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寬禁帶半導體核輻射探測器(精)/寬禁帶半導體前沿叢書

  • 作者：編者:張玉明//郭輝//張金風|責編:馬曉娟
  • 出版社：西安電子科大
  • ISBN：9787560662848
  • 出版日期：2022/10/01
  • 裝幀：精裝
  • 頁數：324
人民幣：RMB 128 元      售價：元
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內容大鋼
    本書較全面地介紹了兩種典型寬禁帶半導體材料在核輻射探測器中的應用，主要論述了寬禁帶核輻射探測器製備及應用中的相關基礎理論。本書首先介紹了近年來碳化硅、金剛石這兩種頗具代表性的寬禁帶半導體材料用於核輻射探測的新進展，然後介紹了輻射源、射線與探測介質相互作用的基礎知識以及碳化硅、金剛石核輻射探測器的基本工作原理與結構，最後著重論述金剛石、碳化硅核輻射探測器的製備過程與輻射響應。
    本書可作為從事核探測方面工作的技術人員的參考書，也可作為半導體核探測相關方向的研究生的教材。
作者介紹
編者:張玉明//郭輝//張金風|責編:馬曉娟
目錄
第1章  緒論
  1.1  核輻射探測在極端環境與強輻射場應用中的作用
  1.2  核輻射探測器的發展簡介
  1.3  寬禁帶半導體核輻射探測器總體進展綜述（研究現狀）
    1.3.1  金剛石核輻射探測器的發展及應用
    1.3.2  SiC核輻射探測器的發展及應用
  參考文獻
第2章  寬禁帶半導體核輻射探測器的探測原理
  2.1  核輻射的基本性質
  2.2  粒子與物質的相互反應
  2.3  寬禁帶半導體核輻射探測器的基本結構和工作原理
    2.3.1  探測器結構與工作原理
    2.3.2  基本輻射探測系統
  參考文獻
第3章  金剛石核輻射探測器
  3.1  核輻射探測器級金剛石材料的生長方法
    3.1.1  核輻射探測器的載流子輸運
    3.1.2  高質量CVD單晶金剛石材料生長
  3.2  核輻射探測器級金剛石材料的特性表徵分析
    3.2.1  金剛石樣品選型策略
    3.2.2  金剛石的非破壞性表徵分析
  3.3  金剛石核輻射探測器的製備工藝方法和電學特性
    3.3.1  器件結構設計與製備
    3.3.2  氫氧終端CVD金剛石核探測器製備工藝與電特性
  3.4  金剛石核輻射探測器對阿爾法粒子的響應
    3.4.1  能譜特性參數
    3.4.2  測量方法
    3.4.3  單晶金剛石核探測器對α粒子的能譜響應
    3.4.4  單晶金剛石核探測器的時間響應
    3.4.5  對比結果
    3.4.6  多晶金剛石核探測器對α粒子的能譜響應
  3.5  金剛石核輻射探測器對X射線的響應
    3.5.1  性能參數與測試方法
    3.5.2  單晶金剛石核輻射探測器對X射線的響應
    3.5.3  多晶金剛石核輻射探測器對X射線的響應
    3.5.4  小結
  3.6  金剛石材料特性對核輻射探測器的性能影響
    3.6.1  引言
    3.6.2  材料選取
    3.6.3  材料特性表徵
    3.6.4  器件製備
    3.6.5  能譜特性
    3.6.6  分析與討論
    3.6.7  結論
  參考文獻
第4章  SiC核輻射探測器的製備
  4.1  SiC核輻射探測器的幾種基本結構
    4.1.1  PN結型探測器
    4.1.2  PiN結型探測器
    4.1.3  肖特基結型探測器

    4.1.4  中子探測器
  4.2  探測器級SiC外延材料製備和分析
    4.2.1  SiC單晶襯底的製備
    4.2.2  SiC厚外延層生長工藝
  4.3  SiC外延層的表徵及分析
    4.3.1  SiC外延層表徵技術
    4.3.2  SiC外延層中的缺陷
  4.4  SiC核輻射探測器的製備和電學特性
    4.4.1  探測器關鍵製備工藝與基本流程
    4.4.2  探測器電學測試
  參考文獻
第5章  SiC核輻射探測器的輻射響應研究
  5.1  SiC核輻射探測器能譜模擬與器件優化設計
    5.1.1  工具軟體介紹
    5.1.2  器件模擬模型與材料參數
    5.1.3  粒子輻照探測器脈衝幅度譜計算原理
    5.1.4  器件層面的優化設計
  5.2  SiC核輻射探測器對帶電粒子的響應
    5.2.1  帶電粒子輻照響應模擬結果分析
    5.2.2  帶電粒子輻照響應實驗研究與分析
  5.3  SiC核輻射探測器對X射線的響應
    5.3.1  脈衝X射線瞬態響應實驗
    5.3.2  脈衝X射線瞬態響應模擬分析
  5.4  SiC核輻射探測器對不同能量中子的響應
    5.4.1  熱中子探測性能研究
    5.4.2  14.1 MeV D-T中子探測性能研究
  參考文獻
第6章  SiC材料輻照損傷對輻射響應的影響
  6.1  SiC材料缺陷對核輻射探測器性能的影響
  6.2  SiC材料的輻照損傷及探測性能退化
    6.2.1  輻照對SiC材料缺陷的影響機理
    6.2.2  探測器輻照退化的模擬擬合方法
    6.2.3  探測器性能退化研究
  參考文獻

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