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氮化鎵微波功率器件(精)/寬禁帶半導體前沿叢書

  • 作者：編者:馬曉華//鄭雪峰//張進成|責編:馬曉娟
  • 出版社：西安電子科大
  • ISBN：9787560668451
  • 出版日期：2023/09/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：252
人民幣：RMB 108 元      售價：元
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內容大鋼
    氮化鎵微波功率器件出現至今，無論是其關鍵技術還是工程應用均取得了快速發展，目前已在新一代移動通信、新型雷達等領域獲得了廣泛應用。為了推動氮化鎵知識的普及，促進讀者對氮化鎵技術的了解，作者結合研究團隊多年的研究及技術實踐編撰了此書。本書共6章，包括緒論、氮化物材料MOCVD生長技術、氮化鎵微波功率器件技術、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模、新型氮化鎵微波功率器件。
    本書可作為微電子器件領域學生的專業教材，也可作為相關領域研究生及從業人員的參考資料。
作者介紹
編者:馬曉華//鄭雪峰//張進成|責編:馬曉娟
目錄
第1章  緒論
  1.1  背景
  1.2  氮化鎵材料研究進展
  1.3  氮化鎵微波功率器件研究進展
  1.4  氮化鎵微波功率器件可靠性進展
  參考文獻
第2章  氮化物材料MOCVD生長技術
  2.1  GaN材料基本特性及MOCVD生長技術
    2.1.1  GaN材料的基本特性
    2.1.2  MOCVD方法生長GaN簡介
  2.2  磁控濺射AlN基板生長GaN薄膜技術
    2.2.1  磁控濺射AlN特性簡介
    2.2.2  磁控濺射AlN基板上GaN材料生長及表徵
    2.2.3  磁控濺射AlN基板位錯抑制機理分析
  2.3  微納球掩膜部分接觸式橫向外延過生長技術
    2.3.1  部分接觸式橫向外延過生長簡介
    2.3.2  微納球掩膜技術外延薄膜材料表徵
    2.3.3  微納球掩膜技術外延機理分析
  2.4  斜切襯底上N面GaN材料生長技術
    2.4.1  N面GaN材料簡介
    2.4.2  斜切襯底上N面GaN材料生長
    2.4.3  斜切襯底上N面GaN材料位錯湮滅機理分析
  2.5  InGaN溝道異質結
    2.5.1  InGaN溝道異質結特性簡介
    2.5.2  InGaN溝道異質結基本特性表徵
    2.5.3  InGaN溝道異質結電學特性分析
  參考文獻
第3章  氮化鎵微波功率器件技術
  3.1  器件的直流參數及測量
  3.2  氮化鎵基器件製備工藝
    3.2.1  新材料表面鏡檢與清洗
    3.2.2  標記金屬製備
    3.2.3  歐姆金屬製備
    3.2.4  器件有源區隔離
    3.2.5  表面鈍化
    3.2.6  柵下鈍化層去除以及勢壘層處理
    3.2.7  柵下絕緣介質生長
    3.2.8  肖特基柵金屬製備
    3.2.9  表面二次鈍化與互連金屬布線
  3.3  微波大功率器件
    3.3.1  微波大功率器件研究進展
    3.3.2  微波功率器件工作電壓提升技術
  3.4  毫米波器件
    3.4.1  毫米波器件研究背景及發展歷程
    3.4.2  毫米波器件柵結構研究
    3.4.3  毫米波器件短溝道效應研究
  3.5  熱分析與熱設計
    3.5.1  AlGaN/GaNHEMT器件熱生成機制
    3.5.2  AlGaN/GaNHEMT三維有限元熱模擬
  參考文獻

第4章  微波功率器件新型工藝
  4.1  刻蝕形貌控制技術
    4.1.1  刻蝕技術與設備
    4.1.2  刻蝕形貌控制
  4.2  界面等離子體處理技術
    4.2.1  氧氣等離子體處理
    4.2.2  N2O等離子體處理
  4.3  新型表面鈍化技術
    4.3.1  新型SiN鈍化技術
    4.3.2  原子層沉積表面鈍化層
  4.4  圖形化歐姆接觸技術
    4.4.1  圖形化歐姆接觸原理
    4.4.2  常規圖形化刻蝕工藝
    4.4.3  圖形化刻蝕工藝的改進
  參考文獻
第5章  微波功率器件建模
  5.1  典型微波參數及物理意義
  5.2  小信號建模
    5.2.1  GaNHEMT小信號模型建立
    5.2.2  寄生參數提取
    5.2.3  本征參數提取
  5.3  大信號建模
    5.3.1  常用的大信號模型
    5.3.2  Angelov模型的建立
    5.3.3  擬合結果
  5.4  功率放大器的實現方法
    5.4.1  高效率放大器工作模式
    5.4.2  S波段高效率放大器電路設計
    5.4.3  S波段高效率放大器的實現與測試
  參考文獻
第6章  新型氮化鎵微波功率器件
  6.1  GaN基FinHEMT器件
    6.1.1  GaN基FinHEMT器件的研究意義
    6.1.2  GaN基FinHEMT器件的閾值電壓模型
    6.1.3  結構參數對於AlGaN/GaNFinHEMT器件特性的影響
  6.2  氮化鎵高線性器件
    6.2.1  高線性器件研究背景
    6.2.2  類FinHEMT高線性氮化鎵器件
  6.3  全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件
    6.3.1  全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件直流特性
    6.3.2  全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件C-V特性及遷移率提取
    6.3.3  退火對全刻蝕凹槽增強型MOSHEMT器件特性的影響
  6.4  類存儲型增強型器件
    6.4.1  GaN基存儲型器件概述
    6.4.2  類存儲型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件製備
    6.4.3  類存儲型Al2O3/AlGaN/GaNMISHEMT器件特性
    6.4.4  電荷俘獲作用對類存儲型增強型器件的影響
    6.4.5  類存儲型增強型器件的保持特性
  6.5  鐵電介質柵增強型器件
    6.5.1  鐵電薄膜的製備及特性

    6.5.2  PZT/Al2O3/AlGaN/GaN增強型HEMT器件
    6.5.3  鐵電薄膜轉移及氮化鎵增強型HEMT器件
  參考文獻

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