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CMOS及其他先導技術(特大規模集成電路設計)/電子電氣工程師技術叢書

  • 作者：(美)劉金//科林·庫恩|譯者:雷鑑銘
  • 出版社：機械工業
  • ISBN：9787111593911
  • 出版日期：2018/04/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：329
人民幣：RMB 99 元      售價：元
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內容大鋼
    由劉金、科林·庫恩等著的《CMOS及其他先導技術(特大規模集成電路設計)/電子電氣工程師技術叢書》概述了現代CMOS晶體管的技術發展，並提出了新的設計方法來改善晶體管性能的局限性。本書共四部分。部分回顧了晶元設計的注意事項並且基準化了許多替代性的開關器件，重點論述了具有更大亞閾值擺幅的器件。第二部分涵蓋了利用量子力學隧道效應作為開關原理來實現更陡峭亞閾值擺幅的各種器件設計。第三部分涵蓋了利用替代方法實現更高效開關性能的器件。第四部分涵蓋了利用磁效應或電子自旋攜帶信息的器件。本書適合作為電子信息類專業與工程類專業的教材，也可作為相關專業人士的參考書。
作者介紹
(美)劉金//科林·庫恩|譯者:雷鑑銘
目錄
譯者序
前言
第一部分  CMOS電路和工藝限制
  第1章  CMOS數字電路的能效限制
    1.1  概述
    1.2  數字電路中的能量性能折中
    1.3  能效設計技術
    1.4  能量限制和總結
    參考文獻
  第2章  先導工藝晶體管等比例縮放：特大規模領域可替代器件結構
    2.1  引言
    2.2  可替代器件結構
    2.3  總結
    參考文獻
  第3章  基準化特大規模領域可替代器件結構
    3.1  引言
    3.2  可替代器件等比例縮放潛力
    3.3  可比器件的縮放潛力
    3.4  評價指標
    3.5  基準測試結果
    3.6  總結
    參考文獻
  第4章  帶負電容的擴展
    4.1  引言
    4.2  直觀展示
    4.3  理論體系
    4.4  實驗工作
    4.5  負電容晶體管
    4.6  總結
    致謝
    參考文獻
第二部分  隧道器件
  第5章  設計低壓高電流隧穿晶體管
    5.1  引言
    5.2  隧穿勢壘厚度調製陡峭度
    5.3  能量濾波切換機制
    5.4  測量電子輸運帶邊陡度
    5.5  空間非均勻性校正
    5.6  pn結維度
    5.7  建立一個完整的隧穿場效應晶體管
    5.8  柵極效率大化
    5.9  避免其他的設計問題
    5.10  總結
    致謝
    參考文獻
  第6章  隧道晶體管
    6.1  引言
    6.2  隧道晶體管概述
    6.3  材料與摻雜的折中
    6.4  幾何尺寸因素和柵極靜電

    6.5  非理想性
    6.6  實驗結果
    6.7  總結
    致謝
    參考文獻
  第7章  石墨烯和二維晶體隧道晶體管
    7.1  什麼是低功耗開關
    7.2  二維晶體材料和器件的概述
    7.3  碳納米管和石墨烯納米帶
    7.4  原子級薄體晶體管
    7.5  層間隧穿晶體管
    7.6  內部電荷與電壓增益陡峭器件
    7.7  總結
    參考文獻
  第8章  雙層偽自旋場效應晶體管…
    8.1  引言
    8.2  概述
    8.3  基礎物理
    8.4  BiSFET設計和集約模型
    8.5  BiSFET邏輯電路和模擬結果
    8.6  工藝
    8.7  總結
    致謝
    參考文獻
第三部分  可替代場效應器件
  第9章  關於相關氧化物中金屬絕緣體轉變與相位突變的計算與學習
    9.1  引言
    9.2  二氧化釩中的金屬絕緣體轉變
    9.3  相變場效應器件
    9.4  相變兩端器件
    9.5  神經電路
    9.6  總結
    參考文獻
  第10章  壓電晶體管
    10.1  概述
    10.2  工作方式
    10.3  PET材料的物理特性
    10.4  PET動力學
    10.5  材料與器件製造
    10.6  性能評價
    10.7  討論
    致謝
    參考文獻
  第11章  機械開關
    11.1  引言
    11.2  繼電器結構和操作
    11.3  繼電器工藝技術
    11.4  數字邏輯用繼電器設計優化
    11.5  繼電器組合邏輯電路
    11.6  繼電器等比例縮放展望

    參考文獻
第四部分  自旋器件
  第12章  納米磁邏輯：從磁有序到磁計算
    12.1  引言與動機
    12.2  作為二進位開關單元的單域納米磁體
    12.3  耦合納米磁體特性
    12.4  工程耦合：邏輯門與級聯門
    12.5  磁有序中的錯誤
    12.6  控制磁有序：同步納米磁體
    12.7  NML計算系統
    12.8  垂直磁介質中的納米磁體邏輯
    12.9  兩個關於電路的案例研究
    12.10  NML電路建模
    12.11  展望：NML電路的未來
    致謝
    參考文獻
  第13章  自旋轉矩多數邏輯門邏輯
    13.1  引言
    13.2  面內磁化的
    13.3  模擬模型
    13.4  面內磁化開關的模式
    13.5  垂直磁化
    13.6  垂直磁化開關模式
    13.7  總結
    參考文獻
  第14章  自旋波相位邏輯
    14.1  引言
    14.2  自旋波的計算
    14.3  實驗驗證的自旋波元件及器件
    14.4  相位邏輯器件
    14.5  自旋波邏輯電路與結構
    14.6  與CMOS的比較
    14.7  總結
    參考文獻
第五部分  關於互連的思考
  第15章  互連
    15.1  引言
    15.2  互連問題
    15.3  新興的電荷器件技術的互連選項
    15.4  自旋電路中的互連思考
    15.5  自旋弛豫機制
    15.6  自旋注入與輸運效率
    15.7  電氣互連與半導體自旋電子互連的比較
    15.8  總結與展望
    參考文獻

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