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微電子器件基礎教程(電子科學與技術高等學校電子信息類專業系列教材)

  • 作者：編者:郭業才|責編:曾珊
  • 出版社：清華大學
  • ISBN：9787302538226
  • 出版日期：2020/02/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：314
人民幣：RMB 69 元      售價：元
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內容大鋼
    本書主要內容為微電子器件的基礎理論，全書共分7章，具休包括半導休材料、載流子輸運現象、PN結、雙極型晶體管、MOSFET、異質結雙極型晶體管等。各學校可根據學生知識背景和教學要求，對教學內容做出適當安排。
    本書可作為電子信息類、自動化類、儀器類、電氣類、電腦類等專業本科生教材，也可作為相關專業科研人員和工程技術人員的參考用書。
作者介紹
編者:郭業才|責編:曾珊
目錄
第1章  半導體
  1.1  半導體材料
    1.1.1  元素半導體
    1.1.2  化合物半導體
  1.2  半導體材料的晶體結構
    1.2.1  單胞
    1.2.2  晶面及密勒指數
    1.2.3  共價鍵
  1.3  半導體中的缺陷
    1.3.1  點缺陷
    1.3.2  線缺陷
  1.4  能級與能帶
    1.4.1  能級
    1.4.2  能量?動能
    1.4.3  固態材料的傳導
    1.4.4  滿帶電子和半滿帶電子的特性
  1.5  本征半導體及載流子濃度
    1.5.1  本征半導體及導電機構
    1.5.2  載流子的統計分佈
    1.5.3  本征載流子濃度
  1.6  雜質半導體及載流子濃度
    1.6.1  雜質半導體
    1.6.2  電離能
    1.6.3  雙性雜質
    1.6.4  電子和空穴的平衡狀態分佈
  1.7  簡並半導體及其濃度
    1.7.1  非簡並與簡並半導體
    1.7.2  簡並半導體中載流子濃度
  習題1
第2章  載流子輸運現象
  2.1  載流子漂移運動及其電流密度
    2.1.1  遷移率
    2.1.2  載流子漂移電流密度
  2.2  載流子擴散運動及其電流密度
    2.2.1  載流子擴散方程
    2.2.2  載流子擴散電流密度
  2.3  載流子總電流密度
    2.3.1  總電子或空穴電流密度
    2.3.2  總傳導電流密度
  2.4  愛因斯坦關係式
    2.4.1  感生電場
    2.4.2  愛因斯坦關係
  2.5  非平衡載流子的產生與複合
    2.5.1  非平衡載流子與准費米能級
    2.5.2  直接複合
    2.5.3  間接複合
    2.5.4  表面複合
    2.5.5  俄歇複合
  2.6  熱電子發射過程
  2.7  隧穿過程

  2.8  強電場效應
  2.9  半導體的基本控制方程
    2.9.1  連續性方程
    2.9.2  泊松方程
  習題2
第3章  PN結
  3.1  平面工藝
    3.1.1  氧化
    3.1.2  光刻
    3.1.3  擴散或離子注入
    3.1.4  金屬化
  3.2  PN結能帶圖及空間電荷區
    3.2.1  平衡PN結與內建電勢
    3.2.2  空間電荷區電場與電勢分佈
    3.2.3  平衡PN結載流子濃度
  3.3  PN結伏安特性
    3.3.1  理想PN結
    3.3.2  PN結正向特性
    3.3.3  PN結反向特性
    3.3.4  PN結伏安特性
    3.3.5  PN結伏安特性的影響因素
    3.3.6  PN結偏置狀態對勢壘寬度的影響
  3.4  PN結電容
    3.4.1  勢壘電容
    3.4.2  擴散電容
  3.5  PN結擊穿
    3.5.1  隧道效應
    3.5.2  雪崩倍增
    3.5.3  擊穿電壓的影響因素
  習題3
第4章  雙極型晶體管的直流特性
  4.1  雙極型晶體管結構
    4.1.1  晶體管類型及結構
    4.1.2  晶體管的雜質分佈
  4.2  雙極型晶體管放大原理
    4.2.1  晶體管直流放大係數
    4.2.2  雙極型晶體管內載流子的輸運過程
    4.2.3  雙極型晶體管的電流放大係數
    4.2.4  均勻基區晶體管電流增益
    4.2.5  緩變基區晶體管電流增益
    4.2.6  影響電流放大係數的因素
  4.3  晶體管反向直流參數及基極電阻
    4.3.1  反向電流
    4.3.2  擊穿電壓
    4.3.3  穿通電壓
    4.3.4  基極電阻
  4.4  雙極型晶體管的特性曲線
    4.4.1  共基極連接直流特性曲線
    4.4.2  共射極連接直流特性曲線
    4.4.3  共基極與共射極輸出特性曲線的比較

    4.4.4  共射極輸出的非理想特性曲線
  習題4
第5章  雙極型晶體管的交流特性、功率特性與開關特性
  5.1  晶體管交流小信號電流增益
    5.1.1  晶體管交流小信號模型
    5.1.2  晶體管交流小信號傳輸過程
    5.1.3  晶體管交流小信號模型等效電路
    5.1.4  交流小信號傳輸延遲時間
    5.1.5  晶體管交流小信號電流增益及其頻率特性
    5.1.6  高頻功率增益及最高振蕩頻率
  5.2  雙極型晶體管的功率特性
    5.2.1  晶體管集電極最大工作電流
    5.2.2  基區大注入效應對電流放大係數的影響
    5.2.3  基區擴展效應對β0和fT的影響
    5.2.4  發射極電流集邊效應
    5.2.5  晶體管最大耗散功率與熱阻
    5.2.6  晶體管的二次擊穿與安全工作區
  5.3  雙極型晶體管的開關原理
    5.3.1  晶體管開關作用
    5.3.2  晶體管開關工作區域
    5.3.3  晶體管開關波形與開關時間
    5.3.4  晶體管開關過程
  5.4  晶體管模型及其等效電路
    5.4.1  晶體管Ebers-Moll模型及其等效電路
    5.4.2  電荷控制模型
  5.5  開關時間計算
    5.5.1  延遲時間
    5.5.2  上升時間
    5.5.3  儲存時間
    5.5.4  下降時間
  5.6  開關晶體管的正向壓降和飽和壓降
  習題5
第6章  MOS場效應晶體管
  6.1  金屬與半導體接觸
    6.1.1  整流接觸
    6.1.2  歐姆接觸
  6.2  MOS結構及其性質
    6.2.1  理想MOS結構
    6.2.2  實際MOS結構及其特性
    6.2.3  平帶電壓
  6.3  MOSFET結構及工作原理
    6.3.1  MOSFET基本結構
    6.3.2  MOSFET基本類型
    6.3.3  MOSFET工作原理
    6.3.4  MOSFET特性曲線
  6.4  MOSFET閾值電壓
    6.4.1  閾值電壓及其計算
    6.4.2  影響閾值電壓的因素
  6.5  MOSFET直流特性
    6.5.1  薩支唐方程

    6.5.2  影響直流特性的因素
  6.6  MOSFET擊穿特性
    6.6.1  漏源擊穿
    6.6.2  氧化層擊穿
    6.6.3  寄生NPN擊穿
  6.7  MOSFET亞閾特性
    6.7.1  MOSFET亞閾電流
    6.7.2  MOSFET亞閾電流計算
    6.7.3  MOSFET柵壓擺幅
  6.8  MOSFET小信號特性
    6.8.1  交流小信號參數
    6.8.2  交流小信號等效電路
  6.9  MOSFET開關特性
    6.9.1  開關原理
    6.9.2  開關時間
  6.10  溝道變化效應
    6.10.1  短溝道效應及其對閾值電壓的影響
    6.10.2  窄溝道效應及其對閾值電壓的影響
  習題6
第7章  異質結雙極型晶體管
  7.1  半導體異質結
    7.1.1  半導體異質結及其能帶圖
    7.1.2  半導體異質結的伏安特性
  7.2  異質結雙極型晶體管的結構與特性
    7.2.1  HBT的器件結構
    7.2.2  HBT特性
  7.3  幾種常用的異質結雙極型晶體管
    7.3.1  硅基HBT
    7.3.2  AlGaAs/GaAs HBT
    7.3.3  InGaAs/InP HBT
  7.4  GaAs MESFET
    7.4.1  器件結構
    7.4.2  工作原理
    7.4.3  理論模型
  7.5  高電子遷移率晶體管
    7.5.1  量子阱結構
    7.5.2  器件結構與工作原理
    7.5.3  理論模型
  習題7
附錄
  附錄A  主要符號表
  附錄B  物理常數表
  附錄C  300K時鍺、硅、砷化鎵主要物理性質表
  附錄D  單位制、單位換算和通用常數
  附錄E  元素周期表
參考文獻

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