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深入理解微電子電路設計(電子元器件原理及應用原書第5版)/清華開發者書庫

  • 作者：(美)理查德·C.耶格//特拉維斯·N.布萊洛克|責編:趙佳霓|譯者:宋廷強
  • 出版社：清華大學
  • ISBN：9787302555230
  • 出版日期：2020/10/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：279
人民幣：RMB 89 元      售價：元
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內容大鋼
    本書全面介紹了電子元器件的基礎知識及其應用，從電子元器件的分析與設計出發，詳細闡述了電子學的基本概念及分析原理，讓讀者在掌握分壓和分流原理、戴維南定理、放大器等概念的基礎上，深入理解半導體材料特性、二極體pn結特性、二極體SPICE模型、整流電路、場效應管及雙極結型晶體管的特性。同時還講解了元器件的容差數學模型及電路設計中常用的最差情況分析、蒙特卡洛分析等主要分析方法，由淺入深地講解了電子元器件電路相關電路的性能、分析及設計方法。
    注重方法  本書從工程求解角度定義了一種非常清晰的9步問題求解方法，書中提供的大量設計實例採用該方法進行求解，有助於讀者加深對相關電路設計的理解與掌握。
    注重實踐  本書每一章都提供了大量的設計實例，每一章的最後都會給出專門的設計習題、電腦習題和SPICE習題，並具有在線的習題指導。
    軟體模擬  本書全部採用電腦作為輔助工具，注重電子技術的運用，包括利用MATLAB、電子錶格或者利用高級語言來開發設計選項，許多電路設計提供了SPICE模擬模型，便於讀者對所設計電路進行性能上的模擬驗證。
    內容全面  本書既有電子學相關的基礎概念、分析方法，也有電子元器件相關的電路性能、元器件特性、電路分析與設計，內容由淺入深，前後連接緊密，能夠激發讀者學習興趣，並能啟迪讀者創新。
作者介紹
(美)理查德·C.耶格//特拉維斯·N.布萊洛克|責編:趙佳霓|譯者:宋廷強
目錄
第1章  電子學簡介
  1.1  電子學發展簡史：從真空管到巨大規模集成電路
  1.2  電子學信號分類
    1.2.1  數字信號
    1.2.2  模擬信號
    1.2.3  A/D和D/A轉換器——連接模擬與數字信號的橋樑
  1.3  符號約定
  1.4  解決問題的方法
  1.5  電路理論的主要概念
    1.5.1  分壓和分流
    1.5.2  戴維南定理和諾頓定理
  1.6  電子學信號的頻譜
  1.7  放大器
    1.7.1  理想運算放大器
    1.7.2  放大器頻率響應
  1.8  電路設計中元器件參數值的變化
    1.8.1  容差的數學模型
    1.8.2  最差情況分析
    1.8.3  蒙特卡洛分析
    1.8.4  溫度係數
  1.9  數值精度
  小結
  關鍵詞
  參考文獻
  擴展閱讀
  習題
第2章  固態電子學
  2.1  固態電子材料
  2.2  共價鍵模型
  2.3  半導體中的漂移電流和遷移率
    2.3.1  漂移電流
    2.3.2  遷移率
    2.3.3  速率飽和
  2.4  本征硅的電阻率
  2.5  半導體中的雜質
    2.5.1  硅中的施主雜質
    2.5.2  硅中的受主雜質
  2.6  摻雜半導體中的電子和空穴濃度
    2.6.1  n型材料
    2.6.2  p型材料
  2.7  摻雜半導體的遷移率和電阻率
  2.8  擴散電流
  2.9  總電流
  2.10  能帶模型
    2.10.1  本征半導體中電子空穴對的產生
    2.10.2  摻雜半導體的能帶模型
    2.10.3  補償半導體
  2.11  集成電路製造概述
  小結
  關鍵詞

  參考文獻
  擴展閱讀
  習題
第3章  固態二極體和二極體電路
  3.1  pn結二極體
    3.1.1  pn結靜電學
    3.1.2  二極體內部電流
  3.2  二極體的I-V特性
  3.3  二極體方程：二極體的數學模型
  3.4  反偏、零偏、正偏下的二極體特性
    3.4.1  反偏
    3.4.2  零偏
    3.4.3  正偏
  3.5  二極體的溫度係數
  3.6  二極體反偏
    3.6.1  實際二極體的飽和電流
    3.6.2  反向擊穿
    3.6.3  擊穿區的二極體模型
  3.7  pn結電容
    3.7.1  反偏
    3.7.2  正偏
  3.8  肖特基二極體
  3.9  二極體的SPICE模型及版圖
  3.10  二極體電路分析
    3.10.1  負載線分析法
    3.10.2  二極體數學模型分析法
    3.10.3  理想二極體模型
    3.10.4  恆壓降模型
    3.10.5  模型比較與討論
  3.11  多二極體電路
  3.12  擊穿區域二極體分析
    3.12.1  負載線分析
    3.12.2  分段線性模型分析
    3.12.3  穩壓器
    3.12.4  包含齊納電阻的電路分析
    3.12.5  線性調整率和負載調整率
  3.13  半波整流電路
    3.13.1  帶負載電阻的半波整流器
    3.13.2  整流濾波電容
    3.13.3  帶RC負載的半波整流器
    3.13.4  紋波電壓和導通期
    3.13.5  二極體電流
    3.13.6  浪涌電流
    3.13.7  額定峰值反向電壓
    3.13.8  二極體功耗
    3.13.9  輸出負電壓的半波整流器
  3.14  全波整流電路
  3.15  全波橋式整流
  3.16  整流器的比較及折中設計
  3.17  二極體的動態開關行為

  3.18  光電二極體、太陽能電池和發光二極體
    3.18.1  光電二極體和光探測器
    3.18.2  太陽台皂電池
    3.18.3  發光二極體
  小結
  關鍵詞
  參考文獻
  擴展閱讀
  習題
第4章  場效應管
  4.1  MOS電容特性
    4.1.1  積累區
    4.1.2  耗盡區
    4.1.3  反型區
  4.2  NMOS晶體管
    4.2.1  NMOS晶體管的J-V特性的定性描述
    4.2.2  NMOS晶體管的線性區特性
    4.2.3  導通電阻
    4.2.4  跨導
    4.2.5  J-V特性的飽和
    4.2.6  飽和（夾斷）區的數學模型
    4.2.7  飽和的跨導
    4.2.8  溝道長度調製
    4.2.9  傳輸特性及耗盡型MOSFET
    4.2.10  體效應或襯底靈敏度
  4.3  PMOS晶體管
  4.4  MOSFET電路模型
  4.5  MOS晶體管電容
    4.5.1  NMOS晶體管的線性區電容
    4.5.2  飽和區電容
    4.5.3  截止區電容
  4.6  SPICE中的MOSFET建模
  4.7  MOS晶體管的等比例縮放
    4.7.1  漏極電流
    4.7.2  柵極電容
    4.7.3  電流和功率密度
    4.7.4  功耗-延遲積
    4.7.5  截止頻率
    4.7.6  大電場限制
    4.7.7  包含高場限制的統一MOS晶體管模型
    4.7.8  亞閾值導通
  4.8  MOS晶體管的製造工藝及版圖設計規則
    4.8.1  最小特徵尺寸和對準容差
    4.8.2  MOS晶體管的版圖
  4.9  NMOS場效應管的偏置
    4.9.1  為什麼需要偏置
    4.9.2  四電阻偏置
    4.9.3  恆定柵-源電壓偏置
    4.9.4  Q點的圖形分析
    4.9.5  包含體效應的分析

    4.9.6  使用統一模型進行分析
  4.10  PMOS場效應晶體管的偏置
  4.11  結型場效應管
    4.11.1  偏壓下的JFET
    4.11.2  漏源偏置下的JFET溝道
    4.11.3  n溝道JEFT的I-V特性
    4.11.4  p溝道JFET
    4.11.5  JFET的電路符號和模型小結
    4.11.6  JFET電容
  4.12  JFET的SPICE模型
  4.13  JFET和耗盡型MOSFET的偏置
  小結
  關鍵詞
  參考文獻
  習題
第5章  雙極型晶體管
  5.1  雙極型晶體管的物理結構
  5.2  npn晶體管的傳輸模型
    5.2.1  正向特性
    5.2.2  反向特徵
    5.2.3  任意偏置條件下晶體管傳輸模型方程
  5.3  pnp晶體管
  5.4  晶體管傳輸模型的等效電路
  5.5  雙極型晶體管的J-V特性
    5.5.1  輸出特性
    5.5.2  傳輸特性
  5.6  雙極型晶體管的工作區
  5.7  傳輸模型的化簡
    5.7.1  截止區的簡化模型
    5.7.2  正向有源區的模型簡化
    5.7.3  雙極型集成電路中的二極體
    5.7.4  反向有源區的簡化模型
    5.7.5  飽和區模型
  5.8  雙極型晶體管的非理想特性
    5.8.1  結擊穿電壓
    5.8.2  基區的少數載流子傳輸
    5.8.3  基區傳輸時間
    5.8.4  擴散電容
    5.8.5  共發電流增益對頻率的依賴性
    5.8.6  Early效應和Early電壓
    5.8.7  Early效應的建模
    5.8.8  Early效應的產生原因
  5.9  跨導
  5.10  雙極工藝與SPICE模型
    5.10.1  定量描述
    5.10.2  SPICE模型方程
    5.10.3  高性能雙極型晶體管
  5.11  BJT的實際偏置電路
    5.11.1  四電阻偏置
    5.11.2  四電阻偏置電路的設計目標

    5.11.3  四電阻偏置電路的迭代分析
  5.12  偏置電路的容差
    5.12.1  最壞情況分析
    5.12.2  蒙特卡洛分析
  小結
  關鍵詞
  參考文獻
  習題
附錄A  標準離散組件值
  A.1  電阻
  A.2  電容
  A.3  電感
附錄B  固態器件模型及SPICE模擬參數
  B.1  pn結二極體
  B.2  MOS場效應管
  B.3  結型場效應管
  B.4  雙極型晶體管
附錄C  二埠回顧
  C.1  g參數
  C.2  混合參數或h參數
  C.3  導納參數和y參數
  C.4  阻抗參數或z參數

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