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三維電子封裝的硅通孔技術/電子封裝技術叢書

  • 作者：(美)劉漢誠|譯者:秦飛//曹立強
  • 出版社：化學工業
  • ISBN：9787122198976
  • 出版日期：2014/07/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：390
人民幣：RMB 148 元      售價：元
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內容大鋼
    劉漢誠編寫的《三維電子封裝的硅通孔技術》系統討論了用於電子、光電子和微機電系統（MEMS）器件的三維集成硅通孔（TSV）技術的最新進展和可能的演變趨勢，詳盡討論了三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和潛在解決方案。首先介紹了半導體工業中的納米技術和三維集成技術的起源和演變歷史，然後重點討論TSV製程技術、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過程中的拿持技術、三維堆疊的微凸點製作與組裝技術、晶元與晶元鍵合技術、晶元與晶圓鍵合技術、晶圓與晶圓鍵合技術、三維器件集成的熱管理技術以及三維集成中的可靠性問題等，最後討論了具備量產潛力的三維封裝技術以及TSV技術的未來發展趨勢。
    《三維電子封裝的硅通孔技術》適合從事電子、光電子、MEMS等器件三維集成的工程師、科研人員和技術管理人員閱讀，也可以作為相關專業大學高年級本科生和研究生教材和參考書。
作者介紹
(美)劉漢誠|譯者:秦飛//曹立強
目錄
第1章 半導體工業中的納米技術和3D集成技術1
  1.1 引言1
  1.2 納米技術1
    1.2.1 納米技術的起源1
    1.2.2 納米技術的重要里程碑1
    1.2.3 石墨烯與電子工業3
    1.2.4 納米技術展望3
    1.2.5 摩爾定律：電子工業中的納米技術4
  1.3 3D集成技術5
    1.3.1 TSV技術5
    1.3.2 3D集成技術的起源7
  1.4 3D Si集成技術展望與挑戰8
    1.4.1 3D Si集成技術8
    1.4.2 3D Si集成鍵合組裝技術9
    1.4.3 3D Si集成技術面臨的挑戰9
    1.4.4 3D Si集成技術展望9
  1.5 3D IC集成技術的潛在應用與挑戰10
    1.5.1 3D IC集成技術的定義10
    1.5.2 移動電子產品的未來需求10
    1.5.3 帶寬和寬I/O的定義11
    1.5.4 存儲帶寬11
    1.5.5 存儲晶元堆疊12
    1.5.6 寬I/O存儲器13
    1.5.7 寬I/O動態隨機存儲器（DRAM）13
    1.5.8 寬I/O介面17
    1.5.9 2.5 D與3D IC集成（無源與有源轉接板）技術17
  1.6 2.5 D IC集成（轉接板）技術的最新進展18
    1.6.1 用作中間基板的轉接板18
    1.6.2 用於釋放應力的轉接板20
    1.6.3 用作載板的轉接板22
    1.6.4 用於熱管理的轉接板23
  1.7 3D IC集成無源TSV轉接板技術的新趨勢23
    1.7.1 雙面貼裝空腔式轉接板技術24
    1.7.2 有機基板開孔式轉接板技術25
    1.7.3 設計舉例25
    1.7.4 帶散熱塊的有機基板開孔式轉接板技術27
    1.7.5 超低成本轉接板27
    1.7.6 用於熱管理的轉接板技術28
    1.7.7 用於LED和SiP封裝的帶埋入式微流體通道的轉接板技術29
  1.8 埋入式3D IC集成技術32
    1.8.1 帶應力釋放間隙的半埋入式轉接板33
    1.8.2 用於光電子互連的埋入式3D 混合IC集成技術33
  1.9 總結與建議34
  1.10 參考文獻35
第2章 TSV技術39
  2.1 引言39
  2.2 TSV的發明39
  2.3 採用TSV技術的量產產品40
  2.4 TSV孔的製作41
    2.4.1 DRIE與激光打孔41

    2.4.2 製作錐形孔的DRIE工藝44
    2.4.3 製作直孔的DRIE工藝46
  2.5 絕緣層製作56
    2.5.1 熱氧化法製作錐形孔絕緣層56
    2.5.2 PECVD法製作錐形孔絕緣層58
    2.5.3 PECVD法製作直孔絕緣層的實驗設計58
    2.5.4 實驗設計結果60
    2.5.5 總結與建議61
  2.6 阻擋層與種子層製作62
    2.6.1 錐形TSV孔的Ti阻擋層與Cu種子層63
    2.6.2 直TSV孔的Ta阻擋層與Cu種子層64
    2.6.3 直TSV孔的Ta阻擋層沉積實驗與結果65
    2.6.4 直TSV孔的Cu種子層沉積實驗與結果67
    2.6.5 總結與建議67
  2.7 TSV電鍍Cu填充69
    2.7.1 電鍍Cu填充錐形TSV孔69
    2.7.2 電鍍Cu填充直TSV孔70
    2.7.3 直TSV盲孔的漏電測試72
    2.7.4 總結與建議73
  2.8 殘留電鍍Cu的化學機械拋光（CMP）73
    2.8.1 錐形TSV的化學機械拋光
    ……
第3章 TSV的力學、熱學與電學行為
第4章 薄晶圓的強度測量
第5章 薄晶圓拿持技術
第6章 微凸點製作、組裝與可靠性
第7章 微凸點的電遷移
第8章 晶元到晶元、晶元到晶圓、晶圓到晶圓鍵合
第9章 3D IC集成的熱管理
第10章 3D IC封裝
第11章 3D 集成的發展趨勢
附錄

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