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半導體技術基礎(高職高專十二五規劃教材)

  • 作者：編者:杜中一|責編:王聽講
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122099259
  • 出版日期：2011/01/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：203
人民幣：RMB 38 元      售價：元
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內容大鋼
    本書針對高職教學及學生的特點，根據微電子、電子製造、光電子以及光伏等專業人才培養方案的需要，系統地介紹了半導體技術相關的基礎知識。本書主要包括半導體物理基礎、硅半導體材料基礎、化合物半導體材料基礎、P-N結、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、其他常用半導體器件、半導體工藝化學、半導體集成電路設計原理、半導體集成電路設計方法與製造工藝等內容。
    《半導體技術基礎》「以應用為目的，以實用為主，理論以必需、夠用為度」作為編寫原則，突出理論的實用性，語言通俗易懂，內容全面，重點突出，層次清楚，結構新穎，實用性強。
    本書可作為微電子、電子製造、光電子以及光伏等相關專業的高職高專學生的教材或學習參考用書。
作者介紹
編者:杜中一|責編:王聽講
目錄
第1章  半導體技術概述
  1.1  半導體技術
    1.1.1  半導體集成電路發展史
    1.1.2  半導體技術的發展趨勢
  1.2  半導體與電子製造
    1.2.1  電子製造基本概念
    1.2.2  電子製造業的技術核心
  習題
第2章  半導體物理基礎
  2.1  半導體能帶
    2.1.1  電子的共有化
    2.1.2  能帶
    2.1.3  雜質能級
  2.2  半導體的載流子運動
    2.2.1  載流子濃度與費米能級
    2.2.2  載流子的運動
  習題
第3章  硅半導體材料基礎
  3.1  半導體材料概述
    3.1.1  半導體材料的發展
    3.1.2  半導體材料的分類
  3.2  硅材料的主要性質
    3.2.1  硅材料的化學性質
    3.2.2  硅材料的晶體結構
    3.2.3  硅材料的電學性質
    3.2.4  硅材料的熱學性質
    3.2.5  硅材料的機械性質
  3.3  硅單晶的製備技術
    3.3.1  高純硅的製備
    3.3.2  硅的提純技術
    3.3.3  硅的晶體生長
    3.3.4  晶體中雜質與缺陷
  3.4  集成電路硅襯底加工技術
    3.4.1  硅單晶拋光片的製備
    3.4.2  硅單晶拋光片的質量檢測
  3.5  硅的外延生長技術
    3.5.1  外延生長概述
    3.5.2  硅氣相外延生長技術
  習題
第4章  化合物半導體材料基礎
  4.1  化合物半導體材料概述
  4.2  化合物半導體單晶的製備
    4.2.1  ⅢⅤ族化合物半導體單晶的製備
    4.2.2  ⅡⅥ族化合物半導體單晶的製備
  4.3  化合物半導體外延生長技術
    4.3.1  氣相外延生長
    4.3.2  液相外延生長
    4.3.3  其他外延生長技術
  4.4  化合物半導體的應用
    4.4.1  發光二極體的顯示和照明方面的應用

    4.4.2  集成電路方面的應用
    4.4.3  太陽能電池方面的應用
  習題
第5章  P-N結
  5.1  P?N結及能帶圖
    5.1.1  P?N結的製造及雜質分佈
    5.1.2  平衡P?N結
  5.2  P-N結的直流特性
    5.2.1  P-N結的正向特性
    5.2.2  P-N結的反向特性
    5.2.3  P-N結的伏安特性
  5.3  P-N結電容
    5.3.1  勢壘電容
    5.3.2  擴散電容
  5.4  P-N結擊穿
    5.4.1  雪崩擊穿
    5.4.2  隧道擊穿
  5.5  P-N結的開關特性與反向恢復時間
    5.5.1  P-N結的開關特性
    5.5.2  P-N結的反向恢復時間
  習題
第6章  雙極型晶體管
  6.1  晶體管概述
    6.1.1  晶體管基本結構
    6.1.2  晶體管的製造工藝及雜質分佈
  6.2  晶體管電流放大原理
    6.2.1  晶體管載流子濃度分佈及傳輸
    6.2.2  晶體管直流電流放大係數
    6.2.3  晶體管的特性曲線
  6.3  晶體管的反向電流與擊穿電壓
    6.3.1  晶體管的反向電流
    6.3.2  晶體管的擊穿電壓
  6.4  晶體管的頻率特性與功率特性
    6.4.1  晶體管的頻率特性
    6.4.2  晶體管的功率特性
  6.5  晶體管的開關特性
  習題
第7章  MOS場效應晶體管
  7.1  MOS場效應晶體管概述
    7.1.1  MOS場效應晶體管結構
    7.1.2  MOS場效應晶體管工作原理
    7.1.3  MOS場效應晶體管的分類
  7.2  MOS場效應晶體管特性
    7.2.1  MOS場效應晶體管輸出特性
    7.2.2  MOS場效應晶體管轉移特性
    7.2.3  MOS場效應晶體管閾值電壓
    7.2.4  MOS場效應晶體管電容?電壓特性
    7.2.5  MOS場效應晶體管頻率特性
    7.2.6  MOS場效應晶體管開關特性
  習題

第8章  其他常用半導體器件
  8.1  結型場效應晶體管
    8.1.1  結型場效應晶體管基本結構及工作原理
    8.1.2  結型場效應晶體管特性
  8.2  MOS功率場效應晶體管
    8.2.1  MOS功率場效應晶體管基本結構
    8.2.2  MOS功率場效應晶體管特性
  8.3  光電二極體
    8.3.1  P?N結光伏特性
    8.3.2  光電二極體結構及工作原理
  8.4  發光二極體
    8.4.1  發光二極體結構及工作原理
    8.4.2  發光二極體的製備
  習題
第9章  半導體工藝化學基礎
  9.1  化學清洗
    9.1.1  矽片表面污染雜質類型
    9.1.2  清洗步驟
    9.1.3  有機雜質清洗
    9.1.4  無機雜質的清洗
    9.1.5  清洗工藝安全操作
  9.2  硅表面拋光化學原理
    9.2.1  鉻離子化學機械拋光
    9.2.2  銅離子化學機械拋光
    9.2.3  二氧化硅膠體化學機械拋光
  9.3  純水製備
    9.3.1  純水在半導體生產中的應用
    9.3.2  離子交換製備純水
    9.3.3  水純度的測量
  9.4  製備鈍化膜
    9.4.1  二氧化硅鈍化膜的製備
    9.4.2  其他類型鈍化膜
  9.5  擴散工藝化學原理
    9.5.1  擴散工藝概述
    9.5.2  硼擴散的化學原理
    9.5.3  磷擴散的化學原理
    9.5.4  銻擴散的化學原理
    9.5.5  砷擴散的化學原理
  9.6  光刻工藝的化學原理
    9.6.1  光刻工藝概述
    9.6.2  光刻工藝中的化學應用
  9.7  化學腐蝕
    9.7.1  化學腐蝕的原理
    9.7.2  影響化學腐蝕的因素
  習題
第10章  半導體集成電路設計原理
  10.1  CMOS集成電路中的無源元件
    10.1.1  互連線
    10.1.2  電阻器
    10.1.3  電容器

  10.2  CMOS反相器
    10.2.1  CMOS反相器的結構
    10.2.2  CMOS反相器的特性
  10.3  基本單元電路
    10.3.1  CMOS邏輯門電路
    10.3.2  MOS傳輸門邏輯電路
    10.3.3  動態CMOS邏輯電路
    10.3.4  鎖存器和觸發器
    10.3.5  簡單數字集成系統設計介紹
  習題
第11章  半導體集成電路設計方法與製造工藝
  11.1  半導體集成電路設計方法
    11.1.1  半導體集成電路設計發展的各個階段
    11.1.2  當前集成電路設計的原則
  11.2  CMOS集成電路製造工藝簡介
    11.2.1  雙阱CMOS工藝的主要流程
    11.2.2  隔離技術
  11.3  CMOS版圖設計
    11.3.1  版圖設計方法
    11.3.2  版圖設計技巧
    11.3.3  版圖設計舉例
  習題
參考文獻

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