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半導體器件原理/博學微電子學系列

作者：編者:黃均鼐//湯庭鰲//胡光喜|責編:梁玲
出版社：復旦大學
ISBN：9787309081442

出版日期：2011/05/01
裝幀：平裝
頁數：375

人民幣：RMB 79 元售價：元

內容大鋼

本書不僅介紹了傳統的p-n結、雙極型晶體管、單柵MOS場效應管、功率晶體管等器件的結構、原理和特性，還介紹了新型多柵MOS場效應管、不揮發存儲器以及肖特基勢壘源∕漏結構器件的原理和特性。力求突出器件的物理圖像和物理概念，不僅有理論基礎知識的闡述，還有新近研究成果的介紹。
本書可作為電子科學與技術類低年級本科生的教材，也可供高年級本科生以及研究生等參考使用。

作者介紹

編者:黃均鼐//湯庭鰲//胡光喜|責編:梁玲

第一章  半導體器件的物理基礎
  1.1  半導體的特性
    1.1.1  晶體的結構
    1.1.2  半導體在電性能上的獨特性質
  1.2  電子能級和能帶
    1.2.1  電子的共有化運動
    1.2.2  晶體中的能帶
  1.3  半導體中的載流子
    1.3.1  電子密度和空穴密度表達式
    1.3.2  載流子密度與費密能級位置的關係
  1.4  雜質半導體
    1.4.1  兩種不同導電類型的半導體
    1.4.2  雜質半導體
  1.5  非平衡載流子
    1.5.1  非平衡載流子的產生和複合
    1.5.2  非平衡載流子的壽命
    1.5.3  複合中心
  1.6  載流子的運動
    1.6.1  載流子的漂移運動
    1.6.2  載流子的擴散運動
  參考文獻
  習題
第二章  p-n結
  2.1  平衡p--n結
    2.1.1  空間電荷區和接觸電位差
    2.1.2  空間電荷區的電場和電勢分佈
  2.2  p.n結的直流特性
    2.2.1  加偏壓p-n結的能帶圖及載流子和電流分佈
    2.2.2  p-n結的伏安特性
    2.2.3  勢壘區的複合和大注入對正向伏安特性的影響
    2.2.4  勢壘區的反向產生電流
  2.3  P-n結電容
    2.3.1  突變結勢壘電容
    2.3.2  線性緩變結勢壘電容
    2.3.3  擴散結的勢壘電容
    2.3.4  p-n結的擴散電容
  2.4  p-n結擊穿
    2.4.1  電擊穿
    2.4.2  熱擊穿
  參考文獻
  習題
第三章  晶體管的直流特性
  3.1  概述
    3.1.1  晶體管的基本結構
    3.1.2  晶體管的放大作用
    3.1.3  晶體管內載流子的傳輸及電流放大係數
    3.1.4  晶體管的輸入和輸出特性
  3.2  均勻基區晶體管的直流特性和電流增益
    3.2.1  均勻基區晶體管直流特性的理論分析
    3.2.2  均勻基區晶體管的短路電流放大係數

  3.3  漂移晶體管的直流特性和電流增益
    3.3.1  漂移晶體管的直流特性
    3.3.2  漂移晶體管的電流增益
  3.4  晶體管的反向電流和擊穿電壓
    3.4.1  晶體管的反向電流
    3.4.2  晶體管的擊穿電壓
  3.5  晶體管的基極電阻
    3.5.1  梳狀晶體管的基極電阻
    3.5.2  圓形晶體管的基極電阻
  3.6  晶體管的小信號等效電路
  參考文獻
  習題
第四章  晶體管的頻率特性和功率特性
第五章  晶體管的開關特性
第六章  半導體表面特性及MOS電容
第七章  MOS場效應晶體管的基本特性
第八章  半導體功率器件
第十章  多柵MOS場效應管
第十一章  不揮發存儲器基礎
第十二章  金屬-半導體接觸和肖特基勢壘器件
附錄
主要符號表

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