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石墨烯納米電子學--從材料到電路(精)/新材料新能源學術專著譯叢

  • 作者：編者:(美)拉古·穆拉利|責編:于航|譯者:王雪峰
  • 出版社：國防工業
  • ISBN：9787118126778
  • 出版日期：2023/01/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：232
人民幣：RMB 156 元      售價：元
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內容大鋼
    本書從回顧傳統Si基MOS器件的發展歷程出發，結合半導體材料和器件的最新成果，分析了碳基納米器件巨大的應用潛力，詳細闡述了目前碳基石墨烯納米材料和器件方面的理論研究與實踐成果，預測了碳基器件可能的發展方向。原著者由淺入深地論述了石墨烯材料的基本物理性質以及部分電子器件的物理原理，系統介紹了石墨烯材料的各種生長方法以及不同產品的性質差異，詳細梳理了器件功能設計與材料製造工藝之間的可能優化組合，完整構建了石墨烯電子器件的知識體系。
    本書對於高等院校新材料與器件相關專業的本科生、研究生、高校教師具有很好的參考價值。同時，本書對於從事相關領域研究工作的科研人員、工程技術人員也具有很好的指導意義。
作者介紹
編者:(美)拉古·穆拉利|責編:于航|譯者:王雪峰
目錄
第1章  CMOS器件性能進展
  1.1  引言
  1.2  MOSFET操作的基本原理
  1.3  10nm尺寸MOSFET器件物理
  1.4  簡單的MOSFET模型
  1.5  MOSFET性能指標
  1.6  MOSFET性能的歷史發展趨勢
  1.7  Si基MOSFET的速度演化
  1.8  應變Si器件中的載流子速度增長極限
  1.9  對Ge和Ⅲ-Ⅴ族半導體中的速度增長的展望
  1.10  小結
  參考文獻
  延伸閱讀
第2章  石墨烯中的電子輸運
  2.1  石墨烯的電子能帶結構
    2.1.1  緊束縛計算
    2.1.2  石墨烯納米帶
  2.2  電子輸運
    2.2.1  電聲子散射
    2.2.2  無序散射
    2.2.3  石墨烯納米帶中的輸運
    2.2.4  SiC生長和CVD生長石墨烯中的輸運
  2.3  石墨烯場效應晶體管中的高場輸運
  2.4  小結
  致謝
  參考文獻
  延伸閱讀
第3章  石墨烯晶體管
  3.1  引言
  3.2  數字場效應晶體管
  3.3  能帶帶隙
  3.4  射頻場效應晶體管（RFFET）
  3.5  寬度縮放
  3.6  邊緣散射的弱化
  3.7  長度縮放
  3.8  層數對FET性能的影響
  3.9  摻雜
  3.10  數字FET的性能藍圖
  3.11  接觸電阻
  3.12  從晶體管到電路
  3.13  非經典的電荷晶體管
  3.14  小結
  參考文獻
第4章  非電態參量石墨烯晶體管
  4.1  引言
  4.2  石墨烯中的電子電荷
  4.3  石墨烯原子開關
  4.4  石墨烯中的自旋
  4.5  石墨烯中的質自旋
  4.6  石墨烯中的聲子

  4.7  展望
  致謝
  參考文獻
第5章  新型態參量的輸運
  5.1  引言
  5.2  CMOS之間的互聯
  5.3  新型互聯
    5.3.1  粒子輸運互聯
    5.3.2  波基互聯
  5.4  新型互聯之間的比較
    5.4.1  粒子輸運互聯與CMOS互聯
    5.4.2  波基互聯與CMOS互聯
  5.5  展望與發展
  參考文獻
第6章  石墨烯的外延生長
  6.1  石墨烯的發展進程
  6.2  石墨烯合成用的SiC和襯底準備
  6.3  外延石墨烯的理論基礎及合成
    6.3.1  理論基礎
  6.4  展望
  致謝
  參考文獻
第7章  利用化學氣相沉積法生長石墨烯
  7.1  引言
  7.2  碳偏析生長石墨烯
  7.3  碳氫化物表面分解生長石墨烯
  7.4  石墨烯的轉移
  7.5  石墨烯薄膜質量控制
    7.5.1  CVD參數
    7.5.2  金屬襯底的結晶度
    7.5.3  生長參數對石墨烯的影響
  7.6  無催化和低溫石墨烯生長
  7.7  無襯底氣相方法
  7.8  結語
  參考文獻
第8章  製備石墨烯氧化物及相關材料的化學方法
  8.1  引言
  8.2  CCG和GO的形貌
    8.2.1  GO的結構
  8.3  GO和CCG的電學性質
    8.3.1  G0分散體
    8.3.2  形成GO和可溶石墨烯的改進方法
  8.4  官能化的石墨烯和GO
  8.5  拉開CNT獲得的石墨烯
  8.6  小結
  參考文獻
第9章  石墨烯上的電介質原子層沉積
  9.1  引言
  9.2  原子層沉積的基本原理
  9.3  石墨烯官能化的均勻原子層沉積

    9.3.1  在石墨烯上用ALD法進行直接電介質沉積
    9.3.2  臭氧或二氧化氮處理
    9.3.3  濕化學方法
    9.3.4  聚合物緩衝層
    9.3.5  金屬種子層
  9.4  小結和未來的發展方向
  參考文獻
縮略語

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