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半導體集成電路製造手冊(微電子學第2版)/經典譯叢

  • 作者：編者:(美)耿懷渝|責編:馮小貝|譯者:(美)耿懷渝
  • 出版社：電子工業
  • ISBN：9787121429408
  • 出版日期：2022/02/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：753
人民幣：RMB 268 元      售價：元
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內容大鋼
    本書是一本綜合性很強的半導體集成電路製造方面的參考手冊，由70多位國際專家撰寫，並在其前一版的基礎上進行了全面的修訂與更新。本書內容涵蓋集成電路晶元、MEMS、感測器和其他電子器件的設計與製造過程，相關技術的基礎知識和實際應用，以及對生產過程的計劃、實施和控制等運營管理方面的考慮。第二版新增了物聯網、工業物聯網、數據分析和智能製造等方面的內容，討論了半導體製造基礎、前道和后道工序、柔性複合電子技術、氣體和化學品及半導體工廠的操作、設備和設施的完整細節。
    本書既可供高等院校與科研院所的教師、學生及研究人員學習和參考，也可作為半導體業界從事生產和管理的專業人員的工作手冊。
作者介紹
編者:(美)耿懷渝|責編:馮小貝|譯者:(美)耿懷渝
    耿懷渝，美國加利福尼亞州亞美智庫（Amica Research）的創始人及負責人，致力於推動先進及綠色製造設計與工程，曾任職於美國Westinghouse Electric Corporation、Applied Materials、Hewlett-Packard和Intel等公司。他擁有超過40年的國際高科技工程設計與建設、製造工程和管理等經驗。他在許多國際會議上發表了技術論文，並在清華大學、北京大學、北京科技大學、中國科學院微電子研究所、上海交通大學、同濟大學、浙江大學、台灣大學等高校和科研機構主持了有關物聯網、大數據及數據中心的交流講座。耿懷渝編寫了多本技術手冊：《製造工程手冊》（第一版及第二版），《半導體集成電路製造手冊》（第一版及第二版），《數據中心手冊》（第一版及第二版），以及《物聯網及數據分析手冊》，其中一些手冊已經在中國翻譯出版。耿懷渝擁有美國田納西州理工大學工程碩士及俄亥俄州亞什蘭大學工商管理碩士學位，他是美國加州認證工程師（教授級）、美國製造工程師學會認證製造工程師及相關專利的擁有者。
目錄
第一部分  半導體製造基礎
  第1章  可持續性的半導體製造——物聯網及人工智慧的核心
    1.1  引言
    1.2  摩爾定律
      1.2.1  FinFET擴展了摩爾定律
    1.3  集成電路與設計
    1.4  微晶元的製造方法
      1.4.1  晶圓製造
      1.4.2  前道工序處理
      1.4.3  后道工序處理
    1.5  先進技術
      1.5.1  IoT、IIoT和CPS
      1.5.2  物聯網要素系統或組織結構
      1.5.3  物聯網生態系統或使用者
      1.5.4  .物聯網分類系統或合作夥伴
    1.6  數據分析與人工智慧
    1.7  半導體的可持續性
    1.8  結論
    1.9  參考文獻
    1.10  擴展閱讀
  第2章  納米技術和納米製造：從硅基到新型碳基材料及其他材料
    2.1  引言
    2.2  什麼是納米技術
    2.3  為什麼納米技術如此重要
    2.4  納米技術簡史
    2.5  納米尺度製造的基本方法
    2.6  納米計量技術
    2.7  納米技術製造
    2.8  應用和市場
    2.9  影響力和管理
    2.10  結論
    2.11  參考文獻
    2.12  擴展閱讀
  第3章  FinFET的基本原理和納米尺度硅化物的新進展
    3.1  引言
    3.2  FinFET的基本原理
    3.3  納米尺度硅化物的新進展
      3.3.1  引言
      3.3.2  納米尺度FinFET的硅化物接觸技術
      3.3.3  Si納米線中硅化物的外延生長
    3.4  結論
    3.5  參考文獻
  第4章  微機電系統製造基礎：物聯網新興技術
    4.1  微機電系統和微系統技術的定義
    4.2  微系統技術的重要性
    4.3  微系統技術基礎
      4.3.1  微感測器技術
      4.3.2  微驅動器技術
      4.3.3  用於微系統的材料
      4.3.4  MEMS的設計工具

    4.4  MEMS製造原理
      4.4.1  前段微機械製造工藝
    4.5  展望
    4.6  結論
    4.7  參考文獻
    4.8  擴展閱讀
  第5章  高性能、低功耗、高可靠性三維集成電路的物理設計
    5.1  引言
      5.1.1  晶體管縮小的根本限制因素
      5.1.2  導線互連的延遲和功耗的上升
      5.1.3  什麼是三維晶元
    5.2  三維晶元的設計流程
    5.3  三維晶元的物理設計面臨的挑戰
      5.3.1  三維布局問題
      5.3.2  三維時鐘樹
      5.3.3  三維熱管理
      5.3.4  三維電源管理
      5.3.5  三維晶元的可靠性問題
  ……
第二部分  前道工序
第三部分  后道工序
第四部分  柔性複合電子和大面積電子技術
第五部分  氣體和化學品
第六部分  操作、設備與設施

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