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光伏材料理化實用基礎(太陽能光伏產業硅材料系列教材)

  • 作者：編者:梅艷//葉常瓊|責編:潘新文
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122276117
  • 出版日期：2016/09/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：109
人民幣：RMB 29.8 元      售價：元
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內容大鋼
    本書分為光伏材料物理實用基礎和光伏材料化學實用基礎兩篇。主要內容包括光伏材料基礎、晶體結構與缺陷、雜質與缺陷能級、熱平衡狀態下的載流子和非平衡狀態下的載流子、P-N結、原料製備、外延工藝、化學清洗與純水的製備、矽片拋光、化學腐蝕、擴散制結、刻蝕工藝、表面鈍化、絲網印刷、化學儲能電池等。本書本著「應用為主，夠用為度」的原則編寫。
    本書可作為全國高職高專太陽能光伏類相關專業的教材或教學參考用書，也可作為自學用書。
作者介紹
編者:梅艷//葉常瓊|責編:潘新文
目錄
上篇  光伏材料物理實用基礎篇
  模塊一  光伏材料基礎
    1.1  光伏材料的分類
      1.1.1  硅材料
      1.1.2  化合物半導體薄膜材料
    1.2  半導體材料的物理特性
      1.2.1  半導體材料的共性
      1.2.2  硅材料的特殊物理性質
      1.2.3  化合物半導體材料的特殊性質
    實訓一  採用四探針測試儀測量硅材料的電阻
    思考題
  模塊二  晶體結構與缺陷
    2.1  晶體的構造
      2.1.1  晶體與非晶體
      2.1.2  晶體的格子構造
      2.1.3  晶胞與14種空間結構
    2.2  晶體的特性
      2.2.1  晶體的規則外形
      2.2.2  晶體的固定熔點
      2.2.3  晶體的各向異性
      2.2.4  晶體的解理性
      2.2.5  晶體的穩定性
    2.3  典型的晶體結構
      2.3.1  晶體的分類
      2.3.2  半導體材料的典型結構
    2.4  晶面、晶向
      2.4.1  晶面指數
      2.4.2  晶向指數
      2.4.3  晶面間距
      2.4.4  晶面夾角
    2.5  晶體缺陷
      2.5.1  點缺陷
      2.5.2  線缺陷
      2.5.3  面缺陷
      2.5.4  體缺陷
    實訓二  採用X射線衍射法測試矽片的表面取向
    思考題
  模塊三  雜質與缺陷能級
    3.1  能帶的形成
      3.1.1  電子的共有化
      3.1.2  能級、能帶、能隙
      3.1.3  導體、半導體、絕緣體的能帶結構
    3.2  半導體中的雜質與摻雜
      3.2.1  半導體純度的表示
      3.2.2  半導體的雜質效應及影響
      3.2.3  半導體的摻雜與型號
      3.2.4  電子、空穴的產生
    實訓三  傅里葉紅外光譜儀測試硅晶體中雜質含量
    思考題
  模塊四  熱平衡狀態下的載流子和非平衡狀態下的載流子

    4.1  熱平衡狀態下的載流子
      4.1.1  費米分佈函數
      4.1.2  狀態密度
      4.1.3  導帶電子濃度和價帶空穴濃度
      4.1.4  本征半導體的載流子濃度
      4.1.5  摻雜半導體的載流子濃度
    4.2  非平衡狀態下的載流子
      4.2.1  非平衡載流子的產生與複合
      4.2.2  非平衡載流子的壽命
    實訓四  採用少子壽命儀測量矽片的少子壽命
    思考題
  模塊五  P-N結
    5.1  P-N結的形成
      5.1.1  載流子的擴散運動
      5.1.2  載流子的飄移運動
    5.2  P-N結的製備及雜質分佈圖
    5.3  P-N結的能帶結構及接觸電勢
    5.4  P-N結的特性
      5.4.1  P-N結的電流電壓特性
      5.4.2  P-N結的電容特性
      5.4.3  P-N結的擊穿效應
      5.4.4  P-N結的光伏效應
    思考題
下篇  光伏材料化學實用基礎篇
  模塊六  光伏材料化學特性
    6.1  硅及其重要化合物
      6.1.1  硅
      6.1.2  二氧化硅
      6.1.3  氮化硅
      6.1.4  碳化硅
      6.1.5  四氯化硅
      6.1.6  三氯氫硅
      6.1.7  硅酸
      6.1.8  硅烷
      6.1.9  鍺
    6.2  GaAs
    6.3  CdTe薄膜材料的工藝化學原理
    思考題
  模塊七  外延工藝化學原理
    7.1  外延工藝中氣相拋光原理
    7.2  外延生長的化學原理
    7.3  氫氣的純化
      7.3.1  分子篩純化氫氣的原理
      7.3.2  分子篩的類型和組成
      7.3.3  分子篩的特性
      7.3.4  分子篩的再生
    7.4  常用的脫水劑(乾燥劑)
    7.5  脫氧劑——105催化劑
    7.6  鈀管的純化原理
    7.7  氫氣中其他雜質的凈化劑

  模塊八  化學清洗及純水的製備
    8.1  化學清洗
      8.1.1  矽片表面沾污的雜質
      8.1.2  化學清洗的原理
      8.1.3  矽片清洗的一般步驟及注意事項
    8.2  純水的製備
  模塊九  矽片表面的化學機械拋光
    9.1  表面拋光的分類
    9.2  表面拋光的原理
      9.2.1  鉻離子化學機械拋光
      9.2.2  二氧化硅膠體化學機械拋光
  模塊十  半導體材料化學腐蝕原理
    10.1  化學腐蝕的原理
      10.1.1  半導體材料的腐蝕
      10.1.2  二氧化硅的腐蝕
      10.1.3  氮化硅的腐蝕
      10.1.4  金屬的腐蝕
    10.2  影響化學腐蝕的因素
  模塊十一  擴散制結化學原理
    11.1  擴散基本理論
      11.1.1  擴散雜質的選擇
      11.1.2  擴散原理
    11.2  磷擴散化學原理
      11.2.1  液態源
      11.2.2  氣態源
      11.2.3  固態源
    11.3  硼擴散化學原理
      11.3.1  液態源
      11.3.2  固態源
      11.3.3  氣態源
  模塊十二  刻蝕工藝化學原理
    12.1  光刻
    12.2  聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠
    12.3  光刻工藝的化學原理
    12.4  其他光致抗蝕劑的介紹
  模塊十三  表面鈍化和鍍減反射膜的化學原理
    13.1  二氧化硅鈍化膜
    13.2  磷硅玻璃鈍化膜
    13.3  氮化硅鈍化膜
    13.4  三氧化二鋁鈍化膜
  模塊十四  絲網印刷
    14.1  絲網印刷的漿料組成
    14.2  絲網印刷製備電極的原理
    14.3  絲網印刷化學品的防護
  模塊十五  化學儲能電池
    15.1  鉛酸蓄電池
    15.2  鋰離子電池
    15.3  鎳氫電池
參考文獻

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