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漫談光通信(晶元卷)

  • 作者：匡國華|責編:王體輝
  • 出版社：上海科技
  • ISBN：9787547860359
  • 出版日期：2023/01/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：358
人民幣：RMB 98 元      售價：元
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內容大鋼
    光通信作為一個新興產業，逐漸成為現代通信的主要支柱之一。本書採用通俗詼諧的語言，深入淺出地介紹光通信領域中光晶元相關的知識與技術，同時對光晶元及其相關產品的應用、市場、歷史、發展等進行多角度解讀。
作者介紹
匡國華|責編:王體輝
    匡國華，籍貫河北省石家莊市。畢業於電子科技大學，曾就職于華中光電技術研究所和中興通訊，光通信行業從業近二十年，2015年創辦光通信行業自媒體「光通信女人」，創號4年，平均年閱讀超過300萬人次，漸成為行業內主要的技術、市場、咨詢交流平台。2016年創辦菲魅通信技術有限公司，為光通信行業供應鏈、人才特聘、共享資源提供服務。
目錄
半導體激光器激光器
  激光器小信號頻響
  DFB激光器等效電路模型
  FP，DFB，DBR的區別
  【5G光模塊】——FP激光器的模式分配雜訊
  DFB雙峰對光通信系統的影響
  DFB激光器雙峰
  DFB直調激光器的發展方向
  相干光模塊中的窄線寬激光器
  用於突發模式下一代PON的MEL激光器雙電級DFB
  非製冷DWDM激光器
  FP和DBR的區別
  DFB的發展史
  DFB的光柵
  雙腔DFB激光器
  區分FP，DFB，DML，EML，VCSEL
  激光器發散角優化結構
  為什麼激光器的BH結構需要多次外延
  背光
  為什麼不能「輕易」把GPON　ONU的DFB激光器換成便宜的FP
  區分DFB，DML，EML80DBR激光器
  DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵
  多縱模激光器的傳輸距離
  單縱模激光器的傳輸距離
  FP與DFB的波長溫度漂移
  區分電光效應、光電效應與電致發光效應
  相干通信歷程、可調諧光源標準發展史
  可調諧激光器
  外腔激光器
DML的啁啾與補償
  激光器的啁啾、展寬與色散
  啁啾
  直調激光器啁啾管理的幾個方案
  啁啾光柵與色散補償
  利用微環做DML的啁啾管理
  直調激光器的傳輸並不是距離越長TDP就一定越大
  PT對稱光柵
  Avago的高速VCSEL
  MEMS　VCSEL
  比VCSEL小100倍的BICSEL
  Finisar　VCSEL用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/sPAM4信號
  超薄激光器
  鈮酸鋰調製器電光調製器
鈮酸鋰調製器
  為何鈮酸鋰調製器那麼長
  鈮酸鋰薄膜製備
電吸收調製器
  EAM電吸收調製器等效模型
  為何探測器和電吸收調製器，加反電壓，而不是正電壓
  電吸收調製器的吸收波長紅移

  非製冷單波100Gb/sEML
  EML更容易實現更大的消光比
  電吸收調製激光器EML
  為什麼EML要加一個TEC
半導體調製器
  熱光調製
  PN結載流子耗盡型硅基調製器
  光調製器的載流子耗盡型與注入型的區別
光探測器探測器
  探測器響應度與光模塊靈敏度之間的關係
  幾種探測器的結構
  垂直型與波導型PIN
  平衡探測器
  探測器速率與結電容
  探測器結構與響應度、靈敏度
  探測器材料與截止波長
  探測器材料之Si，GeSi，GaAs
  探測器響應度下降原因218APD的蓋革模式
  APD蓋革模式的應用
  光電二極體檯面結構
半導體工藝
  GaAs襯底
  激光器襯底——InP單晶
  激光器中含鋁材料
  為什麼激光器的熱燒蝕，更容易發生在腔表面
  激光器有源材料晶格缺陷與可靠性，GaAs比InP更難
  激光器晶格缺陷之線位錯
  激光器襯底生長技術：VGF垂直梯度凝固法
  分子束外延
  半導體工藝中的「退火」
  激光器材料生長——張應變和壓應變
  衍射極限
  電子束光刻EBL
  納米壓印
  激光器波導結構製作： 干法刻蝕與濕法刻蝕
  MACOM激光器垂直端面刻蝕
  DFB激光器的倒台波導
  磁控濺射——光晶元電極製作
  CBN立方氮化硼
  脈衝激光濺射
  電子束蒸鍍——光晶元電極製作
  半導體激光器歐姆接觸以及歐姆接觸與肖特基接觸的區別
  激光器減薄，與台階儀厚度檢測原理
  激光器端面鈍化
  激光器從材料到晶元310激光器晶圓划片與裂片
  特殊波導製作與激光冷加工
半導體物理與器件結構
  電晶元的材料Si，GeSi和GaAs
  半導體材料，P型、N型半導體與PN結
  FET，MOSFET，MESFET，MODFET

  三星3nm全環柵結構
  5nm晶體管技術之爭GAA　FET，IMEC　8nm納米線
  晶體管之BJT，FET，CMOS，HBT，HEMT
  電晶元的鍺硅與CMOS區別
  MOSFET與符號
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