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半導體物理學(普通高等學校電子信息類一流本科專業建設系列教材)

  • 作者：編者:茅惠兵|責編:潘斯斯
  • 出版社：科學
  • ISBN：9787030763402
  • 出版日期：2023/09/01
  • 裝幀：平裝
  • 頁數：300
人民幣：RMB 79 元      售價：元
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內容大鋼
    本書較全面地討論了半導體物理學的基礎知識。全書共11章，主要包括：半導體的品體結構與電子狀態，半導體的缺陷與摻雜，熱平衡時的電子和空穴分佈，半導體中的載流子輸運，非平衡載流子的產生、複合及運動，pn結，金屬-半導體接觸，金屬-絕緣層-半導體結構，半導體異質結與低維結構，半導體光學性質，以及半導體的其他性質。
    本書可作為普通高等學校電子科學與技術、微電子科學與工程及集成電路設計與集成系統等專業本科生的教材，也可供相關科技人員參考。
作者介紹
編者:茅惠兵|責編:潘斯斯
目錄
第1章  半導體的晶體結構與電子狀態
  1.1  半導體的晶體結構與布里淵區
    1.1.1  半導體晶體結構
    1.1.2  倒格子和布里淵區
  1.2  半導體中的電子態
    1.2.1  半導體能帶的形成
    1.2.2  能帶中電子的速度、加速度和有效質量
    1.2.3  導體、半導體和絕緣體的能帶
    1.2.4  半導體中的空穴
  1.3  半導體能帶的基本特徵
    1.3.1  半導體能帶
    1.3.2  導帶結構
    1.3.3  立方結構半導體的價帶結構
    1.3.4  迴旋共振
  1.4  Si和Ge的能帶結構
    1.4.1  Si 和Ge單晶的能帶結構
    1.4.2  Si1-xGex合金的結構與能帶結構
  1.5  Ⅲ-V族化合物半導體的能帶結構
    1.5.1  Ⅲ-V族化合物半導體概況
    1.5.2  GaAs的能帶結構
    1.5.3  GaP和InP的能帶結構
    1.5.4  氮化物半導體的能帶結構
  1.6  Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的能帶結構
  1.7  多元半導體的能帶結構
  1.8  SiC的晶體結構與能帶
  1.9  Ga2O3的結構與能帶
  習題
第2章  半導體的缺陷與摻雜
  2.1  缺陷的分類
    2.1.1  缺陷類型
    2.1.2  半導體中的缺陷與摻雜
    2.1.3  雜質的補償效應
  2.2  Si、Ge半導體的摻雜
    2.2.1  淺能級雜質電離能的計算
    2.2.2  Si、Ge半導體中的主要缺陷能級
  2.3  Ⅲ-V族化合物半導體中的雜質能級
    2.3.1  一般Ⅲ-V族半導體的摻雜
    2.3.2  GaN中的缺陷與摻雜
  2.4  其他寬禁帶半導體中的雜質與缺陷能級
    2.4.1  SiC中的雜質能級
    2.4.2  Ga2O3中的雜質能級及其他缺陷態
  習題
第3章  熱平衡時的電子和空穴分佈
  3.1  狀態密度與載流子分佈函數
    3.1.1  狀態密度
    3.1.2  導帶、價帶載流子的分佈規律
    3.1.3  非簡並條件下導帶電子濃度和價帶空穴濃度
    3.1.4  載流子濃度積n0p0
  3.2  本征載流子濃度
  3.3  含單一雜質的半導體載流子濃度

    3.3.1  雜質能級的佔有概率
    3.3.2  單雜質摻雜半導體的載流子濃度
  3.4  補償半導體中的載流子統計
    3.4.1  補償半導體中載流子的處理方法
    3.4.2  n型補償半導體的載流子濃度計算方法
    3.4.3  p型補償半導體的載流子濃度和費米能級
    3.4.4  補償性高阻：半絕緣半導體
  3.5  簡並半導體
    3.5.1  簡並半導體中載流子濃度的計算
    3.5.2  禁帶變窄效應
  習題
第4章  半導體中的載流子輸運
  4.1  半導體的電導率與遷移率
    4.1.1  半導體中載流子運動的基本特徵
    4.1.2  電場中載流子的運動電導率和遷移率
    4.1.3  電子散射的運動氣體模型
    4.1.4  半導體的主要散射機制
半導體中的電流
    4.2.1  外電場中的漂移電流
    4.2.2  擴散電流和總電流
  4.3  半導體中載流子遷移率的變化規律
……
第5章  非平衡載流子的產生、複合及運動
第6章  pn結
第7章  金屬-半導體接觸
第8章  金屬-絕緣層-半導體結構
第9章  半導體異質結與低維結構
第10章  半導體光學性質
第11章  半導體的其他性質
參考文獻
附錄

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