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電路板圖形轉移技術與應用/PCB先進位造技術

  • 作者：林定皓|責編:孫力維//楊凱
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030622846
  • 出版日期：2019/11/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：196
人民幣：RMB 108 元      售價：元
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內容大鋼
    本書是「PCB先進位造技術」叢書之一。本書基於筆者收集的數據和以往的經驗，從實際應用出發講解電路板線路製作、選擇性局部覆蓋、阻焊製作、介質層製作涉及的圖形轉移技術與應用，目的是引導從業者深入了解圖形轉移技術，提高精細線路製作能力。
    本書共15章，著眼于圖形轉移技術涉及的各種工藝與材料，講解光致抗蝕劑（液態油墨及干膜）的應用、線路圖形及導通孔的製作、孔金屬化、銅面處理、貼膜、曝光、顯影、電鍍、蝕刻工藝。
    本書可作為工科院校電子工程、電子信息等專業的教材，也可作為電子製造業、電子裝備業的培訓用書。
作者介紹
林定皓|責編:孫力維//楊凱
    林定皓，籍貫上海，1961年2月17日生於台北，1985年畢業於東海大學化工系，1987年至今深耕于電路板製造行業，兼任產業、協會顧問20余年，出版相關技術書籍20余本。     【正職】     1987?1992年/華通電腦股份有限公司，歷任生產主管（噴錫/鍍金/環保/工務）、海外建廠儲備幹部（工務環工）、海外建廠主管（電鍍/蝕刻兼建廠協調與工務）等。     1992年/華邦電子股份有限公司，黃光室工程師。     1992?1994年/科威信息股份有限公司，採購經理。     1994?1995年/耀文電子股份有限公司，研發副理。     1995?2004年/華通電腦股份有限公司，歷任研發課長、研發主任、研發副理、研發經理、新事業開發部經理、產品策略發展部經理等，曾主導英特爾中央處理器載板開發。     2004?2006年/金像電子有限公司，研發部協理。     2006?2019年/景碩科技股份有限公司，先進技術研發資深協理，曾負責高通手機模塊封裝載板的開發，成功推動埋入式線路的量產。     【兼職】     1999?2004年/華通電腦教育委員會主任委員暨專任講師     2000?2018年/台灣電路板協會技術委員會委員     2000?2016年/台灣電路板協會資深技術顧問暨技術期刊副總編輯     2002?2016年/台灣電路板協會兼任講師暨網路問答主筆     2006?2016年/台灣電路板協會重要外文專業文章專任翻譯     2012?2016年/台灣電路板協會NEMI委員會代表     2011?2016年/台灣電路板協會故障判讀執行顧問
目錄
第1章  液態油墨與干膜
  1.1  液態油墨
  1.2  電路板用液態油墨的分類
  1.3  液態感光油墨與阻焊油墨的特性要求
  1.4  干膜型光致抗蝕劑
  1.5  負像型干膜與正像型抗蝕劑的區別
  1.6  液態光致抗蝕劑的應用
  1.7  干膜的結構
第2章  電路板製作工藝
  2.1  電路板線路製作
  2.2  電路板導通孔製作
第3章  孔金屬化工藝
  3.1  關鍵影響因素
  3.2  直接電鍍技術
  3.3  避免金屬化空洞問題的方法
  3.4  小結
第4章  銅面及基材特性對圖形轉移的影響
  4.1  介質材料的構建
  4.2  銅面的處理
第5章  貼膜前的金屬表面處理
  5.1  關鍵影響因素
  5.2  處理效果與影響
  5.3  表面處理與結合力的一般性考慮
  5.4  銅面狀態與接觸面積
  5.5  銅面狀態的磨刷改性
  5.6  銅面處理工藝的選擇
  5.7  銅面的化學成分
  5.8  質量檢驗
  5.9  各種表面處理工藝
  5.10  表面處理注意事項
第6章  貼膜
  6.1  關鍵影響因素
  6.2  貼膜工藝
  6.3  貼膜缺陷
第7章  蓋孔
  7.1  關鍵影響因素
  7.2  工藝經濟性及地區性差異
  7.3  蓋孔蝕刻工藝
  7.4  蓋孔作業的缺陷模式
  7.5  使用前的蓋孔能力測試及評估
第8章  底片
  8.1  關鍵影響因素
  8.2  底片的製作與使用
  8.3  膠卷型底片的特性
  8.4  各種底片的結構及光化學反應
  8.5  底片的質量
  8.6  底片工藝的說明
  8.7  底片的製作與使用
  8.8  尺寸穩定性
第9章  曝光

  9.1  主要影響因素
  9.2  曝光能量檢測
  9.3  曝光設備
  9.4  線路對位精度
  9.5  接觸式曝光的問題
  9.6  圖形轉移的無塵室
  9.7  直接成像（DI）
  9.8  其他接觸式曝光替代技術
第10章  曝光對位問題的判定與應對
  10.1  對位問題概述
  10.2  典型的對位偏差模式
  10.3  自動曝光對位偏差問題的分析與應對
  10.4  對位偏差案例分析
  10.5  小結
第11章  顯影
  11.1  關鍵影響因素
  11.2  曝光后的停留時間
  11.3  提高藥液的曝光選擇性
  11.4  負像型水溶性干膜的基礎知識
  11.5  水溶性顯影液的化學特性
  11.6  顯影槽中的噴流機構
  11.7  水洗的功能與影響
  11.8  顯影后的干膜乾燥
  11.9  液態光致抗蝕劑顯影
第12章  電鍍
  12.1  關鍵影響因素
  12.2  酸性鍍銅
  12.3  電鍍錫鉛
  12.4  電鍍純錫
  12.5  電鍍鎳
  12.6  電鍍金
  12.7  改善鍍層均勻性
  12.8  進一步了解有機添加劑
  12.9  電鍍問題與處理
第13章  蝕刻
  13.1  關鍵影響因素
  13.2  干膜的選擇
  13.3  酸性蝕刻的均勻性
  13.4  干膜狀態與蝕刻效果的關係
  13.5  蝕刻因子的挑戰
  13.6  蝕刻液體系
  13.7  蝕刻工藝與設備
  13.8  圖形轉移、蝕刻及蓋孔蝕刻的殘銅問題
第14章  水溶性干膜的退膜
  14.1  關鍵影響因素
  14.2  退膜工藝與化學反應
  14.3  廢棄物處理
第15章  水質的影響
附錄  圖形轉移工藝特性參數
  附錄1  銅面處理的主要特性參數

  附錄2  貼膜的主要特性參數
  附錄3  曝光的主要特性參數
  附錄4  顯影的主要特性參數
  附錄5  酸性電鍍的主要特性參數
  附錄6  蝕刻的主要特性參數
  附錄7  退膜的主要特性參數

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