1.2.1  價鍵模型
    1.2.2  能帶模型
    1.2.3  本征半導體的分佈函數
    1.2.4  半導體中的E-k關係和有效質量
  1.3  載流子的運動與控制
    1.3.1  半導體的摻雜
    1.3.2  摻雜半導體的載流子分佈
    1.3.3  摻雜半導體的載流子運動方程
    1.3.4  載流子的複合理論
  1.4  思考題和習題1
第2章  半導體器件中的結與電容
  2.1  pn結
    2.1.1  結構與組成
    2.1.2  靜電特性
    2.1.3  穩態響應
    2.1.4  瞬態響應
  2.2  異質結
    2.2.1  形成異質結的材料
    2.2.2  能帶圖
    2.2.3  二維電子氣
    2.2.4  靜電平衡態
    2.2.5  電流-電壓特性
  2.3  金屬-半導體結
    2.3.1  肖特基接觸
    2.3.2  歐姆接觸
  2.4  pn結電容
    2.4.1  pn結電容的來源
    2.4.2  勢壘電容
    2.4.3  擴散電容
    2.4.4  pn結電導
  2.5  MOS電容
  2.6  思考題和習題2
第3章  雙極型晶體管
  3.1  結構與工作原理
    3.1.1  基本概念
    3.1.2  靜電特性
    3.1.3  特性參數
    3.1.4  少子濃度分佈與能帶圖
  3.2  穩態響應
    3.2.1  電流響應
    3.2.2  擊穿特性
  3.3  頻率響應
    3.3.1  基區輸運係數與頻率的關係
    3.3.2  高頻小信號電流放大係數

  3.4  開關特性
    3.4.1  晶體管開關等效電路和工作區域
    3.4.2  晶體管的開關過程
  3.5  思考題和習題3
第4章  MOS場效應晶體管
  4.1  結構與工作原理
    4.1.1  MOSFET的類型
    4.1.2  MOSFET的輸出特性
  4.2  閾值電壓
    4.2.1  MOS結構閾值電壓
    4.2.2  MOS結構閾值電壓VT的影響因素
  4.3  穩態響應
    4.3.1  電流-電壓關係的概念
    4.3.2  非飽和區電流響應
    4.3.3  飽和區電流響應
    4.3.4  關鍵參數的熱敏響應
    4.3.5  MOSFET的擊穿電壓
    4.3.6  MOSFET的亞閾區導電
  4.4  頻率響應
    4.4.1  MOSFET的小信號交流參數
    4.4.2  MOSFET的小信號高頻等效電路
    4.4.3  最高工作頻率和最高振蕩頻率
  4.5  思考題和習題4
第5章  現代半導體器件
  5.1  Si基場效應晶體管
    5.1.1  高K柵MOSFET
    5.1.2  SOI MOSFET
    5.1.3  FinFET
    5.1.4  U-MOSFET
    5.1.5  超結MOSFET
  5.2  非Si基場效應晶體管
    5.2.1  SiC MOSFET
    5.2.2  GaN HEMT
    5.2.3  Ga2O3器件
    5.2.4  碳基納米管器件
  5.3  思考題和習題5
第6章  表徵與測量
  6.1  來料檢查
    6.1.1  表面缺陷檢測
    6.1.2  電阻率
    6.1.3  幾何尺寸
    6.1.4  其他測試
  6.2  工藝監控
    6.2.1  工藝監控基礎
    6.2.2  量測
    6.2.3  檢測
    6.2.4  複檢
  6.3  晶圓可接受測試
    6.3.1  可接受測試基礎
    6.3.2  測試參數及方法

    6.3.3  探針測試
  6.4  測試
    6.4.1  測試基礎
    6.4.2  封裝工藝的測試
    6.4.3  測試方法
    6.4.4  測試參數
  6.5  可靠性
    6.5.1  可靠性測試
    6.5.2  壽命試驗
    6.5.3  環境試驗
    6.5.4  電應力類試驗
  6.6  失效分析
    6.6.1  失效分析基礎
    6.6.2  非破壞性分析
    6.6.3  破壞性分析
  6.7  思考題和習題6
參考文獻

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