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銦鎵砷光電探測器及其焦平面陣列/空間技術與應用學術著作叢書

  • 作者：龔海梅//李雪//張永剛|責編:許健
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030720948
  • 出版日期：2022/07/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：404
人民幣：RMB 200 元      售價：元
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內容大鋼
    本書探討了空間遙感方面航天載荷的發展及其對光電探測器件的基本要求，介紹了近紅外／短波紅外的特點及銦鎵砷器件的應用特色，回顧了銦鎵砷材料體系的前世今生及其發展歷程，進而從光伏型光電探測器的基本原理和特性出發，結合實際工作中積累的諸多具體實例，詳細討論了銦鎵砷光電探測器及焦平面陣列的材料生長技術、晶元工藝技術、封裝及可靠性技術、焦平面讀出電路技術及相關的材料和器件性能參數測試表徵方法和技術等，以及此方面的光電探測新器件、新技術和新發展。
    本書可供從事半導體光電探測材料、器件與組件研發及應用工作，特別是涉及近紅外／短波紅外銦鎵砷方面的研究生、研究人員及工程技術人員閱讀，也可作為其他涉及此領域人員的參考書。
作者介紹
龔海梅//李雪//張永剛|責編:許健
目錄
第1章  空間遙感與光電探測
  1.1  引言
  1.2  空間遙感及其應用
    1.2.1  電磁波譜及其波段劃分
    1.2.2  大氣層及其透射窗口
    1.2.3  空間遙感技術及其應用
  1.3  光電探測及其空間應用
    1.3.1  光電探測基本原理
    1.3.2  典型光電探測儀器
    1.3.3  光電探測器
    1.3.4  紅外探測器的空間應用
  1.4  空間遙感對光電探測器的需求
    1.4.1  空間遙感應用的基本要求
    1.4.2  紅外探測器（焦平面）的主要參數
    1.4.3  系統對紅外探測器（焦平面）的要求
  1.5  銦鎵砷光電探測器及其空間應用
    1.5.1  銦鎵砷光電探測器
    1.5.2  銦鎵砷探測器的空間應用
  1.6  小結
  參考文獻
第2章  近紅外/短波紅外特點及銦鎵砷器件應用特色
  2.1  引言
  2.2  空間應用
  2.3  光譜感測應用
  2.4  其他應用
  2.5  小結
  參考文獻
第3章  銦鎵砷的前世今生
  3.1  引言
  3.2  InGaAs系材料的緣起鉤沉
  3.3  InGaAs系材料的基本特性
  3.4  InGaAs與光纖通信的淵源
  3.5  InGaAs與其他材料體系的比較
  3.6  小結
  參考文獻
第4章  光伏型光電探測器的基本特性及表徵
  4.1  引言
  4.2  靜態特性
    4.2.1  IV特性
    4.2.2  光響應特性
    4.2.3  光譜特性
    4.2.4  抗輻照特性
  4.3  動態特性
    4.3.1  CV特性
    4.3.2  瞬態特性
    4.3.3  黑體響應
    4.3.4  雜訊特性
  4.4  優值係數與評估規則
    4.4.1  優值係數D
    4.4.2  優值係數R0A

    4.4.3  評估規則Rule
    4.4.4  評估規則IGARule
  4.5  小結
  參考文獻
第5章  銦鎵砷光電探測材料外延生長技術
  5.1  引言
  5.2  主要外延生長技術
    5.2.1  液相外延（LPE）
    5.2.2  氣相外延（VPE）
    5.2.3  分子束外延（MBE）
  5.3  氣態源分子束外延（GSMBE）
    5.3.1  Ⅲ族源
    5.3.2  Ⅴ族源
    5.3.3  生長設備
  5.4  InGaAs光電探測器材料的GSMBE生長
    5.4.1  晶格匹配材料
    5.4.2  波長擴展材料
  5.5  小結
  參考文獻
第6章  材料特性表徵方法與技術
  6.1  引言
  6.2  結構特性
    6.2.1  晶體結構、晶格參數、失配度及組分
    6.2.2  表面形貌顯微分析
    6.2.3  微觀狀態、缺陷及成分分析
  6.3  光學與光電特性
    6.3.1  吸收與反射特性
    6.3.2  發光特性
    6.3.3  材料均勻性表徵及其與FPA性能的關聯
  6.4  電學與輸運特性
    6.4.1  載流子濃度、遷移率
    6.4.2  載流子壽命、擴散係數和擴散長度
    6.4.3  缺陷能級與密度
  6.5  小結
  參考文獻
第7章  InGaAs光電探測器及焦平面工藝技術
  7.1  引言
  7.2  器件結構設計與模擬
  7.3  器件製造標準工藝
  7.4  成結工藝
    7.4.1  刻蝕成結技術
    7.4.2  擴散成結技術
  7.5  表面鈍化
  7.6  歐姆接觸
  7.7  光敏晶元陣列與讀出電路的混成工藝
  7.8  小結
  參考文獻
第8章  光電探測器及焦平面的封裝與可靠性技術
  8.1  引言
  8.2  光電探測器組件及其封裝技術

    8.2.1  組件封裝定義、功能與類型
    8.2.2  典型微電子封裝技術
    8.2.3  探測器製冷與低溫封裝技術
    8.2.4  銦鎵砷探測器的封裝技術
  8.3  組件封裝設計技術
    8.3.1  組件封裝總體設計技術
    8.3.2  封裝結構與模擬
    8.3.3  光學參數與雜散光抑制
    8.3.4  電子學功能與雜訊控制
    8.3.5  溫度與熱力學設計
    8.3.6  光電性能與封裝關聯性
    8.3.7  組件可靠性與長壽命設計
  8.4  封裝技術關鍵材料與元件研究
    8.4.1  封裝結構材料
    8.4.2  封裝密封與焊接材料
    8.4.3  電極及引線材料
    8.4.4  組件關鍵元件
  8.5  封裝技術關鍵工藝研究
    8.5.1  模塊化拼接與平面度控制
    8.5.2  密封焊接工藝
    8.5.3  電極引線技術
    8.5.4  其他封裝工藝技術
  8.6  組件封裝的測試與可靠性試驗
    8.6.1  組件漏熱測試
    8.6.2  組件漏率測試
    8.6.3  組件可靠性試驗
    8.6.4  組件壽命試驗
  8.7  小結
  參考文獻
第9章  短波紅外InGaAs焦平面讀出電路
  9.1  引言
  9.2  紅外焦平面讀出電路
    9.2.1  CMOS與CCD兩種讀出方式的比較
    9.2.2  CMOS讀出電路設計與工藝
  9.3  紅外焦平面CMOS讀出電路設計基礎
    9.3.1  讀出電路的基本結構
    9.3.2  讀出電路的輸入級結構
    9.3.3  採樣電路
    9.3.4  輸出級電路
    9.3.5  移位寄存器
  9.4  短波紅外InGaAs焦平面讀出電路設計
    9.4.1  總體設計
    9.4.2  讀出電路輸入級設計
    9.4.3  相關雙採樣電路設計
    9.4.4  讀出電路輸出級設計
    9.4.5  讀出電路版圖設計
  9.5  紅外焦平面讀出電路的發展
    9.5.1  讀出電路的研究發展
    9.5.2  數字化讀出電路研究進展
    9.5.3  雪崩焦平面用讀出電路研究進展

    9.5.4  讀出電路的系統化智能化發展
  9.6  小結
  參考文獻
第10章  InGaAs焦平面的特性參數及表徵技術
  10.1  引言
  10.2  焦平面響應光譜
  10.3  紅外焦平面光電性能
  10.4  短波紅外InGaAs焦平面的雜訊特性
    10.4.1  短波紅外InGaAs焦平面探測器的雜訊研究進展
    10.4.2  短波紅外InGaAs焦平面探測器的雜訊模型
  10.5  短波紅外InGaAs焦平面的串音與調製傳遞函數
    10.5.1  短波紅外InGaAs焦平面的串音特性
    10.5.2  短波紅外InGaAs焦平面的MTF特性
    10.5.3  短波紅外InGaAs焦平面的MTF與串音的關係
  10.6  小結
  參考文獻
第11章  短波紅外InGaAs光電探測新技術
  11.1  引言
  11.2  可見拓展的InGaAs探測器
    11.2.1  可見拓展的InGaAs探測器研究意義
    11.2.2  可見拓展的InGaAs探測器研究進展
    11.2.3  可見拓展的InGaAs探測器的製備方法
  11.3  集成偏振近紅外InGaAs焦平面探測器
    11.3.1  集成偏振近紅外InGaAs焦平面探測器研究意義
    11.3.2  集成偏振近紅外InGaAs焦平面探測器研究進展
    11.3.3  亞波長金屬光柵集成偏振的InGaAs探測器機理與製備
  11.4  集成濾光微結構的InGaAs探測器
    11.4.1  集成濾光微結構的InGaAs探測器研究意義
    11.4.2  集成濾光微結構的InGaAs探測器研究進展
  11.5  近紅外InGaAs雪崩探測器
    11.5.1  InGaAs雪崩探測器研究意義
    11.5.2  線性模式InGaAs雪崩探測器研究進展
    11.5.3  蓋革模式的InGaAs雪崩探測器研究進展
  11.6  小結
  參考文獻
漢英對照索引

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