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微電子學概論(第3版)/高等院校微電子專業叢書

  • 作者：編者:張興//黃如//劉曉彥|責編:沈承鳳
  • 出版社：北京大學
  • ISBN：9787301168790
  • 出版日期：2010/02/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：356
人民幣：RMB 59 元      售價：元
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內容大鋼
    本書是在2000年1月北京大學出版社出版的《微電子學概論》一書的基礎上形成的。本書主要介紹了微電子技術的發展歷史，半導體物理和器件物理基礎知識，集成電路及S0C的製造、設計以及電腦輔助設計技術基礎，光電子器件，微機電系統技術、半導體材料、封裝技術知識，最後給出了微電子技術發展的一些規律和展望。本書的特點是讓外行的人能夠看懂，通過閱讀這本書能夠對微電子學能有一個總體的、全面的了解；同時讓內行的人讀完之後不覺得膚淺，體現出了微電子學發展極為迅速的特點，將微電子學領域中的一些最新觀點、最新成果涵蓋其中。
    本書可以作為微電子專業以及電子科學與技術、電腦科學與技術等相關專業的本科生和研究生的教材或教學參考書，同時也可以作為從事微電子或電子信息技術領域工作的科研開發人員、項目管理人員全面了解微電子技術的參考資料。
作者介紹
編者:張興//黃如//劉曉彥|責編:沈承鳳
目錄
第一章  緒論
  1.1  晶體管的發明
  1.2  集成電路的發展歷史
  1.3  集成電路的分類
    1.3.1  按器件結構類型分類
    1.3.2  按集成電路規模分類
    1.3.3  按結構形式分類
    1.3.4  按電路功能分類
    1.3.5  集成電路的分類小結
  1.4  微電子學的特點
第二章  半導體物理和器件物理基礎
  2.1  半導體及其基本特性
    2.1.1  金屬-半導體-絕緣體
    2.1.2  半導體的摻雜
  2.2  半導體中的載流子
    2.2.1  半導體中的能帶
    2.2.2  多子和少子的熱平衡
    2.2.3  電子的平衡統計規律
  2.3  半導體的電導率和載流子輸運
    2.3.1  遷移率
    2.3.2  過剩載流子
  2.4  pn結
    2.4.1  平衡pn結
    2.4.2  pn結的正向特性
    2.4.3  pn結的反向特性
    2.4.4  pn結的擊穿
    2.4.5  pn結的電容
  2.5  雙極晶體管
    2.5.1  雙極晶體管的基本結構
    2.5.2  晶體管的電流傳輸
    2.5.3  晶體管的電流放大係數
    2.5.4  晶體管的直流特性曲線
    2.5.5  晶體管的反向電流與擊穿電壓
    2.5.6  晶體管的頻率特性
  2.6  MOS場效應晶體管
    2.6.1  MOS場效應晶體管的基本結構
    2.6.2  MIS結構
    2.6.3  MOS場效應晶體管的直流特性
    2.6.4  MOS場效應晶體管的種類
    2.6.5  MOS場效應晶體管的電容
第三章  大規模集成電路基礎
  3.1  半導體集成電路概述
  3.2  CMOS集成電路基礎
    3.2.1  集成電路中的MOSFET
    3.2.2  MOS數字集成電路
    3.2.3  CMOS集成電路
  3.3  半導體存儲器集成電路
    3.3.1  存儲器的種類和基本結構
    3.3.2  隨機存取存儲器(RAM)
    3.3.3  掩模只讀存儲器(ROM)

    ……
第四章  集成電路製造工藝
第五章  半導體材料
第六章  集成電路設計
第七章  集成電路設計的EDA系統
第八章  系統晶元(SOC)設計
第九章  光電子器件
第十章  微機電系統
第十一章  集成電路封裝
第十二章  微電子技術發展的規律和趨勢
附錄A  微電子學領域大事記
附錄B  微電子學常用縮略語

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