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圖解晶元製造技術/科技前沿探秘叢書

  • 作者：編者:吳元慶//劉春梅//王洋|責編:邢濤
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122438034
  • 出版日期：2023/11/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：213
人民幣：RMB 69.8 元      售價：元
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內容大鋼
    晶元是近年來備受關注的高科技產品，在電子、航空航天、機械、船舶、儀錶等領域發揮著不可替代的作用。本書圍繞晶元製造技術展開，從單晶硅晶體的拉制講起，介紹了多種硅晶體的沉積和拉制、切割技術，著重介紹了光刻技術和光刻設備，並簡要介紹了集成電路封裝技術。
    本書適宜對晶元技術感興趣的讀者參考。
作者介紹
編者:吳元慶//劉春梅//王洋|責編:邢濤
    吳元慶，男，1982年生，遼寧庄河人，滿族，博士，渤海大學物理科學與技術學院副教授。2003年畢業於西安電子科技大學電子科學與技術專業獲學士學位，2012年畢業於天津大學微電子學與固體電子學專業獲博士學位。主要研究方向為微機電系統的設計與製造，微電子器件的設計等。主講課程包括「微電子學概論」「微電子專業導讀」「EDA技術與版圖設計」「太陽能電池材料與器件」等課程。參與「863」項目1項、「973」子項目一項，天津市基金項目2項，主持教育部產學研協同育人項目6項，參與完成教育部「藍火計劃」產學研合作項目1項，主持渤海大學博士科研啟動基金項目1項，在相關領域發表論文多篇，專利多項。
目錄
第1章  集成電路簡介
  1.1  集成電路製造技術簡介
  1.2  集成電路晶元發展歷程
  1.3  集成電路的發展規律——摩爾定律
  1.4  集成電路的分類
  1.5  晶元製造工藝
  1.6  晶元製造要求
    1.6.1  超凈環境
    1.6.2  超純材料
第2章  矽片的製備
  2.1  硅材料的性質
  2.2  多晶硅的製備
    2.2.1  冶煉
    2.2.2  提純
  2.3  單晶硅生長
    2.3.1  直拉法
    2.3.2  磁控直拉法
    2.3.3  懸浮區熔法
  2.4  切制矽片
    2.4.1  切片工藝
    2.4.2  矽片規格及用途
  2.5  矽片的缺陷
第3章  氧化
  3.1  二氧化硅的結構
  3.2  二氧化硅的物理化學性質
  3.3  二氧化硅在集成電路中的作用
  3.4  硅的熱氧化
    3.4.1  熱氧化的反應原理
    3.4.2  常用的硅熱氧化工藝
    3.4.3  熱氧化工藝流程
    3.4.4  熱氧化規律
    3.4.5  其他氧化方式
第4章  擴散
  4.1  雜質的擴散類型
    4.1.1  替位式擴散
    4.1.2  間隙式擴散
    4.1.3  間隙-替位式擴散
  4.2  擴散係數
  4.3  擴散摻雜
    4.3.1  恆定表面源擴散
    4.3.2  限定表面源擴散
    4.3.3  兩步擴散工藝
  4.4  缺陷對擴散的影響
    4.4.1  氧化增強擴散
    4.4.2  發射區推進效應
    4.4.3  橫向擴散效應
  4.5  擴散方式
    4.5.1  氣態源擴散
    4.5.2  液態源擴散
    4.5.3  固態源擴散

第5章  離子注入
  5.1  離子注入的特點
  5.2  離子注入原理
    5.2.1  離子注入的行程
    5.2.2  注入離子的碰撞
  5.3  注入離子在靶中的分佈
    5.3.1  縱向分佈
    5.3.2  橫向效應
    5.3.3  單晶靶中的溝道效應
    5.3.4  離子質量的影響
  5.4  注入損傷
  5.5  退火
  5.6  離子注入設備與工藝
    5.6.1  離子注入機
    5.6.2  離子注入工藝
  5.7  離子注入的其他應用
    5.7.1  淺結的形成
    5.7.2  調整MOS晶體管的閾值電壓
    5.7.3  自對準金屬柵結構
  5.8  離子注入與熱擴散比較
第6章  化學氣相沉積CVD
  6.1  CVD概述
  6.2  CVD工藝原理
    6.2.1  薄膜沉積過程
    6.2.2  薄膜質量控制
  6.3  CVD工藝方法
    6.3.1  常壓化學氣相沉積
    6.3.2  低壓化學氣相沉積
    6.3.3  等離子增強化學氣相沉積
    6.3.4  CVD工藝方法的進展
  6.4  薄膜的沉積
    6.4.1  氮化硅的性質
    6.4.2  多晶硅薄膜的應用
    6.4.3  CVD金屬及金屬化合物
第7章  物理氣相沉積PVD
  7.1  PVD概述
  7.2  真空系統及真空的獲得
  7.3  真空蒸鍍
    7.3.1  工藝原理
    7.3.2  蒸鍍設備
    7.3.3  多組分蒸鍍工藝
    7.3.4  蒸鍍薄膜的質量控制
  7.4  濺射
    7.4.1  工藝原理
    7.4.2  濺射方式
    7.4.3  濺射薄膜的質量及改善
  7.5  金屬與銅互連引線
第8章  光刻
  8.1  概述
  8.2  基本光刻工藝流程

    8.2.1  底膜處理
    8.2.2  塗膠
    8.2.3  前烘
    8.2.4  曝光
    8.2.5  顯影
    8.2.6  堅膜
    8.2.7  顯影檢驗
    8.2.8  去膠
    8.2.9  最終檢驗
  8.3  光刻掩模版
  8.4  光刻膠
  8.5  光學解析度增強技術
    8.5.1  離軸照明技術
    8.5.2  移相掩模技術
    8.5.3  光學鄰近效應校正技術
  8.6  紫外光曝光技術
    8.6.1  接觸式曝光
    8.6.2  接近式曝光
    8.6.3  投影式曝光
    8.6.4  其他曝光技術
第9章  刻蝕技術
  9.1  概述
  9.2  濕法刻蝕
    9.2.1  硅的濕法刻蝕
    9.2.2  二氧化硅的濕法刻蝕
    9.2.3  氮化硅的濕法刻蝕
    9.2.4  鋁的濕法刻蝕
  9.3  干法刻蝕
    9.3.1  刻蝕參數
    9.3.2  典型材料的干法刻蝕
第10章  外延
  10.1  概述
    10.1.1  外延概念
    10.1.2  外延工藝種類
  10.2  氣相外延工藝
    10.2.1  外延原理
    10.2.2  外延的影響因素
    10.2.3  外延摻雜
    10.2.4  外延技術
  10.3  分子束外延
  10.4  其他外延方法
    10.4.1  液相外延
    10.4.2  固相外延
    10.4.3  金屬有機物氣相外延
    10.4.4  化學束外延
第11章  集成電路工藝與封裝
  11.1  隔離工藝
  11.2  雙極型集成電路工藝
  11.3  CMOS電路工藝流程
  11.4  晶元封裝技術

    11.4.1  封裝的作用和地位
    11.4.2  引線連接
    11.4.3  幾種典型封裝技術
參考文獻

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