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半導體器件物理(高等院校+互聯網系列精品教材)

  • 作者：編者:徐振邦|責編:桑昀
  • 出版社：電子工業
  • ISBN：9787121317903
  • 出版日期：2017/08/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：236
人民幣：RMB 52 元      售價：元
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內容大鋼
    本書根據教育部新的課程改革要求，在已取得多項教學改革成果的基礎上進行編寫。內容主要包括半導體物理和晶體管原理兩部分，其中，第1章介紹半導體材料特性，第2?3章系統闡述PN結和雙極型晶體管，第4?5章系統闡述半導體表面特性和MOS型晶體管，第6章介紹其他幾種常用的半導體器件。全書結合高等職業院校的教學特點，側重於物理概念與物理過程的描述，並在各章節設有操作實驗和模擬實驗，內容與企業生產實踐相結合，適當配置工藝和版圖方面的知識，以方便開展教學。
    本書為高等職業本專科院校相應課程的教材，也可作為開放大學、成人教育、自學考試、中職學校、培訓班的教材，以及半導體行業工程技術人員的參考書。
作者介紹
編者:徐振邦|責編:桑昀
目錄
第1章 半導體特性
  1.1 半導體的晶體結構
    1.1.1 晶體的結構
    1.1.2 晶面與晶向
  1.2 半導體中的電子狀態
    1.2.1 能級與能帶
    1.2.2 本征半導體的導電機制
  1.3 雜質與缺陷
    1.3.1 雜質與雜質能級
    1.3.2 缺陷與缺陷能級
    實驗1 晶體缺陷的觀測
  1.4 熱平衡載流子
    1.4.1 費米能級與載流子濃度
    1.4.2 本征半導體的載流子濃度
    1.4.3 雜質半導體的載流子濃度
  1.5 非平衡載流子
    1.5.1 非平衡載流子的注入
    1.5.2 非平衡載流子的複合
    實驗2 高頻光電導衰減法測量硅中少子壽命
    1.5.3 複合機制
  1.6 載流子的運動
    1.6.1 載流子的漂移運動與遷移率
    1.6.2 載流子的擴散運動與愛因斯坦關係
  知識梳理與總結
  思考題與習題1
第2章 PN結
  2.1 平衡PN結
    2.1.1 PN結的形成與雜質分佈
    2.1.2 PN結的能帶圖
    2.1.3 PN結的接觸電勢差與載流子分佈
  2.2 PN結的直流特性
    2.2.1 PN結的正向特性
    2.2.2 PN結的反向特性
    實驗3 PN結伏安特性與溫度效應
    2.2.3 影響PN結伏安特性的因素
  2.3 PN結電容
    2.3.1 PN結電容的成因及影響
    2.3.2 突變結的勢壘電容
    實驗4 PN結勢壘電容的測量
    2.3.3 擴散電容
  2.4 PN結的擊穿特性
    2.4.1 擊穿機理
    2.4.2 雪崩擊穿電壓
    2.4.3 影響雪崩擊穿電壓的因素
  2.5 PN結的開關特性
    2.5.1 PN結的開關作用
    2.5.2 PN結的反向恢復時間
  知識梳理與總結
  思考題與習題2
第3章 雙極晶體管及其特性

  3.1 晶體管結構與工作原理
    3.1.1 晶體管的基本結構與雜質分佈
    3.1.2 晶體管的電流傳輸
    3.1.3 晶體管的直流電流放大係數
  3.2 晶體管的直流特性
    3.2.1 晶體管的伏安特性曲線
    模擬實驗1 共發射極晶體管伏安特性模擬
    實驗5 半導體管特性圖示儀測試晶體管的特性曲線
    3.2.2 晶體管的反向電流
    3.2.3 晶體管的擊穿電壓
    模擬實驗2 BVCEO模擬
    實驗6 晶體管直流參數測量
    3.2.4 晶體管的穿通電壓
  3.3 晶體管的頻率特性
    3.3.1 晶體管頻率特性和高頻等效電路
    3.3.2 高頻時晶體管電流放大係數下降的原因
    3.3.3 晶體管的電流放大係數
    3.3.4 晶體管的極限頻率參數
  3.4 晶體管的功率特性
    3.4.1 大電流工作時產生的三個效應
    3.4.2 晶體管的最大耗散功率和熱阻
    3.4.3 功率晶體管的安全工作區
  3.5 晶體管的開關特性
    3.5.1 晶體管的開關作用
    3.5.2 開關晶體管的工作狀態
    3.5.3 晶體管的開關過程
    3.5.4 提高晶體管開關速度的途徑
  3.6 晶體管的版圖和工藝流程
    3.6.1 晶體管的圖形結構
    3.6.2 雙極晶體管的工藝流程
  知識梳理與總結
  思考題與習題3
第4章 半導體的表面特性
  4.1 半導體表面與Si-SiO2系統
    4.1.1 理想的半導體表面
    4.1.2 Si-SiO2系統及其特性
    4.1.3 半導體製造工藝中對錶面的處理??清洗與鈍化
  4.2 表面空間電荷區與表面勢
    4.2.1 表面空間電荷區
    4.2.2 表面勢?S
  4.3 MOS結構的閾值電壓
    4.3.1 理想MOS結構的閾值電壓
    4.3.2 實際MOS結構的閾值電壓
    4.3.3 MOS結構的應用??電荷耦合器件
  4.4 MOS結構的C-V特性
    4.4.1 集成化電容的選擇??MOS電容
    4.4.2 理想MOS電容的C-V特性
    4.4.3 實際MOS電容的C-V特性
    實驗7 MOS電容的測量
  4.5 金屬與半導體接觸

    4.5.1 金屬?半導體接觸
    4.5.2 肖特基勢壘與整流接觸
    4.5.3 歐姆接觸
    4.5.4 金屬?半導體接觸的應用??肖特基勢壘二極體（SBD）
    實驗8 SBD（肖特基）二極體伏安特性的測量
  知識梳理與總結
  思考題與習題4
第5章 MOS型場效應晶體管
  5.1 MOS型晶體管的結構與分類
    5.1.1 MOS型晶體管的結構與工作原理
    5.1.2 MOS型晶體管的分類
    5.1.3 MOS型晶體管的基本特徵
    5.1.4 集成MOS型晶體管與分立器件MOS型晶體管的異同
  5.2 MOS型晶體管的閾值電壓
    5.2.1 MOS型晶體管閾值電壓的定義
    5.2.2 理想情況下MOS型晶體管閾值電壓的表達式
    5.2.3 影響MOS型晶體管閾值電壓的各種因素
    模擬實驗3 MOS型晶體管閾值電壓模擬
    實驗9 MOS型晶體管閾值電壓VT的測量
  5.3 MOS型晶體管的輸出伏安特性與直流參數
    5.3.1 MOS型晶體管的輸出伏安特性
    5.3.2 MOS型晶體管的輸出伏安特性方程
    5.3.3 影響MOS型晶體管輸出伏安特性的一些因素
    模擬實驗4 MOS型晶體管輸出伏安特性曲線模擬
    實驗10 MOS型晶體管輸出伏安特性曲線的測量
    5.3.4 MOS型晶體管的直流參數
    5.3.5 MOS型晶體管的溫度特性與柵保護
  5.4 MOS型晶體管頻率特性與交流小信號參數
    5.4.1 MOS型晶體管的交流小信號等效電路
    5.4.2 MOS型晶體管的交流小信號參數
    5.4.3 MOS型晶體管的最高工作頻率fm
    5.4.4 MOS型晶體管開關
  5.5 MOS型晶體管版圖及其結構特徵
    5.5.1 小尺寸集成MOS型晶體管的版圖（橫向結構）
    5.5.2 小尺寸集成MOS型晶體管的剖面結構（縱向結構）
    5.5.3 按比例縮小設計規則
  5.6 小尺寸集成MOS型晶體管的幾個效應
    5.6.1 短溝道效應
    5.6.2 窄溝道效應
    5.6.3 熱電子效應
  知識梳理與總結
  思考題與習題5
第6章 其他常用半導體器件
  6.1 達林頓晶體管
  6.2 功率MOS型晶體管
    6.2.1 功率MOS型晶體管的種類
    6.2.2 功率MOS型晶體管的版圖結構與製造工藝
  6.3 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
    6.3.1 IGBT的結構與伏安特性
    6.3.2 IGBT的工作原理

  6.4 發光二極體（LED）
    6.4.1 LED發光原理
    6.4.2 LED的結構與種類
    6.4.3 LED的量子效率
  6.5 太陽能電池
    6.5.1 PN結的光生伏特效應
    6.5.2 太陽能電池的I-V特性和效率
    6.5.3 PERL太陽能電池
    6.5.4 非晶硅太陽能電池
  6.6 結型場效應晶體管（JFET）
    6.6.1 JFET的結構
    6.6.2 JFET的工作原理
    6.6.3 JFET的輸出特性
  6.7 晶閘管
    6.7.1 晶閘管的基本結構和特性
    6.7.2 晶閘管的工作原理
    6.7.3 雙向晶閘管
  知識梳理與總結
  思考題與習題6
附錄A XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能
附錄B 擴散結電容和勢壘寬度的計算曲線
附錄C 硅擴散層表面雜質濃度與擴散層平均電導率的關係曲線
參考文獻

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