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模擬電路版圖的藝術(第2版)/國外電子與通信教材系列

  • 作者：(美)艾倫·黑斯廷斯|譯者:張為
  • 出版社：電子工業
  • ISBN：9787121347399
  • 出版日期：2018/08/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：540
人民幣：RMB 119 元      售價：元
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內容大鋼
    《模擬電路版圖的藝術(第2版)/國外電子與通信教材系列》作者艾倫·黑斯廷斯具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基於模擬集成電路設計所採用的三種基本工藝：標準雙極工藝、多晶硅柵CMOS工藝和模擬BiCMOS工藝；重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極體設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合併、保護環、焊盤製作、單層連接、ESD結構等。最後介紹了有關晶元版圖的布局布線知識。
    本書可作為電子科學與技術、微電子、固體電子等相關專業高年級本科生和研究生教材，對於專業版圖設計人員是一本很有價值的參考書，對於模擬電路設計者更好地理解電路與版圖之間的關係也有很好的參考價值。
作者介紹
(美)艾倫·黑斯廷斯|譯者:張為
目錄
第1章  器件物理
  1.1  半導體
    1.1.1  產生與複合
    1.1.2  非本征（雜質）半導體
    1.1.3  擴散和漂移
  1.2  PN結
    1.2.1  耗盡區
    1.2.2  PN結二極體
    1.2.3  肖特基二極體
    1.2.4  齊納二極體
    1.2.5  歐姆接觸
  1.3  雙極型晶體管
    1.3.1  Beta
    1.3.2  I-V特性
  1.4  MOS晶體管
    1.4.1  閾值電壓
    1.4.2  I-V特性
  1.5  JFET晶體管
  1.6  小結
  1.7  習題
第2章  半導體製造
  2.1  硅製造
    2.1.1  晶體生長
    2.1.2  晶圓製造
    2.1.3  硅的晶體結構
  2.2  光刻技術
    2.2.1  光刻膠
    2.2.2  光掩模和掩模版
    2.2.3  光刻
  2.3  氧化物生長和去除
    2.3.1  氧化物生長和淀積
    2.3.2  氧化物去除
    2.3.3  氧化物生長和去除的其他效應
    2.3.4  硅的局部氧化（LOCOS）
  2.4  擴散和離子注入
    2.4.1  擴散
    2.4.2  擴散的其他效應
    2.4.3  離子注入
  2.5  硅淀積和刻蝕
    2.5.1  外延
    2.5.2  多晶硅淀積
    2.5.3  介質隔離
  2.6  金屬化
    2.6.1  鋁淀積及去除
    2.6.2  難熔阻擋金屬
    2.6.3  硅化
    2.6.4  夾層氧化物、夾層氮化物和保護層
    2.6.5  銅金屬化
  2.7  組裝
    2.7.1  安裝與鍵合

    2.7.2  封裝
  2.8  小結
  2.9  習題
第3章  典型工藝
  3.1  標準雙極工藝
    3.1.1  本征特性
    3.1.2  製造順序
    3.1.3  可用器件
    3.1.4  工藝擴展
  3.2  多晶硅柵CMOS工藝
    3.2.1  本質特徵
    3.2.2  製造順序
    3.2.3  可用器件
    3.2.4  工藝擴展
  3.3  模擬BiCMOS
    3.3.1  本質特徵
    3.3.2  製造順序
    3.3.3  可用器件
    3.3.4  工藝擴展
  3.4  小結
  3.5  習題
第4章  失效機制
第5章  電阻
第6章  電容和電感
第7章  電阻和電容的匹配
第8章  雙極型晶體管
第9章  雙極型晶體管的應用
第10章  二極體
第11章  場效應晶體管
第12章  MOS晶體管的應用
第13章  一些專題
第14章  組裝管芯
附錄A  縮寫辭彙表
附錄B  立方晶體的米勒指數
附錄C  版圖規則實例
附錄D  數學推導
附錄E  版圖編輯軟體的出處

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