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集成電路版圖設計(第2版高等院校電氣信息類專業互聯網+創新規劃教材)

  • 作者：編者:陸學斌
  • 出版社：北京大學
  • ISBN：9787301296912
  • 出版日期：2018/09/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：252
人民幣：RMB 42 元      售價：元
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內容大鋼
    陸學斌主編的《集成電路版圖設計(第2版高等院校電氣信息類專業互聯網+創新規劃教材)》主要介紹集成電路版圖設計，主要內容包括半導體器件和集成電路工藝的基本知識，集成電路常用元器件的版圖設計方法，流行版圖設計軟體的使用方法，版圖驗證的流程，以及集成電路版圖實例等。
    本書適合作為高等院校微電子技術專業和集成電路設計專業版圖設計課程的教材，也可作為集成電路版圖設計者的參考書。
作者介紹
編者:陸學斌
目錄
第1章  半導體器件理論基礎
  1.1  半導體的電學特性
    1.1.1  晶格結構與能帶
    1.1.2  電子與空穴
    1.1.3  半導體中的雜質
    1.1.4  半導體的導電性
  1.2  PN結的結構與特性
    1.2.1  PN結的結構
    1.2.2  PN結的電壓電流特性
    1.2.3  PN結的電容
  1.3  MOS場效應晶體管
    1.3.1  MOS場效應晶體管的結構與工作原理
    1.3.2  MOS管的電流電壓特性
    1.3.3  MOS管的電容
  1.4  雙極型晶體管
    1.4.1  雙極型晶體管的結構與工作原理
    1.4.2  雙極型晶體管的電流傳輸
    1.4.3  雙極型晶體管的基本性能參數
  本章小結
第2章  集成電路製造工藝
  2.1  矽片製備
    2.1.1  單晶硅製備
    2.1.2  矽片的分類
  2.2  外延工藝
    2.2.1  概述
    2.2.2  外延工藝的分類與用途
  2.3  氧化工藝
    2.3.1  二氧化硅薄膜概述
    2.3.2  硅的熱氧化
  2.4  摻雜工藝
    2.4.1  擴散
    2.4.2  離子注入
  2.5  薄膜製備工藝
    2.5.1  化學氣相淀積
    2.5.2  物理氣相淀積
  2.6  光刻技術
    2.6.1  光刻工藝流程
    2.6.2  光刻膠
  2.7  刻蝕工藝
  2.8  CMOS集成電路基本工藝流程
  本章小結
第3章  操作系統與Cadence軟體
  3.1  UNIX操作系統
    3.1.1  UNIX操作系統簡介
    3.1.2  UNIX常用操作
    3.1.3  UNIX文件系統
    3.1.4  UNIX文件系統常用工具
  3.2  Linux操作系統
  3.3  虛擬機
  3.4  Cadence軟體

    3.4.1  Cadence軟體概述
    3.4.2  電路圖的建立
    3.4.3  版圖設計規則
    3.4.4  版圖編輯大師
    3.4.5  版圖的建立與編輯
    3.4.6  版圖驗證
    3.4.7  Dracula DRC
    3.4.8  Dracula LVS
  本章小結
第4章  電阻
  4.1  概述
  4.2  電阻率和方塊電阻
  4.3  電阻的分類與版圖
    4.3.1  多晶硅電阻
    4.3.2  阱電阻
    4.3.3  有源區電阻
    4.3.4  金屬電阻
  4.4  電阻設計依據
    4.4.1  電阻變化
    4.4.2  實際電阻分析
    4.4.3  電阻設計依據
  4.5  電阻匹配規則
  本章小結
第5章  電容和電感
  5.1  電容
    5.1.1  概述
    5.1.2  電容的分類
    5.1.3  電容的寄生效應
    5.1.4  電容匹配規則
  5.2  電感
    5.2.1  概述
    5.2.2  電感的分類
    5.2.3  電感的寄生效應
    5.2.4  電感設計準則
  本章小結
第6章  二極體與外圍器件
  6.1  二極體
    6.1.1  二極體的分類
    6.1.2  ESD保護
    6.1.3  二極體匹配規則
  6.2  外圍器件
    6.2.1  壓焊塊(PAD)
    6.2.2  連線
  本章小結
第7章  雙極型晶體管
  7.1  概述
  7.2  發射極電流集邊效應
  7.3  雙極型晶體管的分類與版圖
    7.3.1  標準雙極型工藝NPN管
    7.3.2  標準雙極型工藝襯底PNP管

    7.3.3  標準雙極型工藝橫向PNP管
    7.3.4  BiCMOS工藝晶體管
  7.4  雙極型晶體管版圖匹配規則
    7.4.1  雙極型晶體管版圖基本設計規則
    7.4.2  縱向晶體管設計規則
    7.4.3  橫向晶體管設計規則
  本章小結
第8章  MOS場效應晶體管
  8.1  概述
  8.2  MOS管的版圖
  8.3  MOS晶體管版圖設計技巧
    8.3.1  源漏共用
    8.3.2  特殊尺寸MOS管
    8.3.3  襯底連接與阱連接
    8.3.4  天線效應
  8.4  棍棒圖
  8.5  MOS管的匹配規則
  本章小結
第9章  集成電路版圖設計實例
  9.1  常用版圖設計技巧
  9.2  數字版圖設計實例
    9.2.1  反相器
    9.2.2  與非門和或非門
    9.2.3  傳輸門
    9.2.4  三態反相器
    9.2.5  多路選擇器
    9.2.6  D觸發器
    9.2.7  二分頻器
    9.2.8  一位全加器
  9.3  版圖設計前注意事項
  9.4  版圖設計中注意事項
  9.5  靜電保護電路版圖設計實例
    9.5.1  輸入輸出PAD靜電保護
    9.5.2  限流電阻的畫法
    9.5.3  電源靜電保護
    9.5.4  二級保護
  9.6  運算放大器版圖設計實例
    9.6.1  運放組件布局
    9.6.2  輸入差分對版圖設計
    9.6.3  偏置電流源版圖設計
    9.6.4  有源負載管版圖設計
    9.6.5  運算放大器總體版圖
  9.7  帶隙基準源版圖設計實例
    9.7.1  寄生PNP雙極型晶體管版圖設計
    9.7.2  對稱電阻版圖設計
    9.7.3  帶隙基準源總體版圖
  9.8  晶元總體設計
    9.8.1  雜訊考慮
    9.8.2  布局
  本章小結

參考文獻

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