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功率半導體器件/半導體與集成電路關鍵技術叢書

  • 作者：編者:關艷霞//劉斌//吳美樂//盧雪梅|責編:朱林
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111727743
  • 出版日期：2023/06/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：237
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    本書內容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發展歷程，主要包括功率半導體器件這個「大家族」的主要成員及各自的特點和發展歷程。第2部分介紹功率二極體，在傳統的功率二極體（肖特基二極體和PiN二極體）的基礎上，增加了JBS二極體和MPS二極體等新型單、雙極型二極體的內容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統開關器件和現代開關器件，傳統開關器件以晶閘管為主，在此基礎上，介紹以GTO晶閘管為主的派生器件；現代功率開關器件以功率MOSFET和IGBT為主。第4部分為功率半導體器件應用綜述，以脈衝寬度調製（PWM）為例說明如何根據器件的額定電壓和電路的開關頻率選擇適合應用的最佳器件。
    本書適合電子科學、電力電子及電氣傳動、半導體及集成電路等專業技術人員參考，也可作為相關專業本科生及研究生教材。
    本書配有教學視頻（掃描書中二維碼直接觀看）及電子課件等教學資源，需要配套資源的教師可登錄機械工業出版社教育服務網www.cmpedu.com免費註冊後下載。
作者介紹
編者:關艷霞//劉斌//吳美樂//盧雪梅|責編:朱林
目錄
前言
第1章  緒論
  1.1  電力電子器件和電力電子學
  1.2  功率半導體器件的定義
  1.3  功率半導體器件的種類
  1.4  功率整流管
    1.4.1  單極型功率二極體
    1.4.2  雙極型功率二極體
  1.5  功率半導體開關器件
    1.5.1  晶閘管類功率半導體器件
    1.5.2  雙極型功率晶體管
    1.5.3  功率MOSFET
    1.5.4  IGBT
  1.6  硅功率集成電路
  1.7  碳化硅功率開關
  1.8  功率半導體器件的發展
    1.8.1  功率半導體器件的發展歷程
    1.8.2  功率半導體器件的發展趨勢
  參考文獻
第2章  單極型功率二極體
  2.1  功率肖特基二極體
    2.1.1  功率肖特基二極體的結構
    2.1.2  正嚮導通狀態
    2.1.3  反向阻斷特性
  2.2  結勢壘控制肖特基（JBS）二極體
    2.2.1  JBS二極體的結構
    2.2.2  正嚮導通模型
    2.2.3  反向漏電流模型
  2.3  溝槽肖特基勢壘控制肖特基（TSBS）二極體
  2.4  溝槽MOS勢壘控制肖特基（TMBS）二極體
  參考文獻
第3章  雙極型功率二極體
  3.1  PiN二極體的結構與靜態特性
    3.1.1  PiN二極體的結構
    3.1.2  PiN二極體的反向耐壓特性
    3.1.3  PiN二極體通態特性
  3.2  碳化硅PiN二極體
  3.3  PiN二極體的動態特性
    3.3.1  PiN二極體的開關特性
    3.3.2  PiN二極體的動態反向特性
  3.4  PiN二極體反向恢復過程中電流的瞬變
  3.5  現代PiN二極體的設計
    3.5.1  有軸向載流子壽命分佈的二極體
    3.5.2  SPEED結構
  3.6  MPS二極體
    3.6.1  MPS二極體的工作原理
    3.6.2  碳化硅MPS整流器
    3.6.3  反向阻斷特性
    3.6.4  開關特性
  參考文獻

第4章  晶閘管
  4.1  概述
    4.1.1  晶閘管基本結構和基本特性
    4.1.2  基本工作原理
  4.2  晶閘管的耐壓能力
    4.2.1  PNPN結構的反向轉折電壓
    4.2.2  PNPN結構的正向轉折電壓
    4.2.3  晶閘管的高溫特性
  4.3  晶閘管最佳阻斷參數的確定
    4.3.1  最佳正、反向阻斷參數的確定
    4.3.2  λ因子設計法
    4.3.3  關於阻斷參數優化設計法的討論
    4.3.4  P2區相關參數的估算
    4.3.5  表面耐壓和表面造型
  4.4  晶閘管的門極特性與門極參數的計算
    4.4.1  晶閘管的觸發方式
    4.4.2  門極參數
    4.4.3  門極觸發電流、觸發電壓的計算
    4.4.4  中心放大門極觸發電流、電壓的計算
  4.5  晶閘管的通態特性
    4.5.1  通態特徵分析
    4.5.2  計算晶閘管正向壓降的模型
    4.5.3  正向壓降的計算
  4.6  晶閘管的動態特性
    4.6.1  晶閘管的導通過程與特性
    4.6.2  通態電流臨界上升率
    4.6.3  斷態電壓臨界上升率
    4.6.4  關斷特性
  4.7  晶閘管的派生器件
    4.7.1  快速晶閘管
    4.7.2  雙向晶閘管
    4.7.3  逆導晶閘管
    4.7.4  門極關斷（GTO）晶閘管
    4.7.5  門極換流晶閘管
  參考文獻
第5章  現代功率半導體器件
  5.1  功率MOSFET
    5.1.1  功率MOSFET的結構
    5.1.2  功率MOSFET的基本特性
    5.1.3  VD-MOSFET的導通電阻
    5.1.4  VD-MOSFET元胞的優化
    5.1.5  VD-MOSFET阻斷電壓影響因素分析
    5.1.6  功率MOSFET的開關特性
  5.2  絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
    5.2.1  IGBT的基本結構
    5.2.2  IGBT的工作原理與輸出特性
    5.2.3  IGBT的阻斷特性
    5.2.4  IGBT的通態特性
    5.2.5  IGBT的開關特性
    5.2.6  擎住效應

  參考文獻
第6章  功率半導體器件應用綜述
  6.1  典型H橋拓撲
  6.2  低直流匯流排電壓下的應用
  6.3  中等直流匯流排電壓下的應用
  6.4  高直流匯流排電壓下的應用
  參考文獻

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