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CMOS模擬集成電路基礎(電子科學與技術高等學校電子信息類專業系列教材)

  • 作者：編者:王永生|責編:盛東亮//鍾志芳
  • 出版社：清華大學
  • ISBN：9787302568513
  • 出版日期：2021/07/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：377
人民幣：RMB 69 元      售價：元
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內容大鋼
    本書闡述CMOS集成電路分析與設計的相關知識，主要介紹CMOS模擬集成電路設計的背景、MOS器件物理及建模等相關知識；分析電流源、電流鏡和基準源，以及共源極、共漏極、共柵極和共源共柵極等基本放大器的結構、原理、分析與設計技術；然後分析電路的頻率、雜訊等特性，並進一步討論運算放大器、反饋結構及其穩定性和頻率補償；最後討論與CMOS模擬集成電路相關的版圖設計技術。
    本書可作為高等院校電子信息類微電子及集成電路專業本科生和研究生教材，也可作為相關領域工程師的參考用書。
作者介紹
編者:王永生|責編:盛東亮//鍾志芳
    王永生，1974年7月出生，畢業於哈爾濱工業大學，獲得微電子學與固體電子學博士學位，現任哈爾濱工業大學航天學院副教授。長期從事數/模混合信號集成電路、系統晶元及其可測試性、可靠性設計的教學及科研工作。先後主持和參與了10余項國家級與省部級科研項目；開發了多款高速及高精度模/數轉換器晶元，以及混合信號SoC晶元。申請並獲得授權發明專利10余項。在模/數轉換器設計、混合信號SoC設計等領域發表學術論文50余篇。
目錄
第1章  緒論
  1.1  模擬電路與數字電路
  1.2  電路抽象層次
  1.3  模擬集成電路設計
  1.4  符號標記法
  1.5  本章小結
第2章  MOSFET器件及模型
  2.1  引言
  2.2  MOSFET器件結構
    2.2.1  MOSFET器件
    2.2.2  CMOS
  2.3  MOSFET器件I/V特性
    2.3.1  工作區
    2.3.2  輸出特性和轉移特性
    2.3.3  溝道長度調製效應
    2.3.4  體效應
    2.3.5  亞閾值導通效應
  2.4  MOSFET器件模型
    2.4.1  MOSFET器件的大信號模型
    2.4.2  MOSFET器件的小信號模型
    2.4.3  MOSFET器件的雜訊模型
    2.4.4  MOSFET器件的SPICE模型
  2.5  本章小結
  習題
第3章  CMOS電流源與電流鏡
  3.1  引言
  3.2  MOSFET電流源
    3.2.1  簡單電流源
    3.2.2  共源共柵電流源
  3.3  MOS電流鏡
    3.3.1  基本電流鏡
    3.3.2  共源共柵電流鏡
    3.3.3  大擺幅的共源共柵電流鏡
    3.3.4  威爾遜電流鏡
  3.4  本章小結
  習題
第4章  基準源
  4.1  引言
  4.2  電壓基準源
    4.2.1  分壓型電壓基準源
    4.2.2  有源電壓基準源
    4.2.3  帶隙基準源
  4.3  電流基準源
    4.3.1  基於電流鏡的簡單基準源
    4.3.2  與電源無關的電流基準源
    4.3.3  PTAT電流基準源
  4.4  本章小結
  習題
第5章  CMOS單級放大器
  5.1  引言

  5.2  放大器基本分析方法
    5.2.1  電壓增益
    5.2.2  放大器的非線性
  5.3  共源極放大器
    5.3.1  採用電阻負載的共源極放大器
    5.3.2  二極體連接MOS晶體管負載的共源極放大器
    5.3.3  採用電流源負載的共源極放大器
    5.3.4  CMOS推挽放大器
  5.4  共漏極放大器
  5.5  共柵極放大器
  5.6  共源共柵放大器
  5.7  本章小結
  習題
第6章  CMOS差分放大器
  6.1  引言
  6.2  差分工作方式
  6.3  基本MOS差分對
    6.3.1  大信號分析
    6.3.2  小信號分析
  6.4  共模響應
  6.5  採用有源負載的差分對
    6.5.1  採用電流源負載的差分對
    6.5.2  採用二極體連接的MOS負載的差分對
    6.5.3  採用MOS電流鏡負載的差分對
  6.6  本章小結
  習題
第7章  CMOS放大器的頻率響應
  7.1  引言
  7.2  放大器的頻率響應
    7.2.1  低通特性
    7.2.2  高通特性
    7.2.3  帶通特性
    7.2.4  伯德圖
  7.3  密勒定理
  7.4  頻率響應分析方法
    7.4.1  傳遞函數的s域分析方法——高截止頻率
    7.4.2  傳遞函數的s域分析方法——低截止頻率
    7.4.3  密勒電容方法
    7.4.4  零值方法
    7.4.5  短路方法
  7.5  單端放大器的頻率響應
    7.5.1  共源極放大器
    7.5.2  共漏極放大器
    7.5.3  共柵極放大器
    7.5.4  共源共柵放大器
  7.6  差分放大器的頻率響應
    7.6.1  全差分放大器
    7.6.2  電流鏡作為負載的差分放大器
  7.7  本章小結
  習題

第8章  雜訊
  8.1  引言
  8.2  雜訊的表示
  8.3  雜訊類型及雜訊模型
    8.3.1  雜訊類型
    8.3.2  集成電路器件的雜訊模型
  8.4  電路中雜訊的計算
    8.4.1  相關雜訊源和非相關雜訊源
    8.4.2  等效輸入雜訊
    8.4.3  MOS晶體管中的等效輸入雜訊源
    8.4.4  雜訊帶寬
  8.5  基本放大器中的雜訊
    8.5.1  共源極放大器
    8.5.2  共漏極放大器
    8.5.3  共柵極放大器
    8.5.4  共源共柵放大器
  8.6  差分放大器中的雜訊
  8.7  本章小結
  習題
第9章  反饋
  9.1  引言
  9.2  理想反饋
  9.3  反饋電路的特性
    9.3.1  增益靈敏度的降低
    9.3.2  輸入輸出阻抗的變化
    9.3.3  頻率響應的變化
    9.3.4  線性度的提高
  9.4  反饋拓撲結構
  9.5  反饋結構
    9.5.1  串聯-並聯反饋
    9.5.2  串聯-串聯反饋
    9.5.3  並聯-並聯反饋
    9.5.4  並聯-串聯反饋
  9.6  反饋對雜訊的影響
  9.7  本章小結
  習題
第10章  CMOS運算放大器
  10.1  引言
  10.2  運算放大器性能參數
    10.2.1  增益
    10.2.2  頻率特性
    10.2.3  輸入電阻和輸出電阻
    10.2.4  輸入失調電壓
    10.2.5  共模輸入範圍
    10.2.6  共模抑制比
    10.2.7  電源抑制比
  10.3  單級CMOS運算放大器
    10.3.1  基本的單級運算放大器
    10.3.2  套筒式共源共柵運算放大器
    10.3.3  摺疊式共源共柵運算放大器

  10.4  二級CMOS運算放大器
    10.4.1  基本的二級運算放大器
    10.4.2  採用共源共柵的二級運算放大器
  10.5  CMOS運算放大器輸出級
    10.5.1  輸出級電路結構分類
    10.5.2  共漏極A類輸出級
    10.5.3  AB類推挽輸出級
  10.6  全差分運算放大器與共模反饋
    10.6.1  全差分放大器的特性
    10.6.2  共模反饋
  10.7  轉換速率
  10.8  本章小結
  習題
第11章  穩定性與頻率補償
  11.1  引言
  11.2  穩定性分析
    11.2.1  穩定性問題
    11.2.2  閉環極點和穩定性
    11.2.3  環路增益和穩定性
    11.2.4  增益裕度和相位裕度
    11.2.5  相位裕度的影響
    11.2.6  採用伯德圖的穩定性分析
  11.3  補償技術
    11.3.1  增加主極點
    11.3.2  改變主極點
    11.3.3  密勒補償和極點分裂
  11.4  本章小結
  習題
第12章  模擬集成電路的版圖設計
  12.1  引言
  12.2  MOS晶體管
  12.3  對稱性
  12.4  無源器件
    12.4.1  電阻
    12.4.2  電容
    12.4.3  電感
  12.5  連線
  12.6  雜訊及干擾
  12.7  本章小結
附錄A  SPICE模擬及集成電路EDA基本模擬工具
  A.1  MOSFET電路的SPICE模擬
    A.1.1  SPICE模擬基本描述
    A.1.2  SPICE中的基本模擬
  A.2  HSPICE電路模擬
    A.2.1  流程及規則簡介
    A.2.2  工具的使用
  A.3  SPECTRE電路模擬
    A.3.1  工具的使用
    A.3.2  基本電路分析
附錄B  習題參考答案及解析

參考文獻

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