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半導體集成電路(第2版普通高等教育電子科學與技術特色專業系列教材)

  • 作者：編者:余寧梅//楊媛//郭仲傑|責編:潘斯斯
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030759580
  • 出版日期：2023/08/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：306
人民幣：RMB 69 元      售價：元
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內容大鋼
    本書在簡述半導體集成電路的基本概念、發展和面臨的主要問題后，以「器件-工藝-電路-應用」為主線，首先介紹半導體集成電路的主要製造工藝、基本元器件的結構和工作原理，然後重點討論數字集成電路中組合邏輯電路、時序邏輯電路、存儲器、邏輯功能部件，最後介紹模擬集成電路中的關鍵電路和數-模、模-數轉換電路。
    本書以問題為導向，在每一章節開始設置了啟發性問題，並以二維碼方式給出了關鍵章節的預習教學視頻。全書內容系統全面，敘述深入淺出，易於自學。配備了器件彩色三維結構圖，讀者可以通過掃描二維碼進行查看。
    本書可作為普通高等學校電子科學與技術、微電子科學與工程和集成電路設計與集成系統等相關專業的專業課教材，也可作為相關領域研究生及工程技術人員的參考書。
作者介紹
編者:余寧梅//楊媛//郭仲傑|責編:潘斯斯
目錄
第1章  緒論
  1.1  半導體集成電路的概念
    1.1.1  半導體集成電路的基本概念
    1.1.2  半導體集成電路的分類
  1.2  半導體集成電路的發展過程
  1.3  半導體集成電路的發展規律
  1.4  半導體集成電路面臨的問題
    1.4.1  深亞微米集成電路設計面臨的問題與挑戰
    1.4.2  深亞微米集成電路性能面臨的問題與挑戰
    1.4.3  深亞微米集成電路工藝面臨的問題與挑戰
  技術拓展：Chiplet（芯粒）
  基礎習題
  高階習題
第2章  雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應
  2.1  雙極集成電路的製造工藝
    2.1.1  雙極型晶體管的單管結構和工作原理
    2.1.2  雙極集成晶體管的結構與製造工藝
  2.2  集成雙極晶體管的有源寄生效應
  技術拓展：BCD工藝
  基礎習題
  高階習題
第3章  MOS集成電路中晶體管的形成及其寄生效應
  3.1  MOSFET晶體管的結構及製造工藝
    3.1.1  MOSFET晶體管器件結構與工作原理
    3.1.2  MOSFET晶體管的製造工藝
  3.2  CMOS集成電路的製造工藝
    3.2.1  n阱CMOS工藝
    3.2.2  p阱CMOS工藝
    3.2.3  雙阱CMOS工藝
  3.3  MOS集成電路中的有源寄生效應
    3.3.1  場區寄生MOSFET
    3.3.2  寄生雙極型晶體管
    3.3.3  CMOS集成電路中的閂鎖效應
  3.4  深亞微米CMOS集成電路工藝
  技術拓展：絕緣體上硅技術
  基礎習題
  高階習題
第4章  集成電路中的無源元件
  4.1  集成電阻器
    4.1.1  雙極集成電路中常用的電阻
    4.1.2  MOS集成電路中常用的電阻
  4.2  集成電容器
    4.2.1  雙極集成電路中常用的集成電容器
    4.2.2  MOS集成電路中常用的電容器
  4.3  互連線
    4.3.1  多晶硅互連線
    4.3.2  擴散層連線
    4.3.3  金屬互連線
  技術拓展：修調技術
  基礎習題

  高階習題
第5章  MOS晶體管基本原理與MOS反相器電路
  5.1  MOS晶體管的電學特性
    5.1.1  MOS晶體管基本電流方程的導出
    5.1.2  MOS晶體管的I-V特性
    5.1.3  MOS晶體管的閾值電壓和導電特性
    5.1.4  MOS晶體管的襯底偏壓效應
    5.1.5  MOS晶體管的二級效應
    5.1.6  MOS晶體管的電容
  5.2  MOS反相器
    5.2.1  反相器的基本概念
    5.2.2  E/R型nMOS反相器
    5.2.3  E/E型nMOS反相器
    5.2.4  E/D型nMOS反相器
    5.2.5  CMOS反相器
  技術拓展：3D晶體管
  基礎習題
  高階習題
第6章  CMOS靜態門電路
  6.1  基本CMOS靜態門
    6.1.1  CMOS與非門
    6.1.2  CMOS或非門
  6.2  CMOS複合邏輯門
    6.2.1  異或門
    6.2.2  其他複合邏輯門
  6.3  MOS管的串並聯特性
    6.3.1  晶體管串聯的情況
    6.3.2  晶體管並聯的情況
    6.3.3  晶體管尺寸的設計
  6.4  CMOS靜態門電路的延遲
    6.4.1  延遲時間的估算方法
    6.4.2  緩衝器最優化設計
  6.5  CMOS靜態門電路的功耗
    6.5.1  CMOS靜態門電路功耗的組成
    6.5.2  降低電路功耗的方法
  6.6  功耗和延遲的折中
  技術拓展：門控時鐘技術
  基礎習題
  高階習題
第7章  傳輸門邏輯和動態邏輯電路
  7.1  基本的傳輸門
    7.1.1  nMOS傳輸門
    7.1.2  pMOS傳輸門
    7.1.3  CMOS傳輸門
  7.2  傳輸門邏輯電路
    7.2.1  傳輸門邏輯電路舉例
    7.2.2  傳輸門邏輯的特點
  7.3  基於二叉判決圖BDD的傳輸門邏輯生成方法
  7.4  基本CMOS動態邏輯電路
    7.4.1  基本CMOS動態邏輯電路的工作原理

    7.4.2  動態邏輯電路的優缺點
  7.5  傳輸門隔離動態邏輯電路
    7.5.1  傳輸門隔離動態邏輯電路工作原理
    7.5.2  傳輸門隔離多級動態邏輯電路的時鐘信號
    7.5.3  多米諾邏輯
  7.6  動態邏輯電路中存在的問題及解決方法
    7.6.1  電荷泄漏
    7.6.2  電荷共享
    7.6.3  時鐘饋通
    7.6.4  體效應
  技術拓展：如何選擇邏輯類型
  基礎習題
  高階習題
第8章  時序邏輯電路
  8.1  電荷的存儲機理
    8.1.1  靜態存儲機理
    8.1.2  動態存儲機理
  8.2  電平敏感鎖存器
    8.2.1  CMOS選擇器型鎖存器
    8.2.2  基於傳輸門多選器的D鎖存器
    8.2.3  動態鎖存器
  8.3  邊沿觸發寄存器
    8.3.1  寄存器的幾個重要參數
    8.3.2  CMOS靜態主從結構寄存器
    8.3.3  傳輸門多路開關型寄存器
    8.3.4  C2MOS寄存器
  8.4  其他類型寄存器
    8.4.1  脈衝觸發鎖存器
    8.4.2  靈敏放大器型寄存器
    8.4.3  施密特觸發器
  8.5  帶複位及使能信號的D寄存器
    8.5.1  同步複位D寄存器
    8.5.2  非同步複位D寄存器
    8.5.3  帶使能信號的同步複位D寄存器
  8.6  寄存器的應用及時序約束
    8.6.1  計數器
    8.6.2  時序電路的時序約束
  技術拓展：非同步數字系統
  基礎習題
  高階習題
第9章  MOS邏輯功能部件
  9.1  多路開關
  9.2  加法器和進位鏈
    9.2.1  加法器定義
    9.2.2  全加器電路設計
    9.2.3  進位鏈
  9.3  算術邏輯單元
    9.3.1  以傳輸門邏輯電路為主體的算術邏輯單元
    9.3.2  以靜態邏輯門電路為主體的算術邏輯單元
  9.4  移位器

  9.5  乘法器
  技術拓展：片上系統技術
  基礎習題
  高階習題
第10章  半導體存儲器
  10.1  半導體存儲器概述
    10.1.1  半導體存儲器的分類
    10.1.2  半導體存儲器的相關性能參數
    10.1.3  半導體存儲器的結構
  10.2  非揮發性只讀存儲器
    10.2.1  ROM的基本存儲單元
    10.2.2  MOS-OR和NOR型ROM
    10.2.3  MOS-NAND型ROM
    10.2.4  預充式ROM
    10.2.5  一次性可編程ROM
  10.3  非揮發性讀寫存儲器
    10.3.1  可擦除可編程ROM
    10.3.2  電可擦除可編程ROM
    10.3.3  FLASH存儲器
  10.4  隨機存取存儲器
    10.4.1  SRAM
    10.4.2  DRAM
  10.5  存儲器外圍電路
    10.5.1  地址解碼單元
    10.5.2  靈敏放大器
    10.5.3  時序和控制電路
  技術拓展：高密度存儲器
  基礎習題
  高階習題
第11章  模擬集成電路基礎
  11.1  模擬集成電路中的特殊元件
    11.1.1  MOS可變電容
    11.1.2  集成雙極型晶體管
    11.1.3  集成MOS管
  11.2  MOS晶體管及雙極晶體管的小信號模型
    11.2.1  MOS晶體管的小信號模型
    11.2.2  雙極晶體管的小信號模型
  11.3  恆流源電路
    11.3.1  電流源
    11.3.2  電流基準電路
  11.4  基準電壓源電路
    11.4.1  基準電壓源的主要性能指標
    11.4.2  帶隙基準電壓源的基本原理
  11.5  單級放大器
    11.5.1  MOS集成電路中的單級放大器
    11.5.2  雙極集成電路中的單級放大器
  11.6  差動放大器
    11.6.1  MOS差動放大器
    11.6.2  雙極晶體管差動放大器
  技術拓展：亞閾值設計

  基礎習題
  高階習題
第12章  D/A及A/D變換器
  12.1  D/A變換器基本概念
    12.1.1  D/A變換器基本原理
    12.1.2  D/A變換器的分類
    12.1.3  D/A變換器的主要技術指標
  12.2  D/A變換器的基本類型
    12.2.1  電流定標D/A變換器
    12.2.2  電壓定標D/A變換器
    12.2.3  電荷定標D/A變換器
  12.3  A/D變換器的基本概念
    12.3.1  A/D變換器基本原理
    12.3.2  A/D變換器的分類
    12.3.3  A/D變換器的主要技術指標
  12.4  A/D變換器的常用類型
    12.4.1  積分型A/D變換器
    12.4.2  逐次逼近式A/D變換器
    12.4.3  Σ-ΔA/D變換器
    12.4.4  全並行A/D變換器
    12.4.5  流水線A/D變換器
  技術拓展：A/D變換器的發展方向
  基礎習題
  高階習題
參考文獻

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