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高溫SiC MEMS感測器的熱電特性

作者：(澳)丁東安//阮南中//陶宗越|責編:周涵//田軼靜|譯者:王興華//劉文寶//劉紅衛//李興冀
出版社：科學
ISBN：9787030724892

出版日期：2022/06/01
裝幀：平裝
頁數：133

人民幣：RMB 88 元售價：元

內容大鋼

本書主要介紹了碳化硅（SiC）感測器在高溫下熱電特性的研究進展。本書可分為三部分，共七章。第一部分從單層SiC和多層SiC的熱阻效應、熱電效應、熱電子效應和熱電容效應等物理效應方面來介紹SiC的熱電特性；第二部分介紹了SiC的諸多重要特徵以及SiCMEMS的製造流程，總結了SiC感測器、熱流感測器和對流慣性感測器的最新進展；第三部分論述了SiC熱電感測器的應用前景。
本書可作為高等院校微電子技術專業本科生及相關專業研究生的參考書，也可作為相關領域工程技術人員的參考資料。

作者介紹

(澳)丁東安//阮南中//陶宗越|責編:周涵//田軼靜|譯者:王興華//劉文寶//劉紅衛//李興冀

第1章  SiC及熱電特性簡介
  1.1  背景
  1.2  SiC
  1.3  SiC生長
  1.4  熱電特性
  1.5  高溫SiC MEMS感測器
  參考文獻
第2章  SiC熱電特性基礎
  2.1  熱阻效應
    2.1.1  半導體材料的物理參數與基本概念
    2.1.2  單晶碳化硅
    2.1.3  多晶破化硅
    2.1.4  非晶碳化硅
  2.2  熱電子效應
  2.3  熱電容效應
  2.4  熱電效應
  2.5  高溫下SiC熱電特性的研究現狀
    2.5.1  熱電效應的試驗裝置
    2.5.2  單層SiC的熱阻效應
    2.5.3  多層SiC的熱電效應
  2.64  H-SiCp-n結
  2.7  高溫下其他熱電特性
    2.7.1  熱電效應
    2.7.2  熱電容效應
  參考文獻
第3章  高溫SiC感測器的理想性能
  3.1  靈敏度
  3.2  線性度
  3.3  熱響應時間
  3.4  低功耗
  3.5  穩定性和其他性能
  參考文獻
第4章  SiC MEMS感測器的製備
  4.1  生長與摻雜
    4.1.1  SiC的生長
    4.1.2  SiC摻雜
  4.2  SiC刻蝕
    4.2.1  電化學刻蝕
    4.2.2  化學刻蝕
    4.2.3  干法刻蝕或反應離子刻蝕
  4.3  SiC的歐姆接觸和肖特基接觸
    4.3.1  歐姆接觸
    4.3.2  肖特基接觸
  4.4  SiC MEMS感測器的製造工藝
    4.4.1  表面微加工工藝
    4.4.2  體微加工工藝
    4.4.3  集成冷卻系統的MEMS器件的製備
  參考文獻
第5章  設計和工藝對SiC熱器件性能的影響
  5.1  襯底影響

  5.2  摻雜影響
  5.3  表面形貌
  5.4  沉積溫度
  5.5  幾何與尺寸
  參考文獻
第6章  SiC熱電特性的應用
  6.1  溫度感測器、溫度控制/補償與熱測量
    6.1.1  熱電阻
    6.1.2  p?n結溫度感測器
  6.2  熱阻感測器
    6.2.1  熱線及熱膜式流量感測器
    6.2.2  量熱式流量感測器
    6.2.3  飛行時間流量感測器
  6.3  對流加速度計與陀螺儀
    6.3.1  對流加速度計
    6.3.2  對流陀螺儀
  6.4  其他應用
    6.4.1  易燃氣體感測器
    6.4.2  集成加熱、感知和微流控冷卻的SiC MEMS
  參考文獻
第7章  SiC熱電感測器展望
  7.1  絕緣體上SiC薄膜
  7.2  SiC熱電器件與其他材料的集成
  7.3  SiC熱驅動器
  7.4  SiC感測器的發展與挑戰
  參考文獻

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