目錄
前言
詞語表述和閱讀方法說明
第1章 功率半導體的全貌
1-1 功率半導體到底是什麼
1-2 把功率半導體比作人的身體
1-3 身邊的功率半導體
1-4 電子信息產業中功率半導體的定位
1-5 半導體器件中的功率半導體
1-6 晶體管構造的差異
第2章 功率半導體的基本原理
2-1 半導體的基本原理
2-2 關於PN結
2-3 晶體管的基本原理
2-4 雙極型晶體管的基本原理
2-5 MOS晶體管的基本原理
2-6 功率半導體的歷史回顧
2-7 功率型MOSFET的登場
專欄：單面與雙面
2-8 雙極型晶體管與MOSFET的結合——IGBT的登場
2-9 信號轉換
第3章 各種功率半導體的原理和作用
3-1 單嚮導通的二極體
3-2 大電流雙極型晶體管
3-3 雙向晶閘管
3-4 具有高速開關特性的功率型MOSFET
3-5 環保時代的IGBT
3-6 功率半導體課題的探索
第4章 功率半導體的用途與市場
4-1 功率半導體的市場規模
4-2 電力基礎設施與功率半導體
4-3 交通工具與功率半導體
4-4 汽車與功率半導體
4-5 辦公與功率半導體
4-6 家用電器與功率半導體
第5章 功率半導體的分類
5-1 按用途分類
5-2 按材料分類
5-3 按構造、原理分類
5-4 從額定參數看功率半導體
第6章 用於功率半導體的矽片
6-1 矽片是什麼
6-2 矽片的製造方法與差異
6-3 FZ硅晶體的特點
6-4 FZ矽片為何重要
6-5 硅材料的局限
第7章 功率半導體製造工藝的特點
7-1 功率半導體與集成電路的區別
7-2 器件構造的研究
7-3 外延生長法的廣泛應用
7-4 正反面曝光工藝
專欄：關於校準器的回憶
7-5 反面雜質激活
7-6 晶圓減薄工藝
7-7 後段工藝與前段工藝的差異
7-8 切割工藝的小差異
7-9 晶元鍵合工藝的特點
7-10 引線鍵合使用更寬的引線
7-11 封裝材料的不同
第8章 功率半導體生產企業介紹
8-1 摩爾定律路線圖走到盡頭
專欄：路線圖就是領跑者
8-2 氣勢高漲的「日之丸」功率半導體
8-3 保持垂直統合模式的綜合性電氣企業
8-4 專業企業如何生存
8-5 歐洲生產企業是垂直統合模式嗎
專欄：以創始人名字命名的公司
8-6 美國企業的動向
第9章 硅基功率半導體的發展
9-1 功率半導體的時代
9-2 IGBT所要求的性能
9-3 穿通與非穿通型IGBT
9-4 場截止型IGBT的登場
9-5 IGBT的發展趨勢探索
9-6 功率半導體在智能功率模塊（IPM）中的進展
9-7 冷卻與功率半導體
第10章 挑戰硅極限的碳化硅與氮化鎵
10-1 8英寸碳化硅晶圓的出現
10-2 碳化硅晶圓的製造方法
10-3 碳化硅的優點與研究課題有哪些
10-4 實用性不斷提升的碳化硅晶片
10-5 氮化鎵晶圓的難題——異質外延
10-6 氮化鎵的優點與挑戰
10-7 氮化鎵常閉型器件的挑戰
10-8 晶圓生產企業的動向
專欄：時代總是在循環
第11章 功率半導體開拓的碳減排時代
11-1 碳減排時代與功率半導體
11-2 對可再生能源而言不可或缺的功率半導體
11-3 智能電網與功率半導體
11-4 電動汽車（EV）與功率半導體
11-5 21世
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