幫助中心 | 我的帳號 | 關於我們

半導體干法刻蝕技術(原書第2版)/集成電路科學與工程叢書

  • 作者:(日)野尻一男|責編:劉星寧//閭洪慶|譯者:王文武//許恆宇//王盛凱//李俊傑//王彩萍等
  • 出版社:機械工業
  • ISBN:9787111742029
  • 出版日期:2024/01/01
  • 裝幀:平裝
  • 頁數:161
人民幣:RMB 89 元      售價:
放入購物車
加入收藏夾

內容大鋼
    本書是一本全面系統的干法刻蝕技術論著。針對干法刻蝕技術,在內容上涵蓋了從基礎知識到最新技術,使初學者能夠了解干法刻蝕的機理,而無需複雜的數值公式或方程。本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝,而且對每種材料的關鍵刻蝕參數、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。本書討論了具體器件製造流程中涉及的干法刻蝕技術,介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理,例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子迴旋共振等離子體和電感耦合型等離子體,並介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。

作者介紹
(日)野尻一男|責編:劉星寧//閭洪慶|譯者:王文武//許恆宇//王盛凱//李俊傑//王彩萍等

目錄
譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章  半導體集成電路的發展與干法刻蝕技術
  1.1  干法刻蝕的概述
  1.2  干法刻蝕的評價參數
  1.3  干法刻蝕在LSI的高度集成中的作用
  參考文獻
第2章  干法刻蝕的機理
  2.1  等離子體基礎知識
    2.1.1  什麼是等離子體
    2.1.2  等離子體的物理量
    2.1.3  等離子體中的碰撞反應過程
  2.2  離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為
    2.2.1  離子鞘和Vdc
    2.2.2  離子鞘層中的離子散射
  2.3  刻蝕工藝的設置方法
    2.3.1  干法刻蝕的反應過程
    2.3.2  各向異性刻蝕的機理
    2.3.3  側壁保護工藝
    2.3.4  刻蝕速率
    2.3.5  選擇比
    2.3.6  總結
  參考文獻
第3章  各種材料刻蝕
  3.1  柵極刻蝕
    3.1.1  多晶硅的柵極刻蝕
    3.1.2  CD的晶圓面內均勻性控制
    3.1.3  WSi2/多晶硅的柵極刻蝕
    3.1.4  W/WN/多晶硅的柵極刻蝕
    3.1.5  Si襯底刻蝕
  3.2  SiO2刻蝕
    3.2.1  SiO2刻蝕機理
    3.2.2  SiO2刻蝕的關鍵參數
    3.2.3  SAC刻蝕
    3.2.4  側牆刻蝕
  3.3  布線刻蝕
    3.3.1  Al布線刻蝕
    3.3.2  Al布線的防后腐蝕處理技術
    3.3.3  其他布線材料的刻蝕
  3.4  總結
  參考文獻
第4章  干法刻蝕設備
  4.1  干法刻蝕設備的歷史
  4.2  桶式等離子體刻蝕機
  4.3  CCP等離子體刻蝕機
  4.4  磁控管RIE
  4.5  ECR等離子體刻蝕機
  4.6  ICP等離子體刻蝕機
  4.7  干法刻蝕設備實例

  4.8  靜電卡盤
    4.8.1  靜電卡盤的種類及吸附原理
    4.8.2  晶圓溫度控制的原理
  參考文獻
第5章  干法刻蝕損傷
  5.1  Si表面層引入的損傷
  5.2  電荷積累損傷
    5.2.1  電荷積累損傷的評估方法
    5.2.2  產生電荷積累的機理
    5.2.3  各種刻蝕設備的電荷積累評估及其降低方法
    5.2.4  等離子體處理中柵氧化膜擊穿的機理
    5.2.5  因圖形導致的柵氧化膜擊穿
    5.2.6  溫度對柵氧化膜擊穿的影響
    5.2.7  基於器件設計規則的電荷積累損傷對策
  參考文獻
第6章  新的刻蝕技術
  6.1  Cu大馬士革刻蝕
  6.2  Low-k刻蝕
  6.3  使用多孔Low-k的大馬士革布線
  6.4  金屬柵極/High-k刻蝕
  6.5  FinFET刻蝕
  6.6  多重圖形化
    6.6.1  SADP
    6.6.2  SAQP
  6.7  用於3D NAND/DRAM的高深寬比孔刻蝕技術
  6.8  用於3D IC的刻蝕技術
  參考文獻
第7章  原子層刻蝕(ALE)
  7.1  ALE的原理
  7.2  ALE的特性
    7.2.1  Si、GaN和W的ALE工藝順序
    7.2.2  自限性反應
    7.2.3  去除步驟中EPC的離子能量依賴性
    7.2.4  表面平坦度
  7.3  ALE的協同效應
  7.4  影響EPC和濺射閾值的參數
  7.5  SiO2 ALE
  7.6  總結
  參考文獻
第8章  未來的挑戰和展望
  8.1  干法刻蝕技術革新
  8.2  今後的課題和展望
  8.3  工程師的準備工作
  參考文獻

  • 商品搜索:
  • | 高級搜索
首頁新手上路客服中心關於我們聯絡我們Top↑
Copyrightc 1999~2008 美商天龍國際圖書股份有限公司 臺灣分公司. All rights reserved.
營業地址:臺北市中正區重慶南路一段103號1F 105號1F-2F
讀者服務部電話:02-2381-2033 02-2381-1863 時間:週一-週五 10:00-17:00
 服務信箱:bookuu@69book.com 客戶、意見信箱:cs@69book.com
ICP證:浙B2-20060032