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發明專利實審答覆案例精選

作者：編者:李文紅//吳敏|責編:劉睿//鄧瑩
出版社：知識產權
ISBN：9787513081214

出版日期：2022/07/01
裝幀：平裝
頁數：228

人民幣：RMB 46 元售價：元

內容大鋼

本書從「實戰」出發，將邏輯推導、法律依據等作為發明專利實審答覆中的核心要素，借助不同案例，對發明專利實質審查過程中遇到的不同問題，從新穎性、創造性及其他問題三個方面結合具體專利法規進行分析，並對如何修改及意見答覆提出合適的處理方式。
本書適合從事專利實務工作的人士閱讀。

作者介紹

編者:李文紅//吳敏|責編:劉睿//鄧瑩

第一章  涉及新穎性問題的答覆案例
  第一節  新穎性的判斷
    案例1  互連結構及其製造方法
  第二節  關於新穎性評價中抵觸申請的問題
    案例2  LDMOS晶體管的形成方法及LDMOS晶體管
  第三節  新穎性評價中區別技術特徵的認定
    案例3  封裝結構及其封裝方法
第二章  涉及創造性問題的答覆案例
  第一節  公知常識或慣用技術手段
    案例4  摻氟的氧化硅薄膜的形成方法
    案例5  互連結構的形成方法
    案例6  半導體結構及其形成方法
    案例7  晶體管的形成方法
  第二節  技術方案的理解
    案例8  半導體器件及其形成方法
    案例9  半導體結構的形成方法
    案例10  驅動電路的數據維持方法和裝置
    案例11  MOCVD設備的噴淋頭及其製作方法
    案例12  半導體互連結構及形成方法
    案例13  半導體器件的製造方法
  第三節  區別技術特徵或技術特徵的認定
    案例14  自對準多重圖形的形成方法
    案例15  壓力感測器及其形成方法
    案例16  半導體器件
    案例17  半導體器件及其形成方法
    案例18  半導體結構及其形成方法
    案例19  金屬互連層的製造方法
    案例20  多指條形GGNMOS
    案例21  銅互連線的形成方法和介質層的處理方法
    案例22  光學指紋感測器和電子產品
    案例23  非接觸通信裝置
    案例24  重複利用半導體晶元的方法
    案例25  晶元及其製造方法、晶圓結構
  第四節  是否存在技術啟示
    案例26  製作淺溝槽隔離結構的方法
    案例27  互連結構及其形成方法
    案例28  互連結構的形成方法
    案例29  半導體器件的形成方法
    案例30  封裝結構及其形成方法
    案例31  導電結構的形成方法
    案例32  介質層的形成方法
    案例33  清洗焊盤的方法
    案例34  鰭式場效應管的形成方法及半導體結構
    案例35  P型MOS晶體管及其形成方法
    案例36  等效通道矩陣計算方法及裝置
    案例37  知識檢索方法及裝置、存儲介質、伺服器
  第五節  方法限定結構及功能性限定
    案例38  鰭式場效應管及其形成方法
    案例39  指紋成像模組和電子設備
    案例40  射頻發射電路、發射機及用戶終端

第三章  涉及其他問題的答覆案例
  第一節  有關《專利法》第26條第4款
    案例41  半導體結構及其形成方法
    案例42  電子設備
    案例43  半導體結構及其形成方法
    案例44  半導體器件的形成方法
  第二節  缺少解決技術問題的必要技術特徵
    案例45  液晶顯示裝置的顯示方法
參與編撰人員簡介

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