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圖說集成電路製造工藝(全彩圖解)

  • 作者：編者:孫洪文|責編:耍利娜
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122432902
  • 出版日期：2023/08/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：271
人民幣：RMB 99 元      售價：元
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內容大鋼
    晶元是用管殼封裝好的集成電路。現代生活中隨處可見的電子產品，都離不開各式各樣的晶元。那麼，功能強大的晶元到底是怎樣製造而成的？讓我們跟著本書一探究竟吧！
    《圖說集成電路製造工藝》首先用輕鬆有趣的語言介紹了半導體行業的發展史；接著將整個晶元製造流程分為「加」「減」「乘」「除」四類，用圖說的形式，全面細緻地講解了氧化、化學氣相淀積、物理法沉積薄膜、擴散、離子注入、清洗矽片、刻蝕、化學機械拋光、離子注入退火、迴流、製備合金、光刻等核心工藝，同時對半導體材料、凈化間、化學試劑、氣體、半導體設備、掩膜版等必需條件也做了介紹。
    《圖說集成電路製造工藝》一書內容全面，語言凝練，圖文並茂，是一本「硬核」科普書，非常適合集成電路行業人員、對集成電路及前沿科技感興趣的讀者閱讀，也可用作高等院校微電子、電子科學與技術等相關專業的教材及參考書。
作者介紹
編者:孫洪文|責編:耍利娜
目錄
第1篇  集成電路製備前的準備工作
第1章  點石成金的神奇行業
  1.1  有趣的半導體產業歷史
    1.1.1  電子管時代
    1.1.2  晶體管時代
    1.1.3  集成電路時代
  1.2  半導體行業現狀
    1.2.1  半導體行業概況
    1.2.2  半導體設計業現狀
    1.2.3  半導體製造業現狀
    1.2.4  半導體封測行業現狀
    1.2.5  中國大陸半導體產業現狀
  1.3  晶元是怎樣煉成的？
第2章  電子產業的基石——硅
  2.1  煉丹爐里生長硅
  2.2  硅的「脾性」
  2.3  半導體器件的基礎——PN結
  2.4  雙極型晶體管
  2.5  MOS管
  2.6  應力工程-應變硅
  2.7  鰭式場效應晶體管
第3章  晶元製造的戰略支援部隊
  3.1  比手術室還乾淨的地方——凈化間
    3.1.1  良率——半導體製造的生命線
    3.1.2  沾污的類型與來源
    3.1.3  凈化間的結構
  3.2  半導體製造中的化學品
    3.2.1  化學溶液
    3.2.2  氣體
  3.3  半導體設備
  3.4  半導體測量
  3.5  集成電路設計與製造的橋樑——掩膜版
第4章  集成電路工藝概述
  4.1  Fab的分區
  4.2  典型CMOS工藝流程
  4.3  集成電路工藝里的「加」「減」「乘」「除」
第2篇  集成電路工藝中的「加法」
第5章  氧化
  5.1  二氧化硅的結構與性質
    5.1.1  二氧化硅的結構
    5.1.2  二氧化硅的物理性質
    5.1.3  二氧化硅的化學性質
  5.2  氧化工藝
    5.2.1  氧化生長機制
    5.2.2  干氧氧化
    5.2.3  水汽氧化
    5.2.4  濕氧氧化
    5.2.5  影響氧化速率的因素
  5.3  二氧化硅的應用
    5.3.1  器件保護與表面鈍化

    5.3.2  器件隔離
    5.3.3  柵氧電介質
    5.3.4  摻雜阻擋
    5.3.5  金屬層間介質層
    5.3.6  氧化硅的其他應用
    5.3.7  氧化硅的應用總結
  5.4  氧化設備
    5.4.1  ?式爐
    5.4.2  立式爐
    5.4.3  快速熱處理（RTP）設備
  5.5  氧化質量檢查及故障排除
    5.5.1  氧化質量檢查
    5.5.2  氧化故障排除
第6章  化學氣相淀積
  6.1  薄膜淀積概述
  6.2  化學氣相淀積工藝
    6.2.1  CVD工藝概述
    6.2.2  CVD淀積系統
    6.2.3  APCVD
    6.2.4  LPCVD
    6.2.5  PECVD
    6.2.6  HDPCVD
    6.2.7  CVD過程中的摻雜
  6.3  介質及其性能
    6.3.1  介電常數k
    6.3.2  低k材料
    6.3.3  超低k材料
    6.3.4  高k材料
  6.4  外延
    6.4.1  外延概述
    6.4.2  氣相外延 （VPE）
    6.4.3  分子束外延（MBE）
    6.4.4  金屬有機CVD（MOCVD）
  6.5  CVD薄膜質量影響因素及故障排除
    6.5.1  CVD薄膜質量影響因素
    6.5.2  CVD故障檢查及排除
    6.5.3  顆粒清除
第7章  物理法沉積薄膜
  7.1  集成電路工藝中的金屬
    7.1.1  鋁
    7.1.2  鋁銅合金
    7.1.3  銅
    7.1.4  硅化物
    7.1.5  金屬填充塞
    7.1.6  阻擋層金屬
  7.2  金屬淀積工藝
    7.2.1  蒸發
    7.2.2  濺射
    7.2.3  金屬CVD
    7.2.4  銅電鍍

  7.3  旋塗
  7.4  鋁互連工藝流程
  7.5  銅互連工藝流程
    7.5.1  單大馬士革工藝
    7.5.2  雙大馬士革工藝
  7.6  金屬薄膜的質量檢查及故障排除
第8章  擴散
  8.1  擴散原理
  8.2  擴散工藝步驟
  8.3  擴散應用
第9章  離子注入
  9.1  離子注入工藝
  9.2  離子注入機
  9.3  離子注入中的溝道效應
  9.4  離子注入的應用
  9.5  離子注入后的質量測量
  9.6  離子注入中的安全問題
第3篇  集成電路工藝中的「減法」
第10章  清洗矽片
  10.1  清洗目的
  10.2  清洗矽片的標準流程
  10.3  干法清洗工藝
  10.4  矽片清洗設備
第11章  刻蝕
  11.1  刻蝕概述
    11.1.1  刻蝕原理
    11.1.2  刻蝕分類
    11.1.3  刻蝕參數
  11.2  濕法刻蝕
  11.3  干法刻蝕
    11.3.1  干法刻蝕概述
    11.3.2  二氧化硅的干法刻蝕
    11.3.3  多晶硅的干法刻蝕
    11.3.4  氮化硅的干法刻蝕
    11.3.5  金屬的干法刻蝕
    11.3.6  光刻膠的干法刻蝕
    11.3.7  干法刻蝕終點檢測
  11.4  刻蝕質量檢查
第12章  化學機械拋光
  12.1  平坦化概述
  12.2  傳統平坦化工藝
  12.3  化學機械拋光
    12.3.1  CMP機理
    12.3.2  CMP優缺點
    12.3.3  CMP主要參數
    12.3.4  CMP設備組成
    12.3.5  CMP終點檢測
    12.3.6  CMP后清洗
  12.4  CMP應用
第4篇  集成電路工藝中的「乘法」

第13章  離子注入退火
  13.1  摻雜離子注入之後的退火
  13.2  離子注入製備SOI時的退火
  13.3  製備高k介質時的退火
  13.4  退火方式
第14章  迴流
  14.1  PSG迴流
  14.2  BPSG迴流
第15章  製備合金
  15.1  製備多晶硅金屬硅化物（polycide）
  15.2  製備自對準金屬硅化物（salicide）
    15.2.1  製備Ti硅化物
    15.2.2  製備Co硅化物
    15.2.3  製備NiPt硅化物
  15.3  自對準硅化物阻擋層（SAB）技術
第5篇  集成電路工藝中的「除法」
第16章  深紫外（DUV）光刻
  16.1  光刻概述
    16.1.1  光刻原理
    16.1.2  光刻參數
    16.1.3  光刻成本
  16.2  光刻工藝流程
  16.3  氣相成底膜處理
  16.4  旋塗光刻膠
    16.4.1  光刻膠的組成
    16.4.2  光刻膠的特性
    16.4.3  對光刻膠的要求
    16.4.4  光刻膠的塗敷
  16.5  軟烘
  16.6  對準曝光
    16.6.1  光刻光源
    16.6.2  曝光關鍵參數
    16.6.3  相移掩膜技術
    16.6.4  光學臨近修正
    16.6.5  浸沒式光刻技術
  16.7  曝光后烘焙
  16.8  顯影
  16.9  堅膜烘焙
  16.10  圖案檢查
  16.11  光刻設備
    16.11.1  接觸式光刻機
    16.11.2  接近式光刻機
    16.11.3  掃描投影光刻機
    16.11.4  分步重複光刻機
    16.11.5  步進掃描光刻機
  16.12  硬掩膜技術
  16.13  雙重圖案曝光與多重圖案曝光技術
  16.14  光刻質量檢查
    16.14.1  光刻膠質量檢查
    16.14.2  對準和曝光質量檢查

    16.14.3  顯影質量檢查
  16.15  光刻安全
第17章  極紫外（EUV）光刻
  17.1  EUV光刻原理
  17.2  EUV光刻優點
  17.3  EUV光刻面臨的挑戰
  17.4  EUV光刻設備
  17.5  EUV光刻技術展望
第18章  納米壓印——下一代光刻技術
  18.1  納米壓印技術的原理
  18.2  納米壓印技術的發展
  18.3  納米壓印技術的應用
  18.4  納米壓印設備
第19章  其他光刻技術
  19.1  電子束光刻技術
  19.2  離子束光刻技術
  19.3  X射線光刻技術
  19.4  定向自組裝技術
第6篇  未來的集成電路工藝
第20章  集成電路工藝發展趨勢
  20.1  未來集成電路的應用領域
  20.2  未來的集成電路工藝發展趨勢
第21章  集成電路產業中的「卡脖子」問題
  21.1  集成電路製造領域
  21.2  集成電路設計領域
附錄
參考文獻

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