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垂直型GaN和SiC功率器件/半導體與集成電路關鍵技術叢書

  • 作者：(日)望月和浩|責編:付承桂//楊瓊|譯者:黃鋒//段寶興//柏松//萬成安//趙小寧
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111705024
  • 出版日期：2022/07/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：217
人民幣：RMB 99 元      售價：元
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內容大鋼
    近年來，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目。第三代半導體廣泛應用於新一代移動通信、新能源汽車、物聯網和國防電子等產業，已成為國際半導體領域的重點研究方向。
    本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關技術。內容涵蓋垂直型和橫向功率半導體器件的比較，GaN和SiC的物理性質、外延生長、製備工藝、主要器件結構與特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。
    本書適合從事GaN和SiC功率半導體技術的科研工作者、工程師閱讀，也可作為高等院校微電子科學與工程、電力電子技術等相關專業的教材。
作者介紹
(日)望月和浩|責編:付承桂//楊瓊|譯者:黃鋒//段寶興//柏松//萬成安//趙小寧
    望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）1986年獲得學士學位，1988年獲得碩士學位，1995年獲得日本東京大學電子工程專業博士學位。1988年加入東京日立株式會社中央研究實驗室，參與了GaN和SiC功率器件以及GaAs（砷化鎵）微波功率放大器的研究。從1999年到2000年，擔任加州大學聖地亞哥分校訪問研究員。自2015年以來，他供職于日本國家先進工業科學技術研究所。目前研究方向與高壓超結功率器件有關。他先後在國際學術期刊和會議論文集上發表100多篇研究論文。IEEE高級會員，日本應用物理學會會員。東京電子通信大學和東京法政大學兼職講師。
目錄
譯者的話
原書前言
第1章  垂直型與橫向功率半導體器件
  1.1  引言
  1.2  典型功率半導體器件特性
  1.3  垂直型與橫向單極功率半導體器件
    1.3.1  垂直型和橫向單極功率開關器件
    1.3.2  垂直型和橫向單極功率二極體
  1.4  總結
  參考文獻
第2章  GaN和SiC的物理性質
  2.1  引言
  2.2  晶體結構
    2.2.1  AIN和GaN的晶體結構
    2.2.2  SiC的晶體結構
    2.2.3  晶體缺陷
  2.3  能帶
  2.4  雜質摻雜
    2.4.1  n型摻雜
    2.4.2  p型摻雜
  2.5  載流子遷移率
  2.6  碰撞電離
  2.7  品質因數
  2.8  總結
  參考文獻
第3章  p-n結
  3.1  引言
  3.2  擴散
  3.3  連續性方程
  3.4  載流子複合壽命
    3.4.1  帶間複合壽命
    3.4.2  間接複合壽命
    3.4.3  俄歇複合壽命
    3.4.4  載流子複合壽命的整體表達式
  3.5  一維p+n突變結的耗盡區寬度
  3.6  一維正向電流／電壓特性
    3.6.1  小注入條件
    3.6.2  大注入條件
    3.6.3  測量電流／電壓特性的示例
  3.7  多維正向電流／電壓特性
    3.7.1  表面複合對p+n二極體外部電流的影響
    3.7.2  電場強度對非自對準檯面型p+n二極體的影響
  3.8  結擊穿
  3.9  總結
  參考文獻
第4章  光子回收效應
  4.1  引言
  4.2  光子回收現象的分類
  4.3  本征光子回收
  4.4  本征光子回收對正偏GaN p-n結二極體的影響

  4.5  自熱效應對正偏GaN p-n結二極體的影響
  4.6  非本征光子回收對正偏GaN p-n結二極體的影響
  4.7  非本征光子回收的可能模型
  4.8  總結
  參考文獻
第5章  體塊單晶生長
第6章  外延生長
第7章  製作工藝
第8章  金屬半導體接觸和單極功率二極體
第9章  金屬絕緣體半導體電容器和單極功率開關器件
第10章  雙極功率二極體和功率開關器件
第11章  邊緣終端
第12章  垂直型GaN和SiC功率器件可靠性

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