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垂直型GaN和SiC功率器件/半导体与集成电路关键技术丛书
所属分类:
电子电脑
>>
电工无线电自动化
>>
无线电电子.电讯
作者:
(日)望月和浩|责编:付承桂//杨琼|译者:黄锋//段宝兴//柏松//万成安//赵小宁
出版社:
机械工业
丛书项:
半导体与集成电路关键技术丛书
近年来,以氮化镓 (GaN)和碳化硅(SiC) 等宽禁带半导体化合物为代 表的第三代半导体材料引发 全球瞩目。第三代半导体广 泛应用于新一代移动通信、 新能源汽车、物联网和国防 电子等产业,已成为国际半 导体领域的重点研究方向。 本书主要介绍垂直型 GaN和SiC功率器件的材料 、工艺、特性和可靠性等相 关技术。内容涵盖垂直型和 横向功率半导体器件的比较 ,GaN和SiC的物理性质、 外延生长、制备工艺、主要 器件结构与特性,以及垂直 型GaN和SiC功率器件的可 靠性研究等。 本书适合从事GaN和SiC 功率半导体技术的科研工作 者、工程师阅读,也可作为 高等院校微电子科学与工程 、电力电子技术等相关专业 的教材。
人民币:
RMB 99.00
元 售价:
NT$ 396.00
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