半導體物理與器件(第4版)/國外電子與通信教材系列
內容大鋼
本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內容，分成三部分，共計15章。第一部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結構、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導體器件基礎，主要討論pn結、pn結二極體、金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極晶體管、結型場效應晶體管；第三部分為專用半導體器件，主要介紹光器件、半導體微波器件和功率器件等。書中既講述了半導體基礎知識，也分析討論了小尺寸器件物理問題，具有一定的深度和廣度。另外，全書各章難點之後均列有例題、自測題，每章末尾均安排有複習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末尾列有習題和參考文獻，書後附有部分習題答案。
本書可作為高等院校微電子技術專業本科生及相關專業研究生的教材或參考書，也可作為相關領域工程技術人員的參考資料。
作者介紹
(美)唐納德·A.尼曼|責編:馬嵐|譯者:趙毅強//姚素英//史再峰
唐納德·A.尼曼，美國新墨西哥大學電氣與電腦工程系教授，于新墨西哥大學獲博士學位后，成為Hanscom空軍基地固態科學實驗室電子工程師。1976年加入新墨西哥大學電氣與電腦工程系，從事半導體物理與器件課程和電路課程的教學工作。目前仍為該系的返聘教員。出版過Microelectronics Circuit Analysis and Design, Fourth Edition和An Introduction to semiconductor Devices兩本教材。
目錄
緒論 半導體和集成電路
歷史
集成電路（IC）
製造
參考文獻
第一部分 半導體材料屬性
第1章 固體晶格結構
1.0 概述
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 金剛石結構
1.5 原子價鍵
*1.6 固體中的缺陷和雜質
*1.7 半導體材料的生長
1.8 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.0 概述
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.0 概述
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.0 概述
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本征半導體
4.4 施主和受主的統計學分佈
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.0 概述
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分佈
*5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.0 概述
6.1 載流子的產生與複合
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 准費米能級
*6.5 過剩載流子的壽命
*6.6 表面效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第二部分 半導體器件基礎
第7章 pn結
7.0 概述
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 結擊穿
*7.5 非均勻摻雜pn結
7.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極體
8.0 概述
8.1 pn結電流
8.2 產生複合電流和大注入
8.3 pn結的小信號模型
*8.4 電荷存儲與二極體瞬態
*8.5 隧道二極體
8.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.0 概述
9.1 肖特基勢壘二極體
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第10章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
10.0 概述
10.1 雙端MOS結構
10.2 電容電壓特性
10.3 MOSFET基本工作原理
10.4 頻率限制特性
*10.5 CMOS技術
10.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管：概念的深入
11.0 概述
11.1 非理想效應
11.2 MOSFET按比例縮小理論
11.3 閾值電壓的修正
11.4 附加電學特性
*11.5 輻射和熱電子效應
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第12章 雙極晶體管
12.0 概述
12.1 雙極晶體管的工作原理
12.2 少子的分佈
12.3 低頻共基極電流增益
12.4 非理想效應
12.5 等效電路模型
12.6 頻率上限
12.7 大信號開關
*12.8 其他的雙極晶體管結構
12.9 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.0 概述
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
*13.3 非理想因素
*13.4 等效電路和頻率限制
*13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
第三部分 專用半導體器件
第14章 光器件
14.0 概述
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光致發光和電致發光
14.5 發光二極體
14.6 激光二極體
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
第15章 半導體微波器件與功率器件
15.0 概述
15.1 隧道二極體
15.2 耿氏二極體
15.3 雪崩二極體
15.4 功率雙極晶體管
15.5 功率。MOSFlET
15.6 半導體閘流管
15.7 小結
重要術語解釋
知識點
複習題
習題
參考文獻
附錄A 部分參數符號列表
附錄B 單位制、單位換算和通用常數
附錄C 元素周期表
附錄D 能量單位——電子伏特
附錄E 薛定諤波動方程的推導
附錄F 有效質量概念
附錄G 誤差函數
附錄H 部分習題參考答案
索引
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