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半導體干法刻蝕技術(原子層工藝)/集成電路科學與工程叢書

  • 作者：(美)索斯藤·萊爾|責編:劉星寧|譯者:丁扣寶
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111734260
  • 出版日期：2023/09/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：225
人民幣：RMB 119 元      售價：元
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內容大鋼
    集成電路製造向幾納米節點工藝的發展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術，原子層刻蝕（ALE）技術應運而生。本書主要內容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉向半導體製造的新興刻蝕技術，涵蓋了定向和各向同性ALE的最新研究和進展。本書以特定的刻蝕應用作為所討論機制的示例，例如柵極刻蝕、接觸孔刻蝕或3D NAND通道孔刻蝕，有助於對所有干法刻蝕技術的原子層次理解。
    本書概念清晰，資料豐富，內容先進，可作為微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業的研究生和高年級本科生的教學參考書，也可供相關領域的工程技術人員參考。
作者介紹
(美)索斯藤·萊爾|責編:劉星寧|譯者:丁扣寶
    索斯藤·萊爾（Thorsten Lill），博士，美國泛林集團（Lam Research）新興刻蝕技術和系統事業部副總裁。他在德國弗萊堡大學獲得物理學博士學位，並在美國阿貢國家實驗室進行博士后研究。他在該領域發表了88篇文章，擁有89項專利。
目錄
譯者序
縮寫詞表
第1章  引言
  參考文獻
第2章  理論基礎
  2.1  刻蝕工藝的重要性能指標
    2.1.1  刻蝕速率（ER）
    2.1.2  刻蝕速率不均勻性（ERNU）
    2.1.3  選擇性
    2.1.4  輪廓
    2.1.5  關鍵尺寸（CD）
    2.1.6  線寬粗糙度和線邊緣粗糙度（LWR和LER）
    2.1.7  邊緣放置誤差（EPE）
    2.1.8  深寬比相關刻蝕（ARDE）
  2.2  物理吸附和化學吸附
  2.3  解吸
  2.4  表面反應
  2.5  濺射
  2.6  注入
  2.7  擴散
  2.8  三維形貌中的輸運現象
    2.8.1  中性粒子輸運
    2.8.2  離子輸運
    2.8.3  反應產物輸運
  2.9  刻蝕技術的分類
  參考文獻
第3章  熱刻蝕
  3.1  熱刻蝕的機理和性能指標
    3.1.1  刻蝕速率和ERNU
    3.1.2  選擇性
    3.1.3  輪廓和CD控制
    3.1.4  ARDE
  3.2  應用示例
  參考文獻
第4章  熱各向同性ALE
  4.1  熱各向同性ALE機制
    4.1.1  螯合/縮合ALE
    4.1.2  配體交換ALE
    4.1.3  轉化ALE
    4.1.4  氧化/氟化ALE
  4.2  性能指標
    4.2.1  刻蝕速率（EPC）
    4.2.2  ERNU（EPC非均勻性）
    4.2.3  選擇性
    4.2.4  輪廓和ARDE
    4.2.5  CD控制
    4.2.6  表面光滑度
  4.3  等離子體輔助熱各向同性ALE
  4.4  應用示例
    4.4.1  區域選擇性沉積

    4.4.2  橫向器件的形成
  參考文獻
第5章  自由基刻蝕
  5.1  自由基刻蝕機理
  5.2  性能指標
    5.2.1  刻蝕速率和ERNU
    5.2.2  選擇性
    5.2.3  輪廓和ARDE
    5.2.4  CD控制
  5.3  應用示例
  參考文獻
第6章  定向ALE
  6.1  定向ALE機制
    6.1.1  具有定向改性步驟的ALE
    6.1.2  具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE
    6.1.3  具有定向去除步驟和通過反應層沉積進行改性的ALE
  6.2  性能指標
    6.2.1  刻蝕速率（EPC）
    6.2.2  ERNU（EPC非均勻性）
    6.2.3  選擇性
    6.2.4  輪廓和ARDE
    6.2.5  表面平整度和LWR/LER
  6.3  應用示例
    6.3.1  具有定向改性步驟的ALE
    6.3.2  具有定向去除步驟及化學吸附和擴散改性的ALE
    6.3.3  具有定向去除步驟和通過反應層沉積進行改性的ALE
  參考文獻
第7章  反應離子刻蝕
  7.1  反應離子刻蝕機制
    7.1.1  同時發生的物種通量
    7.1.2  化學濺射
    7.1.3  混合層形成
    7.1.4  刻蝕產物的作用
  7.2  性能指標
    7.2.1  刻蝕速率
    7.2.2  ERNU
    7.2.3  ARDE
    7.2.4  選擇性
    7.2.5  輪廓控制
      7.2.5.1  側壁鈍化
      7.2.5.2  刻蝕物種的選擇
      7.2.5.3  溫度
    7.2.6  CD控制
    7.2.7  表面光滑度
    7.2.8  LWR/LER
  7.3  應用示例
    7.3.1  圖案化
      7.3.1.1  自對準圖案化
      7.3.1.2  極紫外（EUV）光刻
    7.3.2  邏輯器件

      7.3.2.1  Fin刻蝕
      7.3.2.2  柵極刻蝕
      7.3.2.3  側牆刻蝕
      7.3.2.4  接觸孔刻蝕
      7.3.2.5  BEOL刻蝕
    7.3.3  DRAM和3DNAND存儲器
      7.3.3.1  DRAM電容單元刻蝕
      7.3.3.2  高深寬比3DNAND刻蝕
    7.3.4  新興存儲
      7.3.4.1  相變存儲器（PCM）
      7.3.4.2  ReRAM
  參考文獻
第8章  離子束刻蝕
  8.1  離子束刻蝕的機理和性能指標
  8.2  應用示例
  參考文獻
第9章  刻蝕物種產生
  9.1  低溫等離子體概述
  9.2  電容耦合等離子體
  9.3  電感耦合等離子體
  9.4  離子能量分佈調製
  9.5  等離子體脈衝
  9.6  格柵源
  參考文獻
第10章  新興刻蝕技術
  10.1  電子輔助化學刻蝕
  10.2  光子輔助化學刻蝕
  參考文獻

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