內容大鋼
存儲器晶元是集成電路晶元裡面最為重要的專用晶元。三維存儲器晶元是當前技術發展的最前沿。本書是國際上第一本系統介紹三維存儲器的專業書籍，包括了3D NAND，新型3D NAND架構，三維RRAM，演算法，ECC和系統架構等。本書覆蓋面廣，內容新，對於研究存儲器的研究人員和學生是一本必不可少的好書。
作者介紹
(聖馬)里諾·米歇洛尼|責編:王芳|譯者:吳華強//高濱//錢鶴
目錄
第l章 NAND存儲器的生態
1.1 存儲器行業變遷
1.1.1 NAND及存儲器供應商的整合
1.1.2 NAND技術發展
1.1.3 NAND應用模式的變化
1.2 固體硬碟
1.2.1 企業級SSD
1.2.2 Build—Your一Own和客制化SSI)
1.2.3 SSI)控制器的經濟效應
1.2.4 消費級SSD
1.3 NAND技術演進：3D NAND
1.3.1 3D NAND技術
1.3.2 3D NAND產品以TLC為主導
1.3.3 浮柵技術vS電荷俘獲技術
1.3.4 封裝創新：TSV NAND
1.4 新存儲器技術
1.5 未來5年我們期待什麼
第2章 3D NAND Flash的可靠性
2.1 引言
2.2 NAND Flash可靠性
2.2.1 耐擦寫特性
2.2.2 數據保持特性
2.2.3 不穩定的存儲位和過度寫入
2.3 與架構相關的可靠性問題
2.4 2D電荷俘獲器件：基礎知識
2.5 2D電荷俘獲器件：可靠性問題
2.5.1 耐擦寫特性退化
2.5.2 數據保持特性
2.5.3 檢測時的閾值電壓變化
2.6 從2D到3D的電荷俘獲NAND
2.7 3D電荷俘獲器件：可靠性問題
2.7.1 頂部和底部氧化層的垂直電荷損失
2.7.2 間隔處的橫向遷移
2.7.3 閾值電壓瞬態偏移
2.7.4 寫入和通道串擾
2.7.5 垂直通道設計的局限性
2.8 3D電荷俘獲器件與最先進的2D浮柵器件的對比
2.9 3D浮柵NAND
2.9.1 Dc—sF串擾和保持特性結果
2.9.2 S—SCG串擾結果
2.9.3 S—SCG性能和可靠性優勢
2.10 3D電荷俘獲器件和3D浮柵器件比較
參考文獻
第3章 3D堆疊NAND FLash
3.1 引言
3.2 浮柵單元
3.3 NAND基本操作
3.3.1 讀取
3.3.2 寫入
3.3.3 擦除
3.4 3D堆疊結構
3.5 3D堆疊層的偏壓
參考文獻
第4章 3D電荷俘獲型NAND Flash
4.1 簡介
4.2 BiCS結構
4.3 P—BiCS結構
4.4 VRAT結構和Z VRAT結構
4.5 VSAT結構和A—VSAT結構
4.6 TCAT結構
4.7 V—NAND結構
參考文獻
第5章 浮柵型3D NAND Flash
5.1 簡介
5.2 傳統浮柵型Flash
5.3 ESCG結構Flash器件
5.4 DC—SF結構Flash器件
5.5 S-SCG結構Flash器件
5.6 SCP Flash結構
5.7 水平溝道Flash結構
5.8 工業界3D浮柵型NAND Flash結構
參考文獻
第6章 垂直溝道型3D NAND Flash的最新結構
6.1 簡介
6.2 傳統柱(孔)形結構
6.3 交錯柱(孔)形陣列
6.4 交錯柱形的P—BiCS
6.5 單片奇一偶行存儲器串
6.6 交錯位線互連
6.7 總結
參考文獻
第7章 垂直柵極型3D NAND Flash的最新結構
7.1 簡介
7.2 3D NAND結構
7.3 VG型3D NAND架構
7.4 VG型3D NAND的主要架構注意事項
7.5 VG類型3 D NAND陣列操作
7.5.1 讀操作
7.5.2 編程操作
7.5.3 擦除操作
7.6 VG型3D NAND Flash中串擾問題
7.7 總結
第8章 RRAM交叉陣列
8.1 RRAM簡介
8.1.1 歷史與發展
8.1.2 RRAM的結構和機理
8.2 3D RRAM
8.2.1 3D架構
8.2.2 交叉陣列RRAM中的泄漏通路問題
8.2.3 選擇器件
8.2.4 自整流RRAM
8.2.5 互補RRAM
8.3 3D RRAM陣列分析
8.4 3D RRAM的進展
8.4.1 InteI和Micron公司的3D XPoint存儲器
8.4.2 Sandisk和Toshiba公司的32Gb 3D交叉陣列RRAM
8.4.3 CrOSSbar公司的3D RRAM
8.4.4 其餘進展
8.5 3D RRAM的挑戰和前景
第9章 NAND Flash的3D多晶元集成與封裝技術
9.1 3D多晶元集成
9.2 納米器件製造中的挑戰
9.3 片上互連的挑戰
9.4 通過SiP實現異質集成
9.5 減小尺寸與成本的解決方案
9.6 3D多晶元SiP技術解決方案
9.6.1 多晶元SiP的2D、3D空間配置與衍生
9.6.2 多晶元SiP集成工藝：裸片到裸片，晶圓到晶圓與裸片到晶圓
9.6.3 3D多晶元SiP的挑戰
9.7 NAND裸片堆疊
9.8 硅通孔NAND
第10章 用於NAND Flash存儲器的BcH和LDPC糾錯碼
10.1 介紹
10.2 BCH碼
10.2.1 BCH編碼
lO.2.2 BCH解碼
10.2.3 多通道BCH
10.2.4 多種碼率BCH
10.2.5 BCH檢測性能
10.3 低密度奇偶檢查碼
10.3.1 LDPC碼和NAND F1ash存儲器
10.3.2 LDPC碼的編碼
10.3.3 LDPC碼解碼
10.3.4 應用於NAND Flash存儲器的QC—I.DPC
第1l章 用於現代NVM的基於代數和圖論的高級。ECC：方案
11.1 不對稱代數ECC
11.1.1 分級位糾錯碼(Graded—Bit—Error Correcting Co(tes)
11.1.2 動態閾值
11.2 非二進位LDPC碼
11.2.1 二進位陷阱／吸收集
11.2.2 非二元吸收組
11.2.3 性能分析及其含義(implleations)
11.3 總結
第12章 3D NAND Flash設計的系統級思考
12.1 引言
12.2 &nbs
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