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半導體器件原理簡明教程(第2版普通高等教育電子科學與技術特色專業系列教材)

  • 作者：編者:傅興華//丁召//馬奎//楊發順|責編:陳琪
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030749482
  • 出版日期：2023/03/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：272
人民幣：RMB 69 元      售價：元
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內容大鋼
    本書在簡要介紹半導體物理知識的基礎上，討論了pn結、雙極型晶體管、結型場效應晶體管、絕緣柵場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質結、半導體光電子器件、其他半導體器件的基本結構、基本工作原理和基本分析方法。
    本書語言簡明、物理概念清楚，可作為高等院校電子信息類相關專業半導體器件原理課程的教材，也可供有關科研人員和工程技術人員參考。
作者介紹
編者:傅興華//丁召//馬奎//楊發順|責編:陳琪
目錄
第1章  半導體物理基礎
  1.1  晶體結構
  1.2  能帶結構
  1.3  半導體中載流子的統計分佈
  1.4  載流子的漂移運動
  1.5  載流子的擴散運動
  1.6  非平衡載流子
  1.7  半導體基本方程
  習題
第2章  pn結
  2.1  pn結的形成及其單嚮導電性
  2.2  pn結空間電荷區基本特性
    2.2.1  平衡pn結的能帶結構和載流子分佈
    2.2.2  非平衡pn結的能帶結構和載流子分佈
    2.2.3  pn結的電場和電勢分佈
  2.3  pn結的直流特性
    2.3.1  非平衡pn結擴散區的載流子分佈和擴散電流
    2.3.2  pn結的勢壘複合電流和產生電流
    2.3.3  正偏pn結的大注入效應
  2.4  pn結的耗盡層電容
  2.5  pn結的小信號交流特性
    2.5.1  pn結的擴散電容
    2.5.2  pn結的交流參數和等效電路
  2.6  pn結的開關特性
  2.7  pn結的擊穿
    2.7.1  擊穿機理概述
    2.7.2  雪崩擊穿條件
    2.7.3  雪崩擊穿電壓的計算
  習題
第3章  雙極型晶體管
  3.1  雙極型晶體管的基本結構
  3.2  雙極型晶體管內載流子的輸運過程
  3.3  雙極型晶體管的電流放大係數
    3.3.1  均勻基區晶體管的電流增益因子的簡化推導
    3.3.2  均勻基區晶體管電流增益因子的數學推導
    3.3.3  緩變基區晶體管的電流放大係數
    3.3.4  發射區重摻雜條件下的禁帶變窄效應
    3.3.5  大注入效應
  3.4  晶體管的直流特性
    3.4.1  晶體管的電流電壓方程
    3.4.2  晶體管的擊穿電壓
    3.4.3  縱向基區擴展效應
    3.4.4  發射極電流集邊效應
    3.4.5  晶體管的安全工作區
  3.5  雙極型晶體管的頻率特性
    3.5.1  雙極型晶體管頻率特性概述
    3.5.2  延遲時間的計算
    3.5.3  晶體管的電流放大係數的頻率特性
    3.5.4  晶體管的高頻等效電路和最高振蕩頻率
  3.6  雙極型晶體管的開關特性

    3.6.1  晶體管工作區域的劃分及其飽和工作狀態
    3.6.2  晶體管的開關過程
  習題
第4章  場效應晶體管
  4.1  結型場效應晶體管
    4.1.1  結型場效應晶體管的工作原理
    4.1.2  JFET的電流-電壓方程
    4.1.3  JFET的直流參數和頻率參數
    4.1.4  JFET的短溝道效應
  4.2  絕緣柵場效應晶體管
    4.2.1  半導體表面的特性和理想MOS結構
    4.2.2  MOSFET結構及其工作原理
    4.2.3  MOSFET的閾值電壓
    4.2.4  MOSFET的電流電壓關係
    4.2.5  MOSFET的亞閾區導電
    4.2.6  MOSFET的擊穿電壓
    4.2.7  MOSFET的高頻等效電路和頻率特性
    4.2.8  MOSFET的短溝道效應
    4.2.9  MOSFET閾值電壓的調整
    4.2.10  MOSFET的縮比理論
    4.2.11  熱電子效應和輻射效應
  習題
第5章  金屬-半導體接觸和異質結
  5.1  金屬-半導體接觸
    5.1.1  理想金屬-半導體接觸
    5.1.2  非理想效應
    5.1.3  金屬-半導體接觸的電流電壓關係
    5.1.4  歐姆接觸的實現方法
  5.2  異質結
    5.2.1  異質結半導體材料能帶結構的對應關係
    5.2.2  異質結的能帶圖的畫法
    5.2.3  異質結的基本特性
    5.2.4  同型異質結
  5.3  應變異質結
  習題
第6章  半導體光電子器件
  6.1  半導體的光吸收和光發射
    6.1.1  光的基本性質
    6.1.2  光在半導體中的吸收
    6.1.3  半導體的光發射
  6.2  太陽能電池
  6.3  光探測器件
  6.4  發光二極體
    6.4.1  發光二極體基礎
    6.4.2  能帶工程
  6.5  半導體激光器件
    6.5.1  半導體激光器件基礎
    6.5.2  量子阱激光器
    6.5.3  垂直腔面發射激光器
  習題

第7章  其他半導體器件
  7.1  信息存儲器件
    7.1.1  MOS電容器的動態特性
    7.1.2  隨機存取存儲器
    7.1.3  閃爍存儲器
    7.1.4  CCD器件
  7.2  負阻器件
    7.2.1  隧道二極體
    7.2.2  IMPATT器件
    7.2.3  Gunn二極體
    7.2.4  三端負阻器件
  7.3  功率器件
    7.3.1  晶閘管
    7.3.2  VDMOS和LDMOS
    7.3.3  絕緣柵控雙極型晶體管
  習題
附錄A  物理常數表
附錄B  晶體結構和晶格常數（A）
附錄C  重要半導體的基本性質
附錄D  硅、砷化鎵和鍺的重要性質
附錄E  二氧化硅和氮化硅的性質
附錄F  硅中的雜質能級
附錄G  砷化鎵中的雜質能級
參考文獻

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